【課題】ガラス基板の端面研削の精度を向上し、端面からの発塵を抑え、かつ砥石を長期間良好な状態に保つことのできる技術を提供する。
【解決手段】砥粒２３を埋設した研削手段２１と、研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段２６とを用いてガラス基板１０の端面１２、１３を研削する方法であって、前記冷却液２５の温度を２８℃以下に調節する。 （もっと読む）

【課題】
構成を簡略化して眼鏡レンズ研削装置、循環ポンプのコストの低減図る。
【解決手段】
レンズを研削する研削装置本体２４と、研削液３０を貯溜する貯溜タンク２９と、該貯溜タンクに設けられた研削液循環装置２５とを具備し、該研削液循環装置は循環モータ４１と、該循環モータに同軸駆動される消泡部５７と、送液ポンプ５０と、前記研削装置本体と前記貯溜タンクとを接続する戻しホース３２とを有し、前記送液ポンプが送出する研削液がレンズ研削部に供給され、該レンズ研削部に供給された研削液は前記戻しホースを介して前記貯溜タンクに循環され、前記消泡部は貯溜液上方に位置し、回転される散布羽根５３を有し、前記送液ポンプが送出する研削液の一部が前記散布羽根に供給され、該散布羽根の回転による遠心力で液面上に散布される様構成された。
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【課題】 例えばガラス基板の辺縁を回転砥石により研磨する際の使用するクーラント水の飛散を防止する。
【解決手段】 ガラス基板などのワークＷと、周囲の一面に上記ワークの研磨辺が嵌り込む開口１を有するボックス２とからなり、このボックス内にワークの辺縁を研磨する回転砥石１４を設け、また上記ボックス内に研磨部分にクーラント水を噴射するノズル２１を設け、さらに上記ボックス内に噴射クーラント水を吸引して排出する吸引手段を設け、上記ワーク或いはボックスのいずれか片方を走行手段Ａにより走行させるようにした構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】 加工中に光ファイバに傷をつけることがなく、光ファイバ配線板から光ファイバ先端までの距離を短かくすることが可能で、また、光ファイバの先端位置を容易に揃わせることのできる、光ファイバの接続端面の形成並びに加工方法を提供する。
【解決手段】 劈開された光ファイバの先端の被覆を所定長さ除去し、Ｖ溝に整列させて配置し、光ファイバの被覆部分を押えて把持し、そして、光ファイバの端面を酸化セリウム砥粒を固定した研磨板に水を散布しながら面取り、あるいは、研磨する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等から成る基板の側面を面取りする基板研磨装置において、研磨時に生じる研磨屑の基板上での付着防止及び除去を図る。
【解決手段】 本発明の基板研磨装置は、ガラス基板１０を保持して所定の進行方向に移動する保持テーブルＴＢと、回転可能な円盤状の砥石２０と、砥石２０を支持して回転させる回転装置２１と、少なくとも保持テーブルＴＢの両端部の上方に、上記所定の進行方向に沿って延びる第１の配水管３０Ａと、第１の配水管３０Ａに所定の間隔で接続され、砥石２０側に対向して水をスプレー噴射する複数の側部ノズル３２と、を備えることを特徴とする。研磨の際には、ガラス基板１０の端部上の研磨屑が、側部ノズル３２よりスプレー噴射された水と共に砥石２０側に向かって押し流され、外部へ排出される。 （もっと読む）

【課題】シリコンの加工に伴う熱の影響を抑え、高温による加工装置への負担軽減と加工精度の悪化を抑制することのできるシリコンの加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンを、加工手段を用いて、前記シリコン及び／又は前記加工手段を冷媒で冷却しつつ加工するシリコンの加工方法であって、前記冷媒と前記加工により生じた平均粒径１５μｍ以下のシリコン屑との反応による発熱量は、水と前記シリコン屑との反応による発熱量よりも小さいことを特徴とするシリコンの加工方法。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物の形状に左右されない自由度と研磨能力に優れた研磨装置を提供する。
【解決手段】ワーク１０を保持するワーク保持部材１１と、電気レオロジーゲル（ＥＲＧ）と砥粒とを含んで構成された研磨材１２Ａを有し、この研磨材１２Ａをワーク１０に接触させてワーク１０を研磨する研磨工具３００と、研磨工具３００を保持する工具保持部材３１０と、研磨工具３００又はワーク１０を、研磨面に対して略直行する軸を中心に回転駆動させる回転駆動手段４５０と、ＥＲＧに電圧を印加する電圧印加手段１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】貼合せワークの上側のワークの薄膜加工、ひいてはＳＯＩ基板の生産能率を飛躍的に高めることができる画期的な貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、ワーク取付け台４及びその駆動装置と、該貼合せワークの回転面２ａに対して回転面１５ａが略直角になるように研削する砥石１５ならびにその駆動装置とを備え、貼合せワーク２を低速回転させながら、砥石１５を高速回転させて貼合せワーク２に接触させ、砥石１５又は貼合せワーク２のいずれかを接近させて砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワークの外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向の研削により段差加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面１ａを細かな面粗度に加工でき、且つ作業環境に優れた研削方法を提供する。
【解決手段】本発明の研削方法は、ワーク表面１ａおよびその表面に接触する砥石面２ａが冷却液中に浸漬された状態で実施されるので、冷却効果が高い。また、砥石２には、砥石面２ａの周縁部から径方向中心部に向かってテーパ状に凹む窪みが形成され、砥石面２ａの周縁部のみがワーク表面１ａに接触している。これにより、ワーク１と砥石２との接触面積が小さくなるため、研削加工時の発熱量を少なくできる。
また、加工中の砥石２は、窪みの一部がワーク１の外周より径方向外側に覗いた状態で砥石面２ａがワーク表面１ａに接触しており、そのワーク１の外側に覗く窪みに向けて、ノズル６ｂから噴流が供給されるため、研削時に発生した切屑を冷却液中に排出でき、切屑による砥石２の目詰まりを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことのできる半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、３２、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０から構成される。ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。 （もっと読む）

基板処理装置（１）は基板の周縁部を研磨する第１研磨ユニット（４００Ａ）および第２研磨ユニット（４００Ｂ）を備えている。２台の研磨ユニット（４００Ａ，４００Ｂ）はそれぞれ基板の周縁部を研磨するベベル研磨部（４５０Ａ，４５０Ｂ）と基板のノッチ部を研磨するノッチ研磨部（４８０Ａ，４８０Ｂ）を具備し、基板処理装置（１）は２台の研磨ユニット（４００Ａ，４００Ｂ）の間に配設されたメンテナンス用のスペース（７）を具備する。２台の研磨ユニット（４００Ａ，４００Ｂ）のベベル研磨部（４５０Ａ，４５０Ｂ）はメンテナンス用のスペース（７）に面した位置に設置され、該メンテナンス用のスペース（７）からアクセスできるようになっている。
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【課題】 弾性基材に貼り付ける作業性が向上し、しかも弾性基材から剥離し難く、研磨不良の発生を抑制し、歩留まり良く研磨を行うことができる研磨パッド及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 研磨パッド１を貫通する多数の穴の列からなる切れ目１ｃが、多数の多角形の輪郭を並設した形状に、研磨パッド１の中央部から外周部に亘って形成された研磨パッド１が、ドーム状の弾性基材２の表面に貼着された弾性ポリシャ３を、研磨装置に装着し、弾性ポリシャ３と研磨装置との間に形成された密閉空間に、０．１〜２．０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を加えて弾性ポリシャ３に張りを与えることで、研磨パッド１が切れ目１ｃに沿って張り裂けて、多数のパッドに分離すると共に、通水溝として機能する溝を形成する。そして弾性ポリシャ３を被研磨物の被研磨面に押し当てて研磨する。 （もっと読む）

【課題】超硬ドリルや超硬並びにｃＢＮ等のボールエンドミル等の工具を用いる切削加工に際し、短時間に精度の高い加工を可能とした精密加工技術として用いられる切削加工方法及び切削加工装置を提案する。
【解決手段】本発明の切削加工方法は、見かけ上の電極を高速で回転する工具とし、前記電極と被加工物との間に粘度が３０００〜１００００mm²／sの絶縁性流体を配置し、工具と被加工物との間に低周波交流高電圧を印加して前記絶縁性流体にクーロン力を作用させることにより、加工圧の加わる被加工物と工具との接触位置に前記絶縁性流体を配置制御させつつ工具を高速回転させて加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面が平坦化されると同時に水素終端化されるＳｉ基板表面の研磨方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板の表面を研磨する際に、水素吸着能を有する金属粒子またはその金属粒子と研磨材粒子の混合物と水素水とを共存させるＳｉ基板表面の研磨方法、とくに、金属粒子がＰｄまたは／およびＰｄ合金の微粒子であり、また研磨時の環境が真空雰囲気であることを好適とするＳｉ基板表面の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス状カーボンを加工面に欠陥を生じることなく、高精度に加工することが可能なガラス状カーボンの加工方法及び装置を提供すること。
【解決手段】電解質性溶液をガラス状カーボンの加工物２０９の加工付近に供給しながら、加工物２０９に対向して設けられた工具電極２０４と加工物２０９に接続された電気回路に電圧を印加することで、工具電極２０４を加工物２０９に対して送り込むことにより加工物２０９を電気化学的に加工することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】加工領域部である最小隙間部の側面近傍に障害物を設けて工具回転方向と直交する方向に漏れていた研摩液及び砥粒を最小隙間部に導くことで、効率良く研磨することができる研磨工具を提供すること。
【解決手段】本発明の研磨工具は、円柱形状の円筒面に曲率を有したシリンドリカル面を有する弾性回転工具で、非加工物と弾性回転工具の曲率を有したシリンドリカル面とで構成する最小隙間部である加工領域の回転方向と直角方向の回転工具側面に、非加工物表面の粗さを悪化させることのない剛性を有した弾性体を設置することにより、加工領域内部からの研摩液及び砥粒の流出を防止することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の吸着テーブル方式の問題点を解決し、遊離砥粒の除去の完全化、ワークのエッジの両面及び端面の同時バフ研摩の実現による大幅な省力化、更にはバフ研摩終了後の遊離砥粒の除去の完全化を図ることができる画期的なワークのエッジの研摩方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハで代表される半導体ウェーハ等のワーク１を縦方向に、好ましくは水平面に対して６０度乃至９０度の縦方向の範囲に、最も好ましくは垂直に保持して少くとも３個の回転体２０（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）で回転駆動し、ワーク１の最下部にバフ１０を配設し、研摩部１ｂには下方から遊離砥粒６（スラリー）を噴射してバフ研摩するように構成し、しかも該バフをその厚さ方向の両側から押圧するバフ押圧装置１８を備えた構成を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた加工性を発揮するとともに、作業環境の改善や環境への影響低減を図り、且つ、引火の危険性がない水溶性研削液とそれを使用した加工方法を提供する。
【解決手段】レンズ３等の光学素子の切削及び研削加工に供される研削液４は、上記加工に使用される研削液が、水溶性又は水性であり、その内容が脂肪族カルボン酸及び芳香族カルボン酸のうちの少なくとも１種類と、アルカノールアミンとから成るアルカノールアミン塩とアニオン系又はノニオン系の何れか１つの界面活性剤と合成潤滑剤を主成分として含有する。そして、前記主成分に、防錆剤及び消泡剤を添加する。 （もっと読む）

【課題】高能率かつ長寿命化を実現できる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】内部にバインダを含まず、多数の一次粒子がその間に空隙が形成されている状態で固定砥粒を結合している粒状の多孔質体にすることによって、遊離砥粒による固定砥粒先端へのドレッシング効果が確実に得られた。図３−２のＡで説明すると、遊離砥粒２２の添加は固定砥粒２０の前記固定砥粒加工物の被加工面に作用する加工面の磨耗を促進させることより、加工物の被加工面に耐えずに微細な切刃発生を促進させることで、遊離砥粒とのミックス効果により加工能率の高い状態が長時間維持される。図３−２のＢには、研磨具が研磨パッドあるいは研磨砥石の場合の目たて様子を示す。このように、砥石と結合材が同時にドレッシングされるが、上記実施例１と同様に、前記固定砥粒の被加工面に作用する部分が目たてされて、結合材からの脱落はなかった。 （もっと読む）

【課題】 安定した除去深さ（除去量）を得て、つまり上記プレストンの経験則の比例定数ｋを比較的簡単な手法で安定させることによって、高精度な形状を持つ光学素子成形用金型の加工を可能とし、また、長時間にわたって安定した除去深さの得られる条件を、短時間の研磨で決定する工作物研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】 回転軸に球体または球体の一部からなる形状の部材が固定された研磨工具１と、加工面７ａとの間に荷重を発生させて、工作物７を研磨する工作物研磨方法において、前記加工面７ａと接触する部分を多孔質の材料で形成した前記研磨工具１を使用し、砥粒を含有するペースト及び液体を供給するにあたって、最大除去深さが得られるように液体の動粘度と液体の量を調整して最大除去深さが得られる動粘度と液量を事前に決定し、決定した液体の動粘度と液量を採用して工作物７を研磨する。 （もっと読む）