【課題】高精度な研磨を高効率よく、かつ低コストで行える複合砥粒の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合砥粒は、無機粒子と、球面に対する凹面からなる凹部およびこの凹部を囲繞する条部を有する非球面体からなる有機粒子とからなり、この有機粒子の表面に無機粒子が付着していることを特徴とする。ここで、例えば、無機粒子はセリア粒子であり、有機粒子はポリウレタンとポリメタクリル酸メチルの複合ポリマー粒子である。この複合砥粒を用いると、セリア粒子のみからなる砥粒を用いた場合と同等な表面粗さを確保しつつ、高い研磨レートの研磨を行うことができる。しかも本発明の複合砥粒によれば、稀少なレアアースを含むセリア粒子等の使用量を抑制でき、砥粒ひいては研磨スラリー等の低コスト化や供給安定性を図れる。 （もっと読む）

【課題】きわめて高度な平滑度および平坦度が求められる高精度の研磨仕上げを行うことはいうまでもなく、従来の研磨パッドよりも格段に優れた研磨能率を向上させることを可能にする研磨パッドを提供する。
【解決手段】工作物との間に研磨材を含有するスラリーを供給しながら工作物とを相対的に移動させて工作物を研磨する研磨パッドであって、基材がエポキシ樹脂であり硬度が７０〜１００°の研磨パッド基材を用いた。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドは、半導体基板、光学基板及び磁性基板の少なくとも一つを平坦化するのに適する。
【解決手段】研磨パッドは、プレポリマーポリオールと多官能芳香族イソシアネートとの、イソシアネート末端化反応生成物を形成するプレポリマー反応から形成された流込み成形ポリウレタンポリマー材料を含む。前記イソシアネート末端化反応生成物が４．５〜８．７重量％の未反応ＮＣＯを有するものであり、前記イソシアネート末端化反応生成物を、硬化剤ポリアミン類、硬化剤ポリオール類、硬化剤アルコールアミン類及びそれらの混合物からなる群より選択される硬化剤で硬化させたものである。研磨パッドは、少なくとも０．１容量％の充填材又は気孔を含む。 （もっと読む）

【課題】板状部材は送り機構に送り運動すると共に上記板状部材は平面研磨運動機構により円軌跡平面運動して板状部材を研磨することができ、研磨テープの移送方向の移送による新たな研磨面の現顕出も相俟って、板状部材の表面粗さを向上することができると共に研磨作業性を向上することができる。
【解決手段】固定機体５にテープ移送機構Ｂ、テープ案内機構Ｃ及びテープ圧接機構Ｄを設け、保持台１を研磨テープＴの移送方向Ｇと同方向Ｈ及び研磨テープの移送方向と直交する直交方向Ｋにそれぞれ同時に往復移動させて円軌跡平面運動Ｒさせる平面研磨運動機構Ｆを設けてなる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ基板の研磨時に、膜厚（色度）に面内分布が生じた際、処理基板にかかる荷重を局所的に変更することで、研磨処理における膜厚（色度）バラツキを軽減でき、過研磨部と研磨不足の部分の発生を抑え、ワーク表面の均一性を出し、製品収率の向上が可能なカラーフィルタ基板研磨機及び研磨方法を提供する。
【解決手段】テンプレート７にはマグネットプレートが具備されており、テンプレート７はマグネットプレートの磁気により平盤研磨機の上定盤３に着脱可能に保持され、選択された領域のマグネットプレートの厚みを調整することでテンプレート７の板厚を所定の厚み分布に調整する。 （もっと読む）

【課題】加工効率が高いブラシ研削装置及び方法を提供する。
【解決手段】ブラシホルダ３に保持された研削ブラシ２の先端を金属リングＷに当接させて研削加工を施すブラシ研削装置において、研削ブラシ２を、その拘束部１０から先端までの長さがＬ３に設定される第１研削ブラシ２ａと、拘束部１０から先端までの長さがＬ３よりも長いＬ４に設定される第２研削ブラシ２ｂとで構成し、研削ブラシ２ａ及び研削ブラシ２ｂがブラシホルダ上で混在するように、研削ブラシ２ａ及び研削ブラシ２ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、精密研磨に適した研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカゾルは動的光散乱法により測定される平均粒子径が５〜３００ｎｍの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が１０〜６０重量％であって、２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定時のケミカルシフト−７３〜−１２０ｐｐｍのピーク面積におけるＱ４の面積が８８％以上、Ｑ３の面積が１１％以下である。但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Ｑ４は−１００〜−１２０ｐｐｍの範囲のピークであり、Ｑ３は−８２〜−１００ｐｐｍの範囲のピークである。 （もっと読む）

【課題】帯板材搬送機構により移送される帯板材を研磨テープの移送方向と直交する幅方向の往復移動及び研磨テープの移送方向と同方向の往復移動の複合運動により研磨することができ、研磨テープの移送による新たな研磨面の顕出も相俟って、帯板材の表面粗さを向上することができると共に帯板材搬送機構による帯板材の移送により研磨作業性を向上することができる。
【解決手段】装置機体Ａ上に研磨テープＴの移送方向Ｇと直交する幅方向Ｈに往復移動自在な幅方向移動台１１を配設し、幅方向移動台を往復移動させる幅方向移動機構１２を設け、幅方向移動台上に研磨テープの移送方向と同方向Ｎに往復移動自在な移送方向移動台１３を配設し、移送方向移動台を往復移動させる移送方向移動機構１４を設け、幅方向移動台にテープ移送機構Ｃを設け、移送方向移動台にテープ案内機構Ｄ及びテープ圧接機構Ｅを設けてなる。 （もっと読む）

【課題】レール端面を、容易に、平坦に且つレールの長手方向に対して垂直に研削する。
【解決手段】研削機１０と、研削機１０をレール１に対して相対移動可能に取り付ける取付具３０とを備えている。研削機１０は、外周面が研削面１２を成す無端研削平ベルト１１と、研削面１２の一部の平坦性を確保するベルト支持板１７と、ガイド受け部２５と、ケーシング２０とを備えている。取付具３０は、レール１を相対移動不能に保持するレール保持部３１と、レール保持部３１が相対移動不能に保持しているレール１の長手方向に平行な方向に伸びるガイドバー４７と、を備えている。ガイド受け部２５は、無端研削平ベルト１１の平坦部１３が、レール保持部３１で保持されているレール１の長手方向に対して垂直な状態を維持しつつ、レール１の長手方向に往復移動可能に、ケーシング２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って改質領域を形成し（ステップＳ１０）、ウェハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェハＷを裏面から研削する（ステップＳ１２）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】分散安定性、優れた研磨特性及び優れた研磨の平坦化特性を同時に備える半導体用研磨剤の提供。
【解決手段】酸化セリウム砥粒、多糖類、水溶性有機高分子及び陰イオン性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上および水を含む半導体用研磨剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は研磨パッドの全面に研磨用液を安定供給することを課題とする。
【解決手段】研磨用液供給装置１００は、研磨用液を貯留する液貯留部１１０と、液貯留部１１０に研磨用液を補給する液補給部１２０と、両面研磨装置２００の上定盤２０１と下定盤２０２との間に研磨用液を供給する複数の液供給チューブ１３０とを有する。液貯留部１１０は、環状に形成された多重溝１４０と、多重溝１４０を支持する支持部材１６０とを有する。多重溝１４０は、内側溝部材１４２と、外側溝部材１４４とが同心円状に配されている。内側溝部材１４２及び外側溝部材１４４は、複数の液供給チューブ１３０を通して上定盤２０１に保持された上側研磨パッド３３０に連通される。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って予備改質領域Ｐ１を形成し、その後予備改質領域から略２０μｍ〜略４０μｍだけウェハＷ裏面側の位置にレーザー光を照射して本改質領域Ｐ２を形成する（ステップＳ１０）。これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。基準面までウェハＷを裏面から研削され（ステップＳ１２）、加工変質層が除去されてウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの断線を抑制するとともに、加工速度の低下を抑制する、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、砥粒が固着されたワイヤＷを単数列または複数列用いてインゴット１を切断することにより半導体基板を製造する方法であって、インゴット１を準備する工程と、ワイヤＷの延在方向に対して交差する方向ｙにワイヤを回転させながら、インゴット１を切断する工程とを備えている。切断する工程では、ワイヤＷを往復運動することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】インゴット全域にわたって厚さと形状の揃った単結晶サファイア基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ａ軸方向に引き上げてサファイアの結晶ブールを作製する工程と、結晶ブールからｃ面を端面とする円柱形状のサファイアインゴットを切り出す工程と、サファイアインゴットをｃ面に沿って切断し単結晶サファイア基板を切り出す工程と、を含むｃ面を主面とする単結晶サファイア基板の製造方法であって、サファイアインゴットへの切り込み方向が、引き上げ方向であるａ軸方向を０度方向とした場合に、５度±３度、１１０度±３度、１３０度±３度、１７０度±３度、１９０度±３度、２３０度±３度、２５０度±３度、３５５度±３度の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィレットローリング加工時にフィレットローラに欠けなどの破損が発生することを抑制可能なフィレットローリング加工装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】フィレットローリング加工装置（１００）は、フィレット溝部Ｆにフィレットローラ（５）を圧接しながら、クランクシャフトＳを回転することによりフィレットローリング加工を行う。特に、低圧力値でフィレットローラ（５）をフィレット溝部Ｆに圧接しながら、低回転速度でクランクシャフトＳを回転駆動することにより、フィレット溝部Ｆの表面上に存在する凹凸を平滑化した後に、フィレットローリング加工を行うように制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンベアウエハ、ガラス、化合物半導体基板およびハードディスク基板等において良好な鏡面を形成するために使用される仕上げ研磨パッドにおいて、研磨時の被鏡面研磨面のスクラッチ・パーティクル等の欠陥が少なく、かつ、被鏡面研磨面の表面粗さが小さくなる安定した研磨特性が得られる仕上げ研磨パッドを提供する。
【解決手段】異なる３種以上の層からなる研磨シートａとクッションシートｂを有する研磨パッドであって、前記研磨シートａの表層が湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタン層ｃであり、その他の層のいずれかが圧縮弾性率が０．０８ＭＰa以上０．２５ＭＰａ以下の発泡プラスチック層ｄであり、前記表層の多孔質ポリウレタン層ｃと前記発泡プラスチック層ｄとの間に厚み１０〜４５μｍのプラスチックフィルム（ｅ）が介在されてなる研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨する。
【解決手段】（Ａ）二価以上の無機酸と、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）保護膜形成剤と、（Ｄ）砥粒と、（Ｅ）酸化剤と、（Ｆ）水とを含み、（Ａ）成分の含有量が０．０８ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、（Ｂ）成分の含有量が０．２０ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、（Ｃ）成分の含有量が０．０２ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。（ｉ）（Ｃ）成分の含有量に対する（Ａ）成分の含有量の比率が２．００以上である。（ｉｉ）（Ｇ）有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 （もっと読む）

【課題】 一つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着して研削や研磨を実施する場合にも、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化可能な加工方法を提供することである。
【解決手段】 環状フレームＦに貼着された粘着テープＴの中心に第１ウエーハ１１を貼着し、複数の第２ウエーハ１３をその周りに貼着したウエーハユニット１５を形成する。チャックテーブル３６の回転軸から第２ウエーハ１３の最外周位置までの長さより大きい半径を有する研削ホイール２２の外周縁が第１ウエーハ１１の中心を通過するように、チャックテーブル３６と研削ホイール２２の位置関係を設定する。厚み測定器４６で第１ウエーハ１１の厚みを測定しながら第１及び第２ウエーハ１１，１３の研削を実施する。第１ウエーハ１１の厚みが所定厚みへ達した際に研削送りを停止することにより、全てのウエーハ１１，１３を所定の厚みへと研削することができる。 （もっと読む）

【課題】均一な磨き施工が困難な構造を有する原子炉用制御棒に対し、自動化した表面処理技術を提供する。
【解決手段】原子炉用制御棒の表面処理装置１０において、回転する研磨材３５を装着したツール３０と、原子炉用制御棒の表面に当接する研磨材３５の当接力を検知する検知手段２０と、前記当接力が所定範囲になるようにツール３０をその表面に走査させる架台１１と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）