【課題】目詰まり現象が起きにくいサンダを提供する。
【解決手段】上記の目的を達成するために、モータ２０と、モータ２０を収納するハウジング２と、モータ２０により駆動される揺動プレート１０と、モータ２０の回転軸２１の下端に固着された偏芯軸２３と、モータ２０の回転軸２１に固着されたホルダー２４と、ホルダー２４の周面に装着された磁石２５と、磁石２５の磁力を感じる磁気センサ３１をもった制御基板３０と、を備えたサンダにおいて、制御基板３０は、磁気センサ３１からの信号を基にフィードバック制御を行い、モータ２０の回転数を一定回転数としたことを特徴とするサンダ。 （もっと読む）

【課題】被研磨物を保持するワークキャリアと定盤との視認性を向上することにより、被研磨物をワークキャリアに設けられた保持孔にセットする作業性を向上できる基板の研磨装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る基板の研磨装置は、上面に第１の研磨体が配置された下定盤と、該下定盤の上方に上下動自在に支持され、下面に第２の研磨体が配置された上定盤と、第１，第２の研磨体間に配置され、ワークを保持可能な保持孔を有するワークキャリアと、上定盤及び下定盤を、軸線を中心として回転駆動する駆動装置と、ワークキャリアを回転駆動するワークキャリア駆動装置と、を具備し、第１の研磨体は、着色剤により着色されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨工程時間の増加を抑制しつつ、高平坦にウェーハを安定して研磨することを可能にし、歩留まりを向上できるインサート材及び両面研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨布が貼付された上下定盤の間にウェーハを挟んでその両面を研磨する両面研磨装置における、前記ウェーハを保持するためのキャリアの保持孔の楔状に形成された内周部に沿って配置され、前記保持孔の楔状に形成された内周部と嵌合する楔状外周部を有し、前記保持されるウェーハの周縁部と内周面で接する樹脂製のリング状のインサート材であって、前記楔状外周部の凸部に切り欠きが設けられたものであることを特徴とするインサート材。 （もっと読む）

【課題】切りくずが混入したときの粘度の上昇、及び、混入した切りくずによる設備の配管詰まりや固い固着の発生を抑制できる固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液を提供する。
【解決手段】（Ｃ）カルボン酸と、（Ｄ）水に溶解して塩基性を示す化合物と、（Ｅ）水と、を含み、２５℃における電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以上３０００μＳ／ｃｍ以下であり、２５℃におけるｐＨが５以上１０以下であり、平均粒子径１．５μｍのシリコン粉を１０質量％添加し撹拌して形成した擬似使用液の粘度が、２５℃で３０ｍＰａ・ｓ未満である、固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ光学基材用での成膜面における凹欠点の発生が抑制されたＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤１２，１４の研磨面でキャリア２０に保持されたガラス基板２２を挟持し、上定盤１２に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、上下定盤１２，１４と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させてガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）光学基材用ガラス基板２２の研磨方法であって、ＥＵＶＬ光学基材での成膜面が、下定盤１４の研磨面と対面するようにガラス基板２２を挟持ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。
【解決手段】ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ_２絶縁膜を形成させたＳｉウエハを、酸化セリウム粒子、分子量５０００〜２００００のポリアクリル酸アンモニウム塩および水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤で研磨する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板について、アルミナ砥粒を使用しない磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第１の研磨盤を用いて粉砕シリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、第２の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と含むことにより、アルミナ砥粒を使用することなく、この磁気記録媒体用基板の表面に対して良好な研磨処理を施すことができるため、従来のアルミナ砥粒を用いた場合に生じるアルミナ砥粒の磁気記録媒体用基板への突き刺さりを防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板の提供を目的とする。また、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の上下主平面を研磨する研磨工程において、ガラス基板を研磨する両面研磨装置の上定盤及び下定盤は、内周端と外周端のある円盤形状を有し、該外周端により形成される外径が０．６ｍ〜２ｍであり、下定盤は回転速度３３〜４９ｒｐｍで回転駆動し、上定盤は下定盤と反対方向に回転速度１０〜２１ｒｐｍで回転駆動し、ガラス基板を保持するキャリアは下定盤と同方向に速度２〜１６ｒｐｍで公転し、ガラス基板の両主平面を押圧する上定盤と下定盤の圧力は８．０〜１６．０ＭＰａである研磨方法を有することを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中にレベリング剤を添加することなく、砥粒のワイヤ本体への固着強度の向上及び砥粒による切削性能又は切断性能の向上を同時に図り得る固定砥粒ワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】メッキ液中において電極部材及びワイヤ本体を対向配置させた状態で前記電極部材が陽極となり且つ前記ワイヤ本体が陰極となるような正電解パルス電圧を印可し、その後に、前記電極部材が陰極となり且つ前記ワイヤ本体が陽極となるような逆電解パルス電圧を印可する処理を一周期とする反転パルス電圧の印可を繰り返すことで、砥粒群の少なくとも一部の砥粒の頂部が露出した状態で前記砥粒群を含む前記メッキ層を前記ワイヤ本体に電着させる。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に９〜２００のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、マレイン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、マレイン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨後の各ウェーハの厚みバラツキを低減することが可能な非公転式の両面研磨装置及び両面研磨方法を提供する。
【解決手段】両面研磨装置１は、下定盤１０及び上定盤２０を含む回転定盤と、回転定盤の中心部の周囲に設けられ、研磨対象のウェーハ２を保持する複数のキャリア３と、複数のキャリア３を定位置で自転させる自転機構３０と、キャリア３の自転位置を変更するキャリア移動機構とを備え、研磨工程の途中で研磨動作を一時停止し、キャリア移動機構によってキャリア３の自転位置を変更した後、研磨動作を再開する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、酢酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、酢酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、リンゴ酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、リンゴ酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】非晶質ガラス基板の研磨において、高い研磨速度で研磨でき、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの欠陥を低減でき、好ましくは、加えて低コストでガラスハードディスク基板を製造できる研磨液組成物の提供。
【解決手段】セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が４〜２０重量％であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比（セリア粒子／シリカ粒子）が５／９５〜３０／７０であり、ｐＨが４〜１２である、非晶質ガラス基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子、有機酸Ａ、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含んでおり、有機酸Ａは、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸ＡのｐＫａが９未満であり、有機酸Ａの含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である研磨液。 （もっと読む）