【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びそのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 １，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液。また、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び１．５以上２．５未満である砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】より良いトポグラフィー性能を達成するためのタングステンバフィング配合物として使用するための、新しいケミカルメカニカルポリッシング組成物及び方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物と、研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程において、生産性の向上、およびＣＭＰ特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第１ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第１研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第１ＣＭＰスラリーと異なる第２ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第２研磨を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】特に大きなサイズの基板を研磨する際、スラリー流量を減らすことなく、中央付近の研磨量を確保し背厚を低減して正常な研磨を行うとともに、スラリーの循環を良くすることで、研磨した基板の成分が基板の被研磨面に再付着することを抑制する。
【解決手段】一辺の長さが１０００ｍｍ以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドは、前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。
【解決手段】銅を含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること；研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】良好な研磨速度を確保しつつ、研磨傷の発生数を劇的に低減することが可能なＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤及び水を含有する、ｐＨが４以下のＣＭＰ用研磨液において、砥粒の二次粒子径を１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下にすると共に、光散乱法及び光遮光法を用いて測定される粒度分布がそれぞれ、粒子径が０．５６μｍ以上、０．６４μｍ未満の粒子数を１０００個／ｍｌ未満、及び粒子径が０．６４μｍ以上、０．７９μｍ未満の粒子数を６００個／ｍｌ未満になるようにする。 （もっと読む）

【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいＩＩＩ窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶体を準備する工程Ｓ１と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてＩＩＩ族窒化物結晶体をスライスすることによりＩＩＩ族窒化物結晶基板を作製する工程Ｓ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い研磨レートと高い面内均一性とを同時に満足する研磨パッドを提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの１４倍〜１３０倍であることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズに対する研磨効率を向上させつつ研磨工具の消耗を抑えるプラスチックレンズの研磨方法、それに用いられる研磨工具、及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】加水分解可能な樹脂を含有するプラスチックレンズに対してアルカリによる加水分解を行うのと同時に、前記プラスチックレンズを研磨することを特徴とするプラスチックレンズの研磨方法。但し、研磨に用いられる研磨工具は耐アルカリ性を有し、且つ、前記研磨工具における、前記プラスチックレンズとの接触部には、加水分解された化合物のうちの少なくとも一部と水素結合可能な化合物が使用されている。 （もっと読む）

【課題】特定の研磨パッドおよび特定の化学機械研磨用水系分散体を使用して化学機械研磨を行うことにより、従来よりも優れたパフォーマンス（高研磨速度、高平坦化、スクラッチ抑制等）を達成できる化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを定盤に固定し、前記研磨パッドの研磨層に化学機械研磨用水系分散体を供給しながら前記研磨層に半導体基板を接触させて研磨する化学機械研磨方法において、前記化学機械研磨用水系分散体が、（Ａ）長径ａ（Ｒｍａｘ）と短径ｂ（Ｒｍｉｎ）との比率（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）が１．１以上１．５以下であるシリカ粒子と、（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物と、を含み、前記研磨層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較してスクラッチが入りにくく、また、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 重量平均分子量が１，０００ 〜２００，０００である中和塩（ＡＢ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ用研磨材等の研磨材として好適な異形シリカゾルを提供する。
【解決手段】本異形シリカゾルは、動的光散乱法の測定により得られた平均粒子径（ｒ）と窒素吸着法により測定された平均比表面積から算出した等価球換算粒子径（ｒ′）の比（ｒ／ｒ′、以下「会合比」と称する。）が１．２〜１０の範囲にあり、等価球換算粒子径（ｒ′）が５〜２００ｎｍの範囲にあり、比表面積が１３〜５５０ｍ^２/ｇの範囲にあって、形状が不均一な異形シリカ微粒子が溶媒に分散した異形シリカゾルであって、該異形シリカ微粒子の含有するＣａおよびＭｇの割合（酸化物換算）が、ＳｉＯ_２分に対してそれぞれ１０００ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】主平面の研磨工程での研磨パッドの目詰まりを抑制して、ドレス処理の頻度を低減するとともに研磨速度を安定させ、主平面の平滑性に優れ、異なるロットのガラス基板間の板厚のばらつきが小さい磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研磨工程と、洗浄工程とを備え、前記主平面研磨工程は、前記ガラス基板の主平面を両面で５μｍ以上の研磨量で研磨する粗研磨工程を有する。そして、前記粗研磨工程では、気泡を含有し、研磨面に開口する前記気泡の平均直径が８０〜３００μｍであり、かつ１．１〜２．５％の圧縮率を有する研磨パッドと、砥粒を含有する研磨液を用いて主平面を研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、前記研磨液中の砥粒の全重量に対する、前記Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であり、前記研磨工程における加工圧力が１２０ｇ／ｃｍ^２〜１６０ｇ／ｃｍ^２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が−５５ｍｖより小さく−１００ｍｖ以上であることを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドの貼り換え作業を行うことなく、研磨パッドの表面に紫外線硬化樹脂からなる膜を薄く均一に形成することができる研磨パッド用表面処理剤及び研磨パッド製造装置を提供する。
【解決手段】 紫外線硬化樹脂を溶剤に分散させた分散液からなる研磨パッド用表面処理剤３を回転自在な定盤１２に取り付けられた基材４上に均一に塗布するための表面処理剤塗布部１３と、塗布された前記基材４上の研磨パッド用表面処理剤３に対して紫外線を均一に照射する紫外線照射部１４と、を備える研磨パッド製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）