【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の極細繊維からなる研磨布ではなし得なかった、表面粗さが低く、動摩擦係数が小さい高性能の研磨布を提供する。
【解決手段】平均単繊維直径０．０５〜５．０μｍの極細繊維を含む繊維構造体であって、その繊維構造体の表面粗さが１〜２０μｍであり、動摩擦係数が０．１〜１．０であることを特徴とする研磨布であり、その繊維構造体の少なくとも一部に、１０〜３０００ｐｐｍの珪素化合物が存在し、その繊維構造体の少なくとも片側の表面に、極細繊維からなる立毛を有するものである。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、ポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物、及び（Ｄ）中空微小球体を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、連続気泡を有するポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長時間の研磨により高温になる場合であっても研磨層と支持層との間で剥離しにくい長寿命の積層研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層研磨パッドは、研磨層と支持層とが接着部材を介して積層されており、前記接着部材は、ポリエステル系ホットメルト接着剤を含む接着剤層、又は基材の両面に前記接着剤層を有する両面テープであり、前記ポリエステル系ホットメルト接着剤は、ベースポリマーであるポリエステル樹脂１００重量部に対して、１分子中にグリシジル基を２つ以上有するエポキシ樹脂を２〜１０重量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨対象物の表面にスクラッチを生じさせ難く、かつドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、無発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有しており、前記無発泡ポリウレタン樹脂は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、独立気泡を有するポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）キノリンカルボン酸および／またはピリジンカルボン酸、（Ｃ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｄ）酸化剤、（Ｅ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および（Ｆ）分散媒を含有し、前記（Ａ）砥粒が、平均一次粒子径が５〜５５ｎｍかつ会合度が１．９〜４．０のコロイダルシリカである。
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【課題】本発明は、半導体ウェハの両面研磨方法に関する。
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも１つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に４５０ｍｍの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨時における研磨ロール自体に起因する異物の発生を低減し、研磨ロールから剥離した異物により発生する異物欠陥を低減することができるトップロール研磨装置を提供する。
【解決手段】連続溶融金属メッキラインに設けられたトップロール８の表面を研磨ロール１１で研磨するトップロール研磨装置（ポリッシャー）１０において、研磨ロール１１として、研磨ロール１１の直径Ｄに対する研磨ロール１１の羽長さ（研磨布１１ｂの長さ）Ｌの比である羽長さ比Ｒが０．１５以下である形状を有するものを適用する。また、コントローラ２０によって、研磨ロール１１の回転速度が１９ｍ／ｓ以上となるように駆動モータ１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を維持しながら、エロージョン及びシームの発生を抑制し、被研磨面の平坦性が高い金属膜用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】金属用研磨液において、砥粒、メタクリル酸系ポリマ及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】被研磨物のスクラッチ傷の発生を防止し、耐摩耗性を有する被研磨物保持材を提供すること。また、化学的機械研磨加工に使用されて使用済みとなった被研磨物保持材を使用前の形態に復元してリサイクルすることが可能な被研磨物保持材を提供すること。
【解決手段】上記課題は、本発明の繊維強化樹脂層と、前記繊維強化樹脂層の少なくとも一方の面に樹脂層とを有する被研磨物保持材であって、
前記樹脂層が、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の条件における研磨速度が５０μｍ／ｈ以下であることを特徴とする被研磨物保持材により達成される。
（Ａ）面圧：７００ｇｆ／ｃｍ²（Ｂ）テーブル回転数：４０ｒｐｍ（Ｃ）チャック回転数：４０ｒｐｍ（Ｄ）研磨液：粒径７０ｎｍ以上、ｐＨ１２、固形分濃度：５％のコロイダルシリカ（Ｅ）研磨液流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ（Ｆ）研磨時間：６０ｍｉｎ。 （もっと読む）

【課題】凝集安定性に優れ、粗大粒子を含まない、磁性を有するダイヤモンド粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】爆射法で得られたダイヤモンド微粒子と、前記ダイヤモンド微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する磁性体とからなる磁性ダイヤモンド微粒子であって、前記ダイヤモンド微粒子が、酸化処理されたものであることを特徴とする磁性ダイヤモンド微粒子。 （もっと読む）

【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が０．９０〜０．９５質量％、ケイ素濃度が０．１２〜０．３２質量％以下、マンガン濃度が０．４０〜０．９０質量％以下、リン濃度が０．０２５質量％以下、イオウ濃度が０．０２５質量％以下および銅濃度が０．２０質量％以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が０．０７ｍｍ以上０．１６ｍｍ未満で、ワイヤの引張破断強度が４２００Ｎ／ｍｍ²より高く、ワイヤのカール径が４００ｍｍ以上のソーワイヤ２２を用いて、ソーワイヤに破断張力の５０％以上６５％以下の張力をかけて、ＩＩＩ族窒化物結晶体３０をスライスする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、加工物からウェハをスライスするためのワイヤソーのためのワイヤスプールに関する。
【解決手段】固定的に接合された砥粒でコーティングされたソーイングワイヤ７が、ワイヤスプール１に単層状の態様において巻付けられる。この発明はシングルカットワイヤソーおよびマルチプルワイヤソーに適用可能である。 （もっと読む）