【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】耐磨耗性及び耐久性に優れるとともに、研磨中にウエハを傷つけることがなく、かつ、環境負荷が小さい研磨装置用ワークピース保持リングを提供すること。
【解決手段】ポリグリコール酸樹脂から形成された研磨装置用ワークピース保持リングＲであって、ロックウェル硬度が１００以上であることを特徴とする研磨装置用ワークピース保持リング。 （もっと読む）

【課題】高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を用いる。窒素化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】細線で高強度化と剛性を高めるとともに、疲労破断の抑制並びに耐食性向上による長寿命化を図り得るソーワイヤーとその製造方法を提供すること。
【解決手段】脆性材料の切断に用いられるソーワイヤーのための金属細線で、質量％で、Ｃ：０．０５〜０．１５％、Ｓｉ：０を超え２．０％以下、Ｍｎ：０を超え３．０％以下、Ｎｉ：５．５〜９．５％、Ｃｒ：１５．０〜１９．０％を含み、又は更にＮ：０．０１〜０．３０％を含むとともに、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃ，Ｎの相関式のＨ値が１．５〜６．２で、残部Ｆｅ及び不可避不純物により構成された、等価線径ｄが０．７ｍｍ以下のオーステナイト系ステンレス鋼細線でなり、そのマトリックス中に容積比で６５〜９７％の加工誘起マルテンサイトと残オーステナイトを備えるとともに、０．２％耐力（σ_０．２）が２２００〜２８００ＭＰａの高弾性特性のソーワイヤー用の高強度金属細線。 （もっと読む）

【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とエッチング剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも１種である。エッチング剤は、酸からなる。 （もっと読む）

【課題】高性能配線板等の厚い銅膜の研磨で必要な研磨速度を維持しながら、バリア層の研磨速度の充分な抑制を可能とする金属用研磨液及び当該金属用研磨液を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属用研磨液は、有機酸、無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤及び水を含み、有機酸は、カルボキシル基を２つ有しかつｐＫａが２．７以下である有機酸、及びカルボキシル基を３つ以上有する有機酸の少なくとも一方であり、砥粒は、表面がスルホン酸基又はフェニル基で化学修飾されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板積層体の外周端面に研磨ブラシを押し当ててもたわまず、均一にガラス基板積層体の外周端面を研磨できる支持治具を提供すること。
【解決手段】中心部に円形孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板を、複数枚支持する支持治具であって、前記支持治具は、前記円形孔に挿入されて複数枚の前記磁気記録媒体用ガラス基板の位置を合わせる支持軸を有し、前記支持軸は、ヤング率が１５０ＧＰａ以上である、支持治具。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥（ＣＯＰ）数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が０．０１以上０．３質量％未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が０．１以上１．２質量％以下であり、前記シリカの一次粒子径が１８ｎｍ以上である研磨剤を用いて、前記ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨するとともにバリア膜の研磨速度を抑制することが可能であり、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨においても、良好な仕上がりと充分な生産性を確保できる銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）二価以上の無機酸と、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）保護膜形成剤と、（Ｄ）砥粒と、（Ｅ）酸化剤と、（Ｆ）水とを含み、（Ａ）成分の含有量が０．０８ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｂ）成分の含有量が０．２０ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｃ）成分の含有量が０．０２ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｄ）成分の平均粒径が１００ｎｍ以上であり、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。
（ｉ）（Ｃ）成分の含有量に対する（Ａ）成分の含有量の比率が２．００以上である。
（ｉｉ）（Ｇ）有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 （もっと読む）

【課題】揺動角度が大きくなっても、ワイヤの撓みを抑制することができ、バランスよく切断できるワイヤソー装置等を提供する。
【解決手段】走行しながら揺動する切断用ワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて被加工物Ｗを切断するワイヤソー装置１である。揺動するワイヤガイド支持部４に配置され、各々が回転する一対のワイヤガイド２、これらワイヤガイド２の周囲に螺旋状に巻き付けられる１本の切断用ワイヤ３の巻き出し及び巻き取りが可能なワイヤ供給装置６及びワイヤ巻取装置７、変位して被加工物Ｗを切断用ワイヤ３に押し付けるワーク保持部５０、制御装置８を備える。制御装置８が、ワイヤガイド支持部４の揺動角度の変化に反比例してワーク保持部５０の変位速度を制御する変位制御手段８ａや、ワイヤガイド支持部４の揺動角度の変化に反比例してその揺動速度を制御する揺動制御手段８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】優れた研磨レートで高い平坦性を維持することを実現するための研磨布及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均断面積４０〜４００μｍ²の極細繊維束を含む不織布と、不織布に含浸付与された架橋ポリウレタン弾性体とを含み、架橋ポリウレタン弾性体は、特定の研磨スラリーに対する質量膨潤率が０．２〜６質量％である、研磨布である。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】研磨ブラシを用いることなく、外周面取り部と外周側面部とを均一かつ安定的に研磨する方法を提供すること。
【解決手段】中央部に円形孔を有する複数の円盤形状ガラス基板を、前記円形孔の位置をあわせて重ね合わせてガラス基板積層体を形成し、該ガラス基板積層体の前記円形孔に貫通して前記ガラス基板積層体を支持する支持棒を有する容器内にガラス基板積層体を固定する、積層体形成工程と、前記ガラス基板積層体の外周端面と前記容器の内壁との間の空間に、砥粒を含む研磨液を封入する、研磨液封入工程と、前記研磨液が前記外周端面に接触するように、前記研磨液が封入された前記容器を振とうして前記外周端面を研磨する、研磨工程と、を含む、ガラス基板の外周端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】
ガラスに対して高い研磨速度を持ち、研磨することによる傷も発生しない、安価な遊離砥粒研磨用研磨剤を提供すること。
【解決手段】
平均２次粒子径が１から３μｍであり、２次粒子径１０μｍ以上が無く、２次粒子形状が球状又は等軸状である砥粒であり、造粒したＭｎ_３Ｏ_４を温度８００℃から１０００℃で焼成させたものであるＭｎ_２Ｏ_３砥粒からなる遊離砥粒研磨用研磨剤はガラスに対して高い研磨速度を有し、研磨による傷発生も無いことから、ガラスに対する研磨性能に優れる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）