【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを下げることなく、研磨液の使用量を削減できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの表面に研磨液を供給しながら、研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法において、研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係、及び研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係を予め求めておき、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨レートの方が研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨レートよりも高くなるように、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら、高い研磨レートが得られるように、研磨パッドの表面に研磨液を継続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面の研磨において、上側研磨パッドへのガラス基板の張り付きを防止するとともに、ガラス基板のリーチング痕を防止し、主平面の面内における均一な平滑性に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の形状付与工程と、ガラス基板の主平面研磨工程と、洗浄工程とを有し、主平面研磨工程において、研磨パッドの研磨面の実効面積率（（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００）を、上側研磨パッドにおいて７５〜９８％とするとともに、下側研磨パッドにおいて９９％以上（より好ましくは１００％）とする。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】 復元性に優れ長期使用でも「へたり」が少なく、研磨対象物の装着にエアーが残留することがなく、研磨対象物との吸着性が良好で、軽くて取り扱い易いバッキング材を提供する。
【解決手段】 定盤に固定し研磨対象物を保持するバッキング材において、５０％圧縮時の応力が０．０２〜０．１３ＭＰａである樹脂発泡体Ａの片面に、長径が７μｍ以下の微細な開孔を有する連続通気型発泡ウレタンシートＢを貼着し、樹脂発泡体Ａの他片面で定盤に固定し、連続通気型発泡ウレタンシートＢの片面で研磨対象物を保持する。 （もっと読む）

【課題】シリコンベアウエハ、ガラス、化合物半導体基板およびハードディスク基板等の高精度研磨特性が得られる仕上げ研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨シートａとクッションシートｂを有する研磨パッドであって、研磨シートａは湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタンシートまたは不織布内部にポリウレタンを主成分とした溶液を含浸させ後に湿式凝固法でポリウレタンを凝固させた状態で不織布内部に含有させたポリウレタン含浸不織布であり、クッションシートｂは多孔質架橋ポリウレタンシートであり、その多孔質架橋ポリウレタンシートの圧縮弾性率が０．０５ＭＰa以上０．２０ＭＰａ以下で、かつ５分後回復率と１分後回復率の比率が１．０４以上であり、研磨シートａとクッションシートｂとの間にプラスチックフィルムｃが介在されてなる研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】セリウムのみに依存しない新たな研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成物式（１）で表される酸化物を研磨材料として用いる。
Ａ_y（Ｆｅ_1-zＢ_z）Ｏ_x （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ及びＳｒからなる群から選択される１種又は２種以上を示し、Ｂは、Ｃｏ及びＮｉから選択される１種又は２種以上を示し、２．５≦ｘ≦３，０．６≦ｙ＜１であり、０≦ｚ＜１である。） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブル（１１）に支持され回転している研磨布（１２）に半導体基板（１４）上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォーム（１５）を供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の０．０１〜２０質量％の研磨粒子および総量の０．１〜１０質量％の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。 （もっと読む）

【課題】スラリーの供給と廃液の排出がバランス良くコントロールされた、ウエハの平坦性向上および研磨レートの安定化が達成された織物からなる研磨層を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨層１と支持層３を積層してなる研磨パッドであり、該研磨層１の目開きが５０〜２００μｍで厚みが１００μｍ以下の織物６からなり、該支持層３に溝５が形成されており、該溝５が研磨面と連通することを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する工程の後に、ガラスに付着した該セリウム系研磨剤を、熱濃硫酸を用いることなく、且つ洗浄に対する高度の要求を満たすように洗浄する工程を含むガラスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ランタンを含むセリウム系研磨剤でガラスを研磨する研磨工程とその後に洗浄液で該ガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該ランタンを含むセリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であり、かつ該洗浄液がアスコルビン酸およびエリソルビン酸の少なくとも一方を含む洗浄液であるガラス製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は研磨用キャリアを構成する繊維からガラス基板を保護することを課題とする。
【解決手段】研磨用キャリア２０Ａは、繊維質シート体３０と、シート体３０に含浸される樹脂製含浸体４０とを積層した複合材料により成型される。繊維質のシート体３０は、繊維３２と樹脂製含浸体４０とを積層してなり、繊維３２の繊維質シート体３０を複数枚積層したものである。研磨用キャリア２０Ａは、樹脂材料のみにより形成された保持穴緩衝領域５０と、繊維質シート体３０と樹脂製含浸体４０により形成された保持穴補強領域６０とを有する。保持穴緩衝領域５０は、ガラス基板保持穴２１の内周壁面２５に複数の凹部２６が配されており、繊維が存在しないため、弾性変形しやすい。また、凹部２６は、内周壁面２５から外側の所定距離の範囲Ｌａ内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを確実にソーワイヤ素線に固着できるダイヤモンドソーワイヤの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面にめっき金属が覆われ、めっき金属にダイヤモンド粉が付着しているソーワイヤを製造する方法であって、磁石に吸着する材料を付着したダイヤモンド粉を用意する工程と、第１の金属めっきをした、磁化可能な材料からなるソーワイヤ素線を磁化する工程10と、前記ダイヤモンド粉を、磁化した前記ソーワイヤ素線に磁力で吸着させる工程20と、ダイヤモンド粉を吸着したソーワイヤ素線の第１の金属めっきを、めっき金属の融点より５℃低い温度から融点より５℃高い温度範囲内で加熱する工程30と、加熱後の第１の金属めっきにダイヤモンド粉をめり込ませる工程40と、ダイヤモンド粉がめり込んだソーワイヤ素線を冷却する工程50と、脱磁処理する工程60と、を具備したダイヤモンドソーワイヤを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保すること。
【解決手段】ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備える。研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とを設ける。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とし、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率を８０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、高硬度性、機械物性に優れる研磨パッドを形成でき、かつ、適度なポットライフを有する研磨パッド用ウレタン樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 ポリオール（Ａ）と、ポリイソシアネート（Ｂ）と、を反応させて得られるイソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（１）と、芳香族アミン化合物（２）と、を含有する研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、
前記ポリイソシアネート（Ｂ）が、イソホロンジイソシアネート（Ｂ−１）と、キシリレンジイソシアネート又は水添キシリレンジイソシアネート（Ｂ−２）と、を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】絡合不織布と高分子弾性体とを含む耐摩耗性及び研磨レートを向上させた研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、極細繊維の絡合不織布と、絡合不織布の内部に含浸された、高分子弾性体と無機粒子との複合体とを含み、複合体が無機粒子を１〜５０質量％含むことを特徴とする。無機粒子としては、平均粒子径５０〜４５０ｎｍの無機酸化物粒子が好ましい。無機粒子としては、シリカ粒子が好ましい。高分子弾性体としては、無孔質ポリウレタン樹脂が好ましい。 （もっと読む）

【課題】高さが数十ｎｍ、大きさが数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性（接触角）は、θ／２法で測定したとき２０°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の平坦度を高めてその品質の向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１の研磨面１ａに、バフ加工等の機械的加工を施して、平坦性を改善し、前記研磨面のうねりが、周期５ｍｍ〜２００ｍｍであって、最大振幅４０μｍ以下とし、これによって、当該研磨パッド１を用いて研磨されるシリコンウェハ等の被研磨物の平坦度を向上させるようにしている。 （もっと読む）