【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が０．９０〜０．９５質量％、ケイ素濃度が０．１２〜０．３２質量％以下、マンガン濃度が０．４０〜０．９０質量％以下、リン濃度が０．０２５質量％以下、イオウ濃度が０．０２５質量％以下および銅濃度が０．２０質量％以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が０．０７ｍｍ以上０．１６ｍｍ未満で、ワイヤの引張破断強度が４２００Ｎ／ｍｍ²より高く、ワイヤのカール径が４００ｍｍ以上のソーワイヤ２２を用いて、ソーワイヤに破断張力の５０％以上６５％以下の張力をかけて、ＩＩＩ族窒化物結晶体３０をスライスする。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いずとも、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、光学材料からなる光学部品を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】光学材料を、研磨液を用いて研磨する研磨工程を含む光学部品の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の研磨砥粒濃度が０．００５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする光学部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機械的発泡法により得られるポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、イソシアネート成分、高分子量ポリオール、及び下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーと、鎖延長剤とを含むポリウレタン原料組成物の反応硬化体であり、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン原料組成物中に１〜５重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドの研磨に用いられる研磨盤であって、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物を５０体積％以上含み、押し込み硬度が５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上である材料からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であり、酸化物としてはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ及び、Ｚｒからなる群より選ばれた１つ以上の元素の酸化物を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１であるＧａＮ結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）

【課題】遊離砥粒および固定砥粒の双方を用いてワーク切断能力（切れ味）を向上させてワーク切断を早くする。
【解決手段】固定砥粒２３と遊離砥粒２１の双方を用い、遊離砥粒２１の平均砥粒外径が、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均砥粒外径以下であるかまたは、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均突き出し量以下の規定範囲であるため、遊離砥粒２１が固定砥粒２３による切断を阻害することなく、固定砥粒２３が主体となってワーク７に対して遊離砥粒２１と固定砥粒２３の双方が確実に作用するようにワーク切断を行う。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】ダマシン法においてバリア膜を研磨するためのＣＭＰ研磨液であって、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド材料を高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド材料研磨用の用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であって、少なくとも研磨盤の研磨面がダイヤモンド粒子と結合材とからなり、隣接するダイヤモンド粒子が互いに結合して連続した構造を有しており、前記結合材は、Ｎｉ，Ｃｏ，及びＦｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の炭化物を含むダイヤモンド焼結体からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して１〜１０重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】精密機器に用いられる基盤やレンズ、液晶ガラス等における研磨加工時に剥がれが少なく安定生産ができ、かつ圧縮弾性率が低く被研磨面の高い平坦性を得られる研磨用吸着パッド素材とその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、高分子弾性体（Ａ）からなる接着層と、架橋剤を含有しかつ多孔の高分子弾性体（Ｂ）からなる表面層とが、順に存在する研磨用吸着パッド素材。さらには、架橋剤がイソシアネート系架橋剤であることや、圧縮時の圧縮変形量が多孔層上部よりも多孔層下部において大きいこと、高分子弾性体（Ｂ）の１００％伸張モジュラスが２〜５ＭＰａであること、架橋剤がブロックイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。また研磨用吸着パッド素材の製造方法は、基材上の高分子弾性体（Ａ）からなる接着層上に、架橋剤を含有する高分子弾性体（Ｂ）からなる処理液を塗布し、湿式凝固することを特徴とする。さらには、架橋剤が末端封鎖されたものであり湿式凝固後に熱処理を行うことや、湿式凝固表面を熱プレス処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、ｐＨが酸性領域にあるＣＭＰ研磨液であって、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも多数の切削加工を連続して行えるようにドリルの加工を行うためのドリル研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明のドリル研磨装置は、すくい面を含むドリル切刃とこのドリル切刃と連なるチゼル切刃とが形成されたドリルを、回転する砥石１の研磨面に当接させることにより研磨加工する。研磨面は、前記ドリル切刃を研磨するためのドリル切刃研磨面１１と、ドリル切刃研磨面１１に連通して形成された逃げ面１２とを有する。ドリル切刃研磨面１１と逃げ面１２とのなす傾斜角が２０度〜２６度の範囲内であり、逃げ面の長さが１．１［ｍｍ］以上である。回転するドリル切刃研磨面１１にドリル切刃が当接され、逃げ面１２にドリルのすくい面及びチゼル切刃が当接されることで、ドリル切刃とチゼル切刃とのなす角度を１５４度〜１６０度の範囲内に形成する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、ウエハ上の絶縁膜に形成された孔または溝に銅または銅合金を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰の銅または銅合金を除去することによって配線を形成する手法に用いる化学機械研磨用水系分散体であって、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカと、水と、過酸化水素と、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも１種と、を含有し、前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび前記ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの合計量が０．００２質量％以上１質量％未満であり、ｐＨが７．５以上９．０以下である （もっと読む）

【課題】 金平糖状という特異な形状をしたシリカ系微粒子が溶媒に分散してなる金平糖状シリカ系ゾルを提供する。
【解決手段】 球状シリカ系微粒子の表面に複数の疣状突起を有する微粒子であって、ＢＥＴ法またはシアーズ法により測定された比表面積を（ＳＡ１）とし、画像解析法により測定された平均粒子径（Ｄ２）から換算した比表面積を（ＳＡ２）としたときの表面粗度（ＳＡ１）／（ＳＡ２）の値が、１．７〜１０の範囲にあり、画像解析法により測定された平均粒子径（Ｄ２）が７〜１５０ｎｍの範囲にある金平糖状シリカ系微粒子が溶媒に分散してなる。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は８０μｍ以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は４００個／ｍｍ^２以上である固定砥粒ワイヤ。 （もっと読む）

【課題】 ニードルパンチ方式に比べて短時間で製造できるとともに短繊維で研磨面を形成可能な研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ等の板状物を研磨する研磨パッドであって、基材と、基材上に繊維が静電植毛によって配設された研磨層とから構成される。好ましくは、繊維は親水性繊維から構成され、繊維の長さは１ｍｍ以下の短繊維である。 （もっと読む）

【課題】シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足さする化学機械研磨用分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）Ｎ−ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、ｐＨが２以上８以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するＣＭＰ技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基、−ＯＳＯ_３Ｈ基、−ＰＯ_４Ｍ_２基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基（式中、ＭはＨ、ＮＨ_４、Ｎａ及びＫから選択されるいずれか一種、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示す。）から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、ｐＨが４．５〜７．０であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して０．０１〜０．３０質量％であるＣＭＰ研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びそのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 １，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液。また、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び１．５以上２．５未満である砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である、研磨方法。 （もっと読む）