【課題】外周面に段差を有するワークにおいても効率よくローラバニシング加工を行うことができるバニシングツールを提供する。
【解決手段】バニシングツール１は、バニシングローラ２をフレーム３の先端に、回動可能に軸支してなる。バニシングローラ２は、一方側端面２３１と外周面２２との間に一方側加工角部２１１を有し、他方側端面２３２と外周面２２との間に他方側加工角部２１２を有している。外周面２２には、一方側外周面２２１と他方側外周面２２２とが形成してある。一方側加工角部２１１と他方側加工角部２１２とは、バニシングローラ２の軸線方向において、所定の間隔を介して設けてある。一方側加工角部２１１の最大外径は、他方側加工角部２１２の最大外径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス体を傷つけるのを抑制しつつ、デブリを効果的に除去すること。
【解決手段】粒径が１μｍ以下の微粒状体を含有する含有液を保持した多孔質体８４を一方の面５０ｂに押し当てながら、ガラス体６０および多孔質体８４を、一方の面５０ｂに沿う面方向に相対的に移動させるデブリの除去方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】小さくても研磨力が高く、かつ長期間使用しても研磨力が低下し難い研磨用メディア、かかる研磨用メディアを効率よく製造し得る研磨用メディアの製造方法、および、ムラなく効率的に研磨を行うことができる研磨方法を提供すること。
【解決手段】研磨用メディア１は、バレル研磨に使用されるものであり、金属組織とセラミックス組織とが混在した焼結体で構成されている。このような研磨用メディア１は、金属粉末とセラミックス粉末との混合粉末を、射出成形法により成形し、得られた成形体を焼結して製造されたものであることが好ましい。また、セラミックス組織は酸化アルミニウムで構成されていることが好ましく、金属組織はタングステンで構成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア単結晶基板などのＡｌを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる研摩処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、２０℃での水に対する溶解度が０．１ｇ／１００ｇ−Ｈ_２Ｏ以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリーに関する。本発明における無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】それを用いて研磨対象物を研磨した場合に、研磨速度が速く、スクラッチ（線状痕）が少ない研磨剤の提供。
【解決手段】固体酸量または固体塩基量が０．０１ｍｍｏｌ／ｇ以上であり、平均粒子径が２μｍ以下である無機酸化物微粒子が分散媒に分散している、ｐＨが８．０〜１１．５である研磨剤。 （もっと読む）

【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式Ｉ（式中、Ｒは、水素及びＣ_1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
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【課題】アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０〜１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０〜６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）研磨用の研磨組成物およびそれを用いたＴＳＶウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子、および溶媒を含んでいる。この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、ＴＳＶウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスセラミックチップのチッピング及び飛散を抑制することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラスセラミックチップを具備するセラミック電子部品の製造方法であって、台座２に貼り付けた粘着シート４上に固定したガラスセラミック基板６の片面のみに、刃先がテーパー状である第一ダイシングブレード８を用いてＶ字形の溝１２を形成する工程と、刃幅が溝の幅よりも小さい第二ダイシングブレードを、粘着シート４上に固定されたガラスセラミック基板６の溝１２内に当接させて、ガラスセラミック基板６を完全に切断して、ガラスセラミックチップを形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集・沈降を大幅に抑制することができ、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応できるＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】希釈液又は添加液と混合することでＣＭＰ研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が６である有機溶媒を、スラリ全質量１００質量部に対して１０質量部以上含有し、シラノール基密度が５個／ｎｍ^２以下のシリカ粒子をスラリ全質量１００質量部に対して８質量部以上含有してなる、スラリ。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するＣＭＰ技術において、被研磨膜の酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び／又はその塩と、水とを含有する研磨液。被研磨膜が形成された基板の被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧した状態で、酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び／又はその塩と、水とを含有する研磨液を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ワーク側面のワイヤ切入り部で飛散し、ワーク保持部の側面からの落下してくるスラリによって、切断されてウエーハ状になったワークの部分が蛇腹運動することを防ぎ、スライスされたウエーハのＷａｒｐを改善することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】少なくとも、複数の溝付きローラに巻掛けされ、軸方向に往復走行するワイヤと、スラリを供給するノズルと、当て板と該当て板を保持するワークプレートを介して、ワークを保持しつつワイヤへ送るワーク送り装置を具備し、ノズルからスラリを供給しつつ、ワーク送り装置により保持されたワークをワイヤに押し当てて切り込み送りし、ウエーハ状に切断するワイヤソーであって、前記ワーク送り装置はワーク保持部を有し、該ワーク保持部の下端面の最大幅が、切断されるワークの幅よりも大きいワイヤソー。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び絶縁層を優れた研磨速度で研磨することが可能な半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液は、セリア粒子及びシリカ粒子を含む砥粒と、第１酸解離定数が７以下である化合物と、塩基性化合物と、を含有する。本発明の一実施形態に係る半導体基板の研磨方法は、表面１ａのみに開口した中空部３ａが形成された基板本体１と、中空部３ａ内に配置された、ＴＳＶ（貫通電極）７ａとなるべき導電部材７と、中空部３ａ内において基板本体１及び導電部材７の間に配置された絶縁層５と、を備える半導体基板４００の基板本体１及び絶縁層５を、前記半導体基板用研磨液を用いて裏面１ｂ側から研磨して導電部材７を裏面１ｂ側に露出させ、ＴＳＶ７ａを有する貫通電極構造を形成する研磨工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、ワイヤーソー用ローラにおいて、円筒状外層体を芯材から容易且つ確実に離脱することができ、容易且つ低コストでリサイクルできるワイヤーソー用ローラを提供することである。
【解決手段】本発明は、略円柱状の芯材、上記芯材の外周面に外嵌されるウレタン系樹脂製の円筒状外層体、及び芯材と円筒状外層体との間に介在される接着層を備え、上記接着層が、芯材との接着力よりも円筒状外層体との接着力の方が大きいワイヤーソー用ローラである。また、上記接着層が、少なくともポリオール成分とイソシアネート成分とを含む反応性接着剤から構成されているワイヤーソー用ローラである。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、ｐＨが３以下であり、酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】圧力損失の増大や、膜の閉塞による回収率の大幅な低下を抑制しながら、研磨剤が高濃度に濃縮されたスラリーを回収可能な研磨剤の回収装置および研磨剤の回収方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ工程で使用された使用済み研磨スラリーから研磨剤を回収する装置であって、前記使用済み研磨スラリーが導入される孔道が円筒状で、かつ有効濾過部の長さが０．８ｍ以下である分離膜４１を有しており、前記使用済み研磨スラリーの研磨剤濃度を、１０質量％以上の濃度に濃縮する研磨剤の回収装置１。 （もっと読む）

【課題】目詰まり現象が起きにくいサンダを提供する。
【解決手段】上記の目的を達成するために、モータ２０と、モータ２０を収納するハウジング２と、モータ２０により駆動される揺動プレート１０と、モータ２０の回転軸２１の下端に固着された偏芯軸２３と、モータ２０の回転軸２１に固着されたホルダー２４と、ホルダー２４の周面に装着された磁石２５と、磁石２５の磁力を感じる磁気センサ３１をもった制御基板３０と、を備えたサンダにおいて、制御基板３０は、磁気センサ３１からの信号を基にフィードバック制御を行い、モータ２０の回転数を一定回転数としたことを特徴とするサンダ。 （もっと読む）

【課題】アルミナ突き刺さりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が５〜６０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０ｎｍ未満であるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）