【課題】スティッキング現象の発生を抑制できる静電駆動型アクチュエータや可変容量素子を実現するとともに、それらを歩留まり良く、高い形状精度で生産する製造方法を実現する。
【解決手段】可変容量素子１において、可動梁３は、固定板２に対向する。可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂおよび可動梁側ＲＦ容量電極９は、可動梁３に設けられる。固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂは、可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂに対向して固定板２に設けられる。固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂは、可動梁側ＲＦ容量電極９に対向して固定板２に設けられる。誘電体膜４は、固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂとを覆うように形成される。可動梁３は、初期状態において、固定板２側に先端が撓んでいるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】反射膜同士が貼りつき難くする波長可変干渉フィルターを提供する。
【解決手段】第１基板１０と第２基板２０との間に第１反射膜１４と第２反射膜２４と静電アクチュエーター４０とを含んで密閉された第１空洞部４５と、第２基板２０と第３基板３０との間に密閉された第２空洞部４６と、を備え、第１空洞部４５内および第２空洞部４６内は大気圧より小さい圧力で保持され、第１空洞部４５内の圧力は、第２空洞部４６内の圧力より大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリントリソグラフィーにおいて従来使用されているF-SAMと遜色ない離型性を有し、耐久性の点でさらにすぐれている離型処理方法および離型膜を提供する。
【解決手段】 ナノインプリント用モールドの表面に設ける離型膜として、ポリジメチルシロキサン（PDMS）薄膜を使用する。上記のポリジメチルシロキサン薄膜は、ポリジメチルシロキサンの片側末端にシランカップリング基が結合した化合物を用いてモールド表面に成膜するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体１は枠体部１ａと可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは枠体部１ａの内側にビーム１ｃを介して設けられており、第一の固定基板２には固定電極４が可動体部１ｂ側表面に設けられており、第二の固定基板３にはダミー電極５が可動体部１ｂ側表面に設けられており、可動体部１ｂは第一の固定基板２と可動体部１ｂとの距離の変化を測定するための可動電極６を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部１ｂには当該可動体部１ｂが固定電極４またはダミー電極５に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部７が固定電極４側とダミー電極５側に設けられており、固定電極４上とダミー電極５上の少なくともいずれかには可動体部１ｂが近接した際に第一接触部７と接触する第二接触部８が対向して設けられており、第一接触部７と第二接触部８の材料は絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぎ、また、特性ばらつきを抑える。
【解決手段】可変容量素子１は、固定板２と可動板３と誘電体膜８と電極４Ａ，４Ｂ，５Ａ，５Ｂ，６，７Ａ，７Ｂとを備える。電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂは対向し、駆動電圧が印加される。誘電体膜８は、電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂに対向する領域８Ｃが周囲よりも薄肉で、領域８Ｃを挟むように周囲から突出する２列のストッパ８Ａを備える。ストッパ８Ａの間隔は狭く、可動板３のヤング率は高く、可動板３の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスにおいて、長期間にわたってスティッキングを確実に防止することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスとして具現化される。その可動構造体は、基板の上方に間隙を隔てて配置される可動部と、絶縁膜を介して基板に固定される固定部と、可動部と固定部を連結する支持梁を備えている。そのＭＥＭＳデバイスは、可動構造体の下面側に、可動構造体から連続的に形成された第１凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスは、基板の上面側に、基板から連続的に形成された第２凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスでは、第１凸部と第２凸部がほぼ同じ大きさで、互いに対向して配置されている。 （もっと読む）

【課題】振動電極板が対向電極板に固着して振動電極板の振動が妨げられる現象を効果的に軽減することのできる音響センサを提供する。
【解決手段】音圧に感応する振動電極板２４が対向電極板２５に対向し、静電容量型の音響センサを構成する。対向電極板２５には、振動を通過させるための音響孔３１が開口し、また振動電極板２４と対向する面には複数の突起３６が突設している。振動電極板２４の柔軟性の高い領域に対向する対向電極板２５の対向領域における隣接する突起３６どうしの間隔は、振動電極板２４の柔軟性の低い領域に対向する対向電極板２５の対向領域における隣接する突起３６どうしの間隔よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチの第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１６ｂは、これらとは別要素である変形ガイド２５ａにより可動端子１５に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が可動端子１５から徐々に離れた形状に変形しており、前記可動端子１５は導通状態において第１固定端子１６ａの端縁及び第２固定端子１７ａの端縁に線接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微小機械デバイスの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の微小機械デバイスの製造方法は、基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】可動部と支持基板の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造ないし修復において、歩留り、２次元アレイ化した素子の特性バラツキ等を改善することが出来る技術を提供する。
【解決手段】可動部１０３と支持基板１０１の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造方法及び修復方法おいて、スティッキング解消工程を実行する。スティッキング解消工程では、可動部１０２が支持基板１０１に張り付いてしまったマイクロデバイスを修復する為に、マイクロデバイスに熱及び衝撃の少なくとも一方を与えて可動部１０２の支持基板１０１への張り付き力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 可動電極の貼り付きを防止し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 矩形平板状の可動電極４と、可動電極４が揺動可能なように、可動電極４の対向する２辺をそれぞれ支持する一対のビーム部４１，４２と、ビーム部４１，４２を互いに結ぶ直線を境界線とした可動電極４の表面の一方側及び他方側とそれぞれ対向して離間する面に、互いに離間して配置された固定電極２１，２２と、固定電極２１，２２の表面にそれぞれ形成され、アルミニウムより硬度の大きい硬質膜８１，８２とを備える。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチ１０-1の第１固定端子ＦＴ１１及び第２固定端子ＦＴ１２は各々の端縁が可動端子ＭＴに最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該端縁よりも可動端子ＭＴから離れた断面形状を成していて、導通状態において可動端子ＭＴは第１固定端子ＦＴ１１及び第２固定端子ＦＴ１２の端縁に線接触する。 （もっと読む）

【課題】可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようにする。
【解決手段】デバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３とを位置合わせして貼り合わせた後、ＭＥＭＳ素子１０２に対してマスクウエハ１０３の開口部１０４を介した選択的なドライ処理を行う。例えば、ＭＥＭＳ素子１０２の可動部（不図示）に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積などのドライ処理により金属などの膜を選択的に形成する。一例として、ＭＥＭＳ素子１０２に対して選択的に金からなる金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムのスティックを防止することができ、しかも、センサ落下時の衝撃によってダイアフラムが破損しにくい音響センサを提供する。
【解決手段】音圧に感応するダイアフラム３３が、プレート部３９と固定電極膜４０からなるバックプレート３４に対向し、静電容量型の音響センサ３１を構成する。バックプレート３４には、振動を通過させるためのアコースティックホール３８が開口し、またダイアフラム３３と対向する面には複数のストッパ４２ａ、４２ｂが突設している。バックプレート３４の外周エリアに設けたストッパ４２ｂは直径が小さく、内部エリアに設けたストッパ４２ａは直径が大きくなっている。 （もっと読む）