【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】梁部の損傷が抑制されたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板（１１）と、該支持基板（１１）から高さ方向に浮いた浮遊部（１５）と、該浮遊部（１５）と支持基板（１１）とを連結するアンカー（３０）と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、浮遊部（１５）は、錘部（１７）、及び、該錘部（１７）とアンカー（３０）とを連結する梁部（２０）を有し、梁部（２０）は、錘部（１７）の端部と連結される第１部位（２１）、アンカー（３０）と連結される第２部位（２２）、及び、第１部位（２１）と第２部位（２２）とを連結する２つの連結部（２３）を有し、平面形状が環状を成しており、連結部（２３）は、平面形状が弧状を成し、２つの端部の内の一方が、第１部位（２１）の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第２部位（２２）の端部と連結されている。 （もっと読む）

【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。可動電極部６は、錘部６ａから櫛歯状に延びる可動電極６ｄを有し、錘部６ａの前後両端部に梁部６ｂを有すると共に、前端側に第１のアンカ部６ｃを有している。アンカ部６ｃの上面に、アルミ製の電極パッド９を設ける。アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。各スリット１２は、アンカ部６ｃの左右の両側縁部から、電極パッド９の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法ｃを５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】ミラー基板の高剛性化と軽量化を同時に実現できる電磁型マイクロミラー装置を提供する。
【解決手段】電磁型マイクロミラー装置１は、ミラー基板２と、ミラー基板２を往復振動させるための駆動手段とを備えている。ミラー基板２の表面２ａには、光ビームを反射するためのミラーが形成されている。ミラー基板２の裏面２ｂには、構造補強材１０が形成されている。この構造補強材１０は三次元規則配列多孔体から構成され、構造補強材１０中には磁性材料が含まれている。 （もっと読む）

【課題】微小流量の流体輸送を精密に制御することが可能であって、強度や安定性を備え、電源や配線の不要な自律駆動型の開閉部材、開閉機構および流路デバイスを提供する。
【解決手段】刺激応答性開閉部材１は、１又は２以上のスリット３が設けられたシート状の可撓性材料２の少なくとも片面に、刺激応答性高分子ゲル４が固定化されている開閉部材であって、スリット３は、直線状のスリットであり、平面視上、スリットを挟んだ両側の領域に、刺激応答性高分子ゲルが固定化されている。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】複雑な可動フレーム構造を必要とせず簡便に作製でき、耐久性に優れたミラー駆動装置及びミラー駆動方法を提供する。
【解決手段】ミラー部12の両側に一対のアクチュエータ部30が連結され、さらにその外側の両側に一対のアクチュエータ部20が連結される。外側アクチュエータ部20の一端は固定部22として支持部材に固定され、他端は内側アクチュエータ部30に連結される。各アクチュエータ部20,30は、圧電体の変形によって屈曲変位を行うものであり、それぞれ対応する駆動電圧供給部28,38から駆動電圧が印加される。一方の駆動電圧供給部（例えば28）から、対応するアクチュエータ部（例えば20）に対して共振を励起する周波数の駆動電圧が供給され、これと同時に他方の駆動電圧供給部（例えば38）から、他のアクチュエータ部（例えば30）に非共振でミラー部12を傾ける駆動電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動したいという要望を満足でき、可動枠体の板厚方向及びこの板厚方向と直交する方向の剛性の向上を図ることのできるMEMS揺動装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS揺動装置は、可動体３０B、可動体を揺動可能に支持する第１バネ部３３Bを有する可動枠体３４B、可動枠体を揺動可能に支持する第２バネ部３１１B、３１２T１、３１２T2とを有する固定枠体３８Bとを有し、第２バネ部は可動枠体の厚さ方向から見て厚さ方向に間隔を開けてクロスされた独立変位可能な二本の板バネ体３１１B、３１２T1から構成され、この板バネ体は、可動枠体の厚さ方向から板バネ体を見たときのバネ幅が可動枠体の厚さ方向と直交する方向から板バネ体を見たときのバネ幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】駆動感度を損なうことなく、ミラー面垂直方向の加重に対する可動部の耐性が向上された光偏向器を提供する。
【解決手段】光偏向器１００は、ミラーユニット１１０と電極基板１４０を備えている。ミラーユニット１１０は、可動部１１２と一対の複合トーションバー１１４と一対の固定部１１６を備えている。一対の複合トーションバー１１４は、可動部１１２が固定部１１６に対して回転軸１１８の周りに回転変位すなわち傾斜し得るように可動部１１２と固定部１１６を機械的に接続している。各複合トーションバー１１４は、回転軸１１８に平行に延びている複数のトーションバーと、隣接する各二つのトーションバーの一端を互いに連結している複数の連結バーで構成されている。複数のトーションバーは、回転軸１１８に近いものよりも回転軸１１８から遠いものの方が高いねじり剛性を有している。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ製造技術を用いた単一チップ上に作られた面内加速度計と面外加速度計の両方を含む超頑強、かつ、高性能な、３軸加速度計を提供する。
【解決手段】物体に堅固に取り付けられた基板付きの面内加速度計及び一体成形の材料からなる、基板１０４の上方に可動自在に所定の距離を離間される、プルーフマス１０２を含む。プルーフマスは１０２、プルーフマスと基板との間に異なる高さの隙間を形成するためにプルーフマスから下に伸びる複数の電極突部１１６を含む。プルーフマス１０２は、物体が加速しているときに、複数の基板電極１０８，１１０の各々の上面に平行な方向に動く構成で、隙間の領域の変化及び基板とプルーフマスとの間の容量の変更をもたらす。面内加速度計は面外加速度計の製造に使用される技術と同じ技術を用いて製造可能で高い衝撃用に適する。 （もっと読む）

【課題】梁部に高い振動疲労特性と揺動部に高剛性を持たせつつ小型化された振動素子を提供する。
【解決手段】振動素子は、基体３と、前記基体３から梁状に設けられた梁部２と、前記梁部２の前記基体３側とは反対の側に設けられたミラー部４とを備え、前記揺動部４の少なくとも一部及び前記梁部２は金属ガラスで一体に形成される。次に、真空中でＹＡＧレーザ１０を振動素子のミラー部４に照射して局所的な構造緩和を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】往復振動するミラー基板を有するマイクロミラー装置において、ミラー基板の重畳増加を最小限に抑えつつ剛性を向上させて、ミラー基板を高速で往復振動させた場合でも、該ミラー基板の動的変形を確実に防止する。
【解決手段】ミラー基板１０３は、一対の捻り梁１０２で揺動可能に支持され、該捻り梁１０２をねじり回転軸として往復振動する。このミラー基板１０３の光反射面とは反対側の裏面に、該ミラー基板１０３の動的変形を抑えるための構造補強部材１０４を設け、これを三次元規則配列多孔体で構成する。三次元規則配列多孔体は、多数の微粒子による最密充填構造体を形成した後に、前記微粒子とは異なる材料からなる物質を空隙に充填して固化し、その後、微粒子を選択的に除去することによって、該微粒子の占めていた領域が空隙として残された構造のいわゆるインバースオパール構造体である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを構成する絶縁構造体において応力による強度低下を回避する技術を提供する。
【解決手段】母材１００（ａ）に設けた絶縁部形成領域に平行配列する複数の溝を形成する（ｂ）。この溝は、絶縁部形成領域の上端側では溝２００が溝２０１よりも上端側に突出し、下端側では溝２０１が溝２００よりも下端側に突出する。溝を形成した絶縁部形成領域を熱酸化処理する。熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。熱酸化処理で溝が完全に埋められなかった場合（ｄ）、酸化領域３０１の両側に接続する導電性領域１０１，１０２は、つづら折れ形状の梁からなるばねにより支持される状態となる。ばね形状の構造による緩衝作用により構造体にかかる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップの接合力と、マイクロチップの形状の維持とを両立することのできるマイクロチップの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に流路用溝を有する樹脂製の基板と、流路用溝をカバーする樹脂製のカバー部材と、が熱接合されたマイクロチップの製造方法において、基板の表面から所定の深さより深い内部領域の密度、又は基板の表面から前記所定の深さ以内の表面領域の密度を均一にする処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】保護カバーウェーハを破損させることなく、容易に保護カバー付きデバイスを製造する。
【解決手段】ボンディングパッド１３に対応した保護カバーウェーハ２上の領域に溝２２を形成するとともに、その裏面の中央を研削して凹部を形成して環状凸部に囲繞された状態とし、デバイスウェーハ１のボンディングパッド１３に溝２２を対応させてデバイスウェーハ１のデバイス形成面と保護カバーの溝形成面とを貼り合わせ、保護カバーウェーハ１を溝２２に沿って切削してボンディングパッド１３を露出させ、分割予定ライン１１に沿ってデバイスウェーハ１を分割し、保護カバー付きデバイスを製造する。エッチングをすることがないためエッチャントの管理などの煩わしさが解消される。また、保護カバーウェーハ２に環状凸部を形成して強度を高めることにより、保護カバーウェーハ２の破損を防止して保護カバーウェーハ２を薄化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶材料を用いる機械構造部品は、強度を補うために結晶方位の異なる単結晶材料を積層した、複合基板が用いられるが、積層面の接合部にシリコン酸化膜を用いるため、高精度の加工が困難であるという課題があった。
【解決手段】本発明の機械構造部品は、積層するシリコン単結晶の接合面に、高融点金属シリサイド膜を用いる。高融点金属シリサイド膜は、従来用いられるシリコン単結晶のエッチング加工と同様のドライエッチングによって、シリコン単結晶と共に連続的に加工することができ、部品の加工精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】クリープによる変形を抑えることができるアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板の上に配置された下部電極と、前記下部電極に対向する可動の上部電極と、前記上部電極を基板に対して支持すると共に上部電極よりもクリープ耐性の高い支持体と、前記下部電極と上部電極との間に駆動電圧を供給する駆動部とを備え、前記上下両電極間の電位差の絶対値を増加させたときに上下両電極が接触し始める駆動電圧であるプルイン電圧を印加したときの前記下部電極と上部電極との間の静電容量をプルイン静電容量としたとき、前記電位差の絶対値をプルイン電圧以上に増加させたときにプルイン静電容量に対する静電容量の比率の変化率が急激に変化する第１の領域と、前記電位差の絶対値をさらに増加させたときに前記変化率が前記第１の領域よりも緩やかに変化する第２の領域とが存在し、前記駆動部は前記第２の領域における前記駆動電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に可動電極５ａ，６ａが形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂと、が形成されている。そして、１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂのうちいずれか一方のビーム部７ｂ，８ｂが他方のビーム部７ａ，８ａよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 （もっと読む）