【課題】ミクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）構造体のスイッチ装置が提供される。
【解決手段】スイッチ構造体は基板１０８上に各々それぞれの配置を含む導電性要素１０４を含むことができる。導電性要素１０４は、実質的に金属性材料からなることができ、導電性要素１０４がある分離間隔で接点１０２から離れている第１の位置と、導電性要素１０４が接点１０２と接触し機械的エネルギーを蓄積する第２の位置との間で変形可能であるように構成することができる。導電性要素１０４はさらに、ほぼ室温〜金属性材料の融解温度のほぼ半分の温度において少なくとも１０⁷秒の累積時間で第２の位置に変形された後外力の不在下での分離間隔が累積時間の間２０パーセント未満変化するように構成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ可変キャパシタにおいて、交流駆動信号を起因とする駆動ノイズがキャパシタの静電容量変化に伴い変化する対象信号に与える影響を低減する。
【解決手段】ＭＥＭＳ可変キャパシタにおいて、固定電極２１と可動電極２３との対によって構成され、駆動信号により可動電極２３が振動駆動する駆動部２と、固定電極３１と可動電極３３との対によって構成されたキャパシタ部３とが、互いに分離した別体として形成され、かつ互いに離隔して基板上１に配置されている。さらに、駆動部可動電極２３とキャパシタ可動電極３３との間を、電気絶縁性を有する支持梁部４によって互いに連結している。駆動部可動電極２４で発生した振動エネルギを支持梁部４を介してキャパシタ可動電極３１へ伝達することで、このキャパシタ可動電極３１を振動駆動させてキャパシタ部２の静電容量を変更する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、かつ製造歩留まりが高い光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、表面導電層と絶縁層と裏面層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを駆動させ、共振周波数の誤差を測定し、製造工程の寸法誤差を評価する方法を実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの評価方法は、基板２０の表面に形成される下部電極５０と、下部電極５０の表面に空間を有し、互いに平行、且つ対向する方向に延在される第１駆動腕６２と第２駆動腕６４を有し、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数を測定する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数から共振周波数の中央値を計算する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数と前記中央値との差を計算する工程と、を含み、この共振周波数の差から第１駆動腕６２及び第２駆動腕６４のずれ量を評価する。 （もっと読む）

本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
（もっと読む）

【課題】強誘電体デバイスの基板材料によらず強誘電体膜の結晶性および性能の向上が可能な強誘電体デバイス（発電デバイスまたは焦電デバイス）の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電層（強誘電体膜）２４ｂを素子形成基板（第１の基板）２０ａに比べて当該圧電層２４ｂとの格子整合性の良い圧電層形成用基板（第２の基板）４０の一表面側に形成し、その後、圧電層２４ｂ上に下部電極２４ａを形成し、続いて、圧電層形成基板４０の上記一表面側の下部電極２４ａと素子形成基板２０とを接合層５１を介して接合してから圧電層形成基板４０を除去することで下部電極２４ａおよび圧電層２４ｂを素子形成基板２０ａに転写する。その後、素子形成基板２０ａの上記一表面側に上部電極２４ｃを形成することで発電部２４を形成してから、素子形成基板２０ａを加工してフレーム部２１、カンチレバー部２２および錘部２３を有するカンチレバー形成基板２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】導波路、マイクロプリズムおよび微小機械光変調器を含むディスプレイを提供する。
【解決手段】光を生成するための光源２５と、光を受け取り、かつ、内部全反射によって光が伝搬する方向に一様に分散させるための光導波路２１と、光導波路の下部表面の反対側に傾斜した光射出ファセットとを備えた、間隔を隔てた複数のマイクロプリズム３２と、間隔を隔てたマイクロプリズムどうしの間に配置された、複数の傾斜光変調器とを備え、マイクロプリズムの個々の光射出ファセットから射出する光線の大部分が、個々の傾斜光変調器が第１の位置に位置している場合には観察者に向かって導かれ、あるいは個々の傾斜光変調器が第２の位置に位置している場合には光吸収体に吸収されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単位エネルギー当たりの光輻射力の発生効率及び検出効率を高く保ちつつ、外部からの光の入力を容易にする光学微小機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】所定間隔１２を有して対向して配置された２枚のフォトニック結晶スラブ、１１を有し、
前記所定間隔は、前記２枚のフォトニック結晶スラブの定在波モードの波長の光が前記フォトニック結晶スラブの面上に照射されたときに、該定在波モードが結合して結合モードとなる距離であることを特徴とする。 （もっと読む）

本開示は、投影ディスプレイ用の高速スイッチングミラーアレイを製作する方法を示す。ミラーは、下地のスプリング支持体に接続された中間にビア(via)を有していないため、既存の技術のように、脚またはビアからの光散乱を有していないことに起因して、改善したコントラスト比が得られる。支持コンタクトが存在しないため、ミラーはより小型に製作でき、より高密度のディスプレイを製作するために使用できるより小型な画素を製作できる。さらに、支持するスプリング支持体からの復元力が存在しないため、ミラーは、定位置のままで、付着に起因して一方向または他の方向に向く。このことは、ミラーを定位置に保持するための電圧を使用する必要がないことを意味する。このことは、ディスプレイを動作させるのに必要な電力が少ないことを意味する。
（もっと読む）

【課題】微細構造体の接点に働く接着力を精度よく推定することができる接着力推定方法および接着力推定装置を提供する。
【解決手段】推定装置１７０は、接触部１１４が接点部材１２０に接触した状態から接点部材１２０から離間するまでに変化する容量を取得し、この容量量に基づいて接着力を推定する。これにより、実際の微細構造体１を同じ状態で接着力を推定することができるので、結果として、微細構造体１の接点に働く接着力を精度良く推定することができる。 （もっと読む）

【課題】 集積ＭＥＭＳスイッチ、設計構造体、及びそうしたスイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、犠牲材料（３６）の少なくとも１つのタブ（３２ａ）を、犠牲材料内に埋め込まれたスイッチング・デバイス（３４）の側部に形成することを含む。本方法は、スイッチング・デバイスの側部にある少なくとも１つのタブの上に形成された少なくとも１つの開口部（４０）を通って犠牲材料を剥離することと、少なくとも１つの開口部をキャッピング材料（４２）で密封することとをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】正確で信頼性が高く広範囲の開発に適した、マイクロエレクトロメカニカルジャイロスコープ及びマイクロエレクトロメカニカルジャイロスコープの制御方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳジャイロスコープは、固定構造体６と、駆動軸Ｘに従って前記固定構造体６に関して可動な駆動質量体７と、前記駆動軸Ｘに従って運動状態になるように駆動質量体７に機械的に連結され、且つ、微細構造体２の回転に応答して、駆動軸Ｙに従って前記駆動質量体７に関して可動な検出質量体８とを有する微細構造体２、及び、駆動周波数で前記駆動質量体７を振動状態に維持するための駆動装置３を備える。前記駆動装置３は、前記駆動軸Ｘに関して駆動質量体７の位置を検出するための離散時間検出インタフェース２０と、前記駆動子質量体７の位置に基づいて駆動周波数を制御するための制御手段２１、２３、２４、２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】超小型電子デバイスのための微小空胴構造およびカプセル封じ構造を提供する。
【解決手段】微小空胴構造であって、−基板と、−カバーであって、カバーと基板の間に形成される空間が微小空胴を形成するように基板に取り付けられたカバーと、−カバーを貫通する少なくとも１つの孔と、−微小空胴内に配置された、孔のための少なくとも１つの密閉フラップであって、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を備え、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、前記２つの部分の１つの第１の末端がカバーに機械的にリンクされ、前記２つの部分の第２の末端が自由であり、密閉フラップの少なくとも一部が孔と向かい合って配置され、前記２つの部分が、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している少なくとも１つの密閉フラップとを備えた微小空胴構造。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型電気機械スイッチおよびソリッドステートスイッチの代替手段で実現したデバイスを提供する。
【解決手段】スイッチ構造１００などのデバイスが実現され、このデバイスは、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４を備える。導体素子の片持ち梁１０４は、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２からいくつかの場合において、約４μｍ以下の距離、他の場合には約１μｍ以下の距離だけ隔てられている非接触位置と、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２と接触し、接点１０２との電気的連通を確立する接触位置との間で選択的に移動可能なように構成される。導体素子の片持ち梁１０４が非接触位置に配置されたとき、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４は、それらの間で３２０Ｖμｍ−１を超える大きさを有する、および／または約３３０Ｖ以上の電位差のある電界を維持するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロメカニカル構造体の近設される可動部間の電気干渉を抑制するための電界遮蔽構造が、容易に製造できるようにする。
【解決手段】マイクロメカニカル構造体１００は、一端が固定された複数の可動部１３１ａと、隣り合う可動部１３１ａの間に可動部１３１ａとは離間して配置される電界遮蔽構造１１１ａとを備える。マイクロメカニカル構造体１００は、ＳＯＩ基板より構成されている。ＳＯＩ基板を構成するシリコン基部１０１の層に電界遮蔽構造１１１ａが形成され、埋め込み絶縁層１０２の上のシリコン層１０３に、可動部１３１ａが形成されている。また、電界遮蔽構造１１１ａおよび可動部１３１ａは、埋め込み絶縁層１０２に形成された開口領域に配置されるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動することが可能なＭＥＭＳスイッチを提供することを目的とする。
【解決手段】アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、アンカーに連接されたバネと、バネに連接された平行平板電極と、アンカーと平行平板電極との間で、バネに形成された接点と、平行平板電極に連接され、その端部が基板側に傾いた傾斜電極とを備え、平行平板電極及び傾斜電極と固定電極との間に電圧が印加されて、平行平板電極と傾斜電極とが基板側に向かう場合において、接点が信号線に接触することにより、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造のマイクロバルブを提供する。
【解決手段】溝３が形成された主基板１にカバー基板１３が貼り合わされて流路が形成される。主基板１は第１主基板層１ａ、第２主基板層１ｂ、第３主基板層１ｃの積層構造をもつ。溝３に形成された弁体５は、第１主基板層１ａと同じ材料からなり、溝３の第１側壁３ａから突出し、第１側壁３ａに対向する第２側壁３ｂとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な上方から見た膜厚をもつ。溝３の底面３ｃと弁体５との間に第２主基板層１ｂが除去されて形成された空隙７が形成されている。弁体５の下流側の流体圧力が弁体５の上流側の流体圧力よりも大きい状態とき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく下流側へ移動する。それとは逆の流体圧力状態のとき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく上流側へ移動する。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）