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Fターム[3C081BA43]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 可動部 (6,256) | 可撓性を有するもの (4,428) | 片持ち梁 (473)

Fターム[3C081BA43]に分類される特許

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【課題】耐用寿命を短縮しかねない機械的磨耗を受けにくい、ソレノイド駆動空気圧弁によって得られる機能が制限されにくい、さらに、ソレノイド駆動空気圧弁が、電力の損失の場合に通電位置を維持することができる弁アセンブリを提供する。
【解決手段】弁チップは、第1および第2の面および第1および第2の面との間にある開口119を有する基板101と、開口の少なくとも1つに関連付けられた、基板の面の一方にある複数の可撓性弁フラップ117とを含みうる。弁チップは、開口を有するフレームを形成し、フレームの開口に弁チップを固定することによってパッケージングされていてもよい。特に、弁チップは、基板の第1および第2の面の中央部分が、フレームにある開口を通って露出され、フレームと基板の縁部との間に流体シールが設けられるように、開口に固定されていてもよい。 (もっと読む)


【課題】アレイ構成要素の実装密度及び/又は柔軟な相互接続性を向上させるのに好適なMEMSスイッチングアレイを提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム(MEMS)スイッチアレイが提供される。第1の基板(22)(例えば、キャリア基板)は、導電性基板領域を含む。電気的絶縁層(24)がキャリア基板(22)の第1の表面上に配置することができる。可動アクチュエータ(26)を設けることができる。少なくとも1つの基板コンタクト(28)は、複数の可動アクチュエータ(26)の少なくとも1つに電気的に結合され、電流の流れが、MEMSスイッチアレイの電気的閉止状態の間に確立されるようになる。カバー基板(50)もまた設けることができ、導電性基板領域を含む。キャリア基板(50)の導電性領域は、カバー基板(22)の導電性領域に電気的に結合されて、スイッチングアレイの電気的閉止状態の間に電流の流れの導電経路を定めるようにする。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部(R5)を有するデバイス基板10上に、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子(16a,16b,17a,17b,DF)を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】実装時の素子の破損を回避し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】マイクロミラー素子は、ミラー基板100と、ミラー基板100と対向して配置される電極基板200と、ミラー基板100に変位可能に形成された可動電極である板ばね103bと、電極基板200上に、板ばね103bとの間に空隙を設けた状態で対向して配置された断面略U字形状の駆動用固定電極201bと、駆動用固定電極201bの壁電極部の上に形成された絶縁層205bと、絶縁層205bの上に形成されたシールド電極206bとを備える。板ばね103bは、駆動用固定電極201bの底部と壁電極部と絶縁層205bとシールド電極206bとによって囲まれる空間の中に入るように配置される。 (もっと読む)


【課題】1次および2次温度補償型水晶共振子を提供する。
【解決手段】温度補償共振子の本体3、5、7のコアが、1次および2次の温度係数(α、β、α’、β’)を決定する水晶においてカット角度(θ’)で形成されたプレートから形成され、本体3、5、7は、コア上に少なくとも部分的に堆積され、共振子の1次および2次の温度係数(α、β、α’、β’)をほぼゼロにするために、共振子の1次および2次の温度係数(α、β、α’、β’)それぞれに対して反対の符号の、温度による1次および2次ヤング率変動(CTE1、CTE2、CTE1’、CTE2’)を有するコーティングを含む。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板と、第1基板上に配置され、可動部を有するMEMS素子と、MEMS素子の可動部の周辺に非連続に配置された第1支持部と、第1支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第2基板と、第1支持部よりも外側に配置された第1端子と、第1端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第1配線と、を具備し、第1配線は、第1支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 (もっと読む)


【課題】アクチュエータの位置を正確に制御するアクチュエータ装置。
【解決手段】制御信号に応じて動作するアクチュエータと、アクチュエータを動作させる場合において、アクチュエータの温度を基準温度とする制御信号を供給する制御部と、を備えるアクチュエータ装置、試験装置、およびアクチュエータ制御方法を提供する。アクチュエータの温度を検出する温度検出部を更に備え、温度検出部は、アクチュエータの温度を検出し、制御部は、温度検出部が検出した温度に応じてアクチュエータに供給する制御信号の大きさを制御する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つのばねが、機械的な荷重に頻繁にさらされる場合でも、その機能を確実に満たすことが保証されているようにする。
【解決手段】マイクロマシニング型の構成部材であって、保持部材が設けられており、該保持部材に対して少なくとも第1の位置から第2の位置に調節可能な構成要素が設けられており、該構成要素が、保持部材に少なくとも1つのばね20を介して結合されている。少なくとも1つのばね20に配置されたシリサイド含有の少なくとも1つの線路区分30,32が設けられている。 (もっと読む)


【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるMEMSスイッチを提供する。
【解決手段】MEMSスイッチ10-1の第1固定端子FT11及び第2固定端子FT12は各々の端縁が可動端子MTに最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該端縁よりも可動端子MTから離れた断面形状を成していて、導通状態において可動端子MTは第1固定端子FT11及び第2固定端子FT12の端縁に線接触する。 (もっと読む)


【課題】有機樹脂からなる犠牲層をより効率よく除去するとともに、微細構造体にいたずらにダメージを与えてしまうことを抑制することを可能とした微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】試料をチャンバ12内に装填した後、真空ポンプ14を用いてチャンバ12の内部を真空引きする。続いて、バルブ18a〜18cを調整することによって、酸化ガス、フッ素系ガス、還元性ガスを、チャンバ12内に供給する。この後、電源装置20を作動させ、チャンバ12内に高周波交流電力を印可し、プラズマを発生させる。この状態のまま、所定の時間にわたって待ち、試料の犠牲層110をプラズマに暴露させることによって、試料の犠牲層110を除去する。このように、酸化ガスおよびフッ素系ガスに加え、還元性ガスを供給することによって、残渣116を生成することなく、効率よく犠牲層110を除去することができる。 (もっと読む)


【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、該第1支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第1可動梁800aと、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、該第2支持層に形成された第1固定電極900aと、を有し、且つ、前記第1基板に対向して配置された第2基板BS2と、を含み、前記第1可動梁80aには、第1可動電極が形成され、前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 (もっと読む)


【課題】接続構造に接続されたマイクロ振動装置の現在の姿勢を雑音なしに高い正確度で検知することができるようにする。
【解決手段】マイクロ振動装置のための接続構造において、接続構造の一端はマイクロ振動構造に、他端はバネ部材に少なくとも間接的に接続可能であり、接続構造はマイクロ振動構造の回転軸に対して平行に配置された少なくとも1つの脚部と、回転軸に対して垂直に配置された少なくとも1つの別の脚部と、接続構造の捩れを測定する少なくとも1つの抵抗素子とを含んでおり、回転軸に平行な方向における接続構造の広がりは、回転軸に対して垂直な方向における接続構造の広がりの少なくとも2.5倍であり、抵抗素子は接続構造が捩れたときに比較的大きな機械的応力が生じる領域に配置されている。 (もっと読む)


【課題】可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようにする。
【解決手段】デバイスウエハ101とマスクウエハ103とを位置合わせして貼り合わせた後、MEMS素子102に対してマスクウエハ103の開口部104を介した選択的なドライ処理を行う。例えば、MEMS素子102の可動部(不図示)に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積などのドライ処理により金属などの膜を選択的に形成する。一例として、MEMS素子102に対して選択的に金からなる金属膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部100が形成された基板10と、凹部100内に配置された可動電極21を有し、可動電極21から離間した位置において基板10に固定された梁型の可動部20と、可動電極21に対向して凹部100内に配置され、可動電極21と電気的に分離されて基板10に固定された梁型の固定電極30とを備え、可動電極21と基板10との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層221とキャップ層222とが積層された反り部22を有する。 (もっと読む)


【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 可変容量素子の動作不良を防止し、可変容量素子の信頼性を向上する。
【解決手段】 可変容量素子は、固定電極と、固定電極上に積層された絶縁層を含む絶縁部と、絶縁層上に絶縁層から離れる方向に移動可能に積層された可動部および可動部の一端を絶縁部に固定する固定部を含む可動電極と、可動電極に間隔を空けて対向する対向電極とを有している。 (もっと読む)


【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れ、且つ、デバイス特性のより一層の向上を図れる強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】強誘電体デバイスは、シリコン基板10の上記一表面側に形成された下部電極14aと、下部電極14aにおける第1の基板10側とは反対側に形成された強誘電体膜14bと、強誘電体膜14bにおける下部電極14a側とは反対側に形成された上部電極14cとを備え、強誘電体膜14bが、シリコンとは格子定数差のある強誘電体材料により形成されている。下部電極14aの直下に、シリコンに比べて強誘電体膜14bとの格子整合性の良い材料からなる緩衝層14dが設けられ、第1の基板10に、緩衝層14dにおける下部電極14a側とは反対の表面を露出させる空洞10aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100の製造方法は、基板10の上方に機能素子20を形成する工程と、機能素子20を覆う絶縁層30,32,34を形成する工程と、絶縁層30,32,34をエッチングして、機能素子20の周囲に空洞部1を形成する工程と、空洞部1を封止するように、空洞部1の上方に封止層50,54を形成する工程と、絶縁層30,32,34の上方に樹脂層60を形成する工程と、基板10の下方側から基板10をエッチングして、空洞部1と連通する開口部3を形成する工程と、空洞部1を封止するように、気相成長法によって、開口部3の内面に被覆層80を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】PN接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層200の一面201に、対向配置された2つのダイヤフラム341、342を含む中空筒状の第1壁部340と第1壁部340の開口部346を閉じる第1蓋部321とを有する第1電極301を設ける。また、絶縁層200の一面201に、対向配置された2つのダイヤフラム351、352を含む中空筒状の第2壁部350と第2壁部350の開口部356を閉じる第2蓋部322とを有する第2電極302を設ける。そして、第1壁部340の一方のダイヤフラム341と第2壁部350の一方のダイヤフラム351とを対向配置させる。これにより、各電極301、302が絶縁層200の上で電気的に分離されるので、各壁部340、350の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 (もっと読む)


【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するMEMS装置を提供する。
【解決手段】MEMS装置100は、基板10と、基板10の上方に形成され、空洞部32を有する層間絶縁層30a,30b,30cと、空洞部32に収容された機能素子20と、空洞部32に収容され、機能素子20と電気的に接続されたヒューズ素子40と、を含む。 (もっと読む)


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