【課題】
カンチレバーを利用したマイクロスイッチに新たな構造を採用しようと試みたところ、新たな問題が生じた。
【解決手段】
ＭＥＭＳスイッチは、支持Ｓｉ基板上に活性Ｓｉ層がボンディング酸化膜を介して結合されたＳＯＩ基板と、活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって活性Ｓｉ層内に画定されたカンチレバー領域と、カンチレバー領域下方のボンディング酸化膜を除去することにより、カンチレバー領域と支持Ｓｉ基板との間に形成されたキャビティと、カンチレバー領域を取り囲む固定部と、カンチレバー領域から固定部に延在する可動コンタクト電極と、キャビティに隣接し、結合領域を除いて活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって取り囲まれ、結合領域を介して、固定部の隣接する領域の活性Ｓｉ層に連続する活性Ｓｉ層の第１領域と、活性Ｓｉ層の第１領域に支持され、可動コンタクト電極上方にオーバーハングする部分を有する固定コンタクト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電気機械技術の成膜プロセス方法とその方法で製造された装置を提供する。
【解決手段】基板３０８に、電極３１０とその上に配置された接点３０２とを設けることができる。次に、二酸化ケイ素の層３３０を例えば蒸着によって成膜し、パターン化して電極３１０と接点３０２を包囲する。次いで、薄い接着層３３２、シード層３３４、及び金属層３３６を電気メッキによって成膜することができる次に、フォトレジストの層３３８を設け、パターン化し、その後金属、シード、及び接着層３３６、３３４、３３２をエッチングして梁３０４を形成した後、フォトレジストを除去する。最後に、二酸化ケイ素の層３３０を除去する。スイッチ構造体装置は、保護性のキャップ３４０により封入し気密に封止し得る。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３２、および支持部３２に支持されており第１電極２０の上方に配置された梁部３４を有する第２電極３０と、を含み、平面視において、梁部３４は、前記第１電極２０と重なる領域で支持部３２から梁部３４の先端３４ａに向かう方向において、幅Ｗが単調減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細機械的装置の光学的性質の操作により入射光を変調させ、優れた融通性をもたらすカラー方式を実現するため干渉変調装置及び干渉変調器のアレーを制御する方法を提供すること。
【解決手段】複数の干渉変調器を有し、該複数の干渉変調器が、着色光を射出するようになった少なくとも一つの干渉変調器と、白色光を射出するようになった少なくとも一つの干渉変調器とを有する干渉変調装置である。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の空洞部３３内に位置し電気駆動される振動素子５と、空洞部３３の周囲を取り巻く絶縁層２９と空洞部３３とを画成する電気伝導性の包囲壁２５と、振動素子５と接続し包囲壁２５を貫通する第１配線８及び第２配線９と、を有し、第１配線８及び第２配線９が包囲壁２５を貫通する場所には絶縁層２９を溶解するエッチング液が空洞部３３から絶縁層２９に流動することを防止し包囲壁２５と第１配線８及び第２配線９とを絶縁する第１耐食絶縁膜１９及び第２耐食絶縁膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス上の少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面の間のギャップをチューニングする方法を提供する。
【解決手段】デバイスの上部層における少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの輪郭をエッチングし、該輪郭が、少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面を規定しており、エピタキシャルリアクタにおいて複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面にギャップ狭め層を堆積させ、複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面の間のギャップが、ギャップ狭め層によって狭められるようになっている。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチの第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１６ｂは、これらとは別要素である変形ガイド２５ａにより可動端子１５に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が可動端子１５から徐々に離れた形状に変形しており、前記可動端子１５は導通状態において第１固定端子１６ａの端縁及び第２固定端子１７ａの端縁に線接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造プロセスで作製する。
【解決手段】マイクロミラー３２は、ヒンジ２５ａをミラー１４の下に隠した構成になっている。ミラー１４の下面中央には、支持柱１６の一端１６ａが接続されている。支持柱１６の他端１６ｂには、支持柱１６の径方向に長い形状をしたヒンジ２５ａが力点コネクタ２６ａを介して接続されている。一端１６ａと他端１６ｂとの間には、支点部材２８ｂが支点コネクタ２９ａを介して接続されている。支持柱１６は、ヒンジ２５ａの熱膨張を利用して、他端１６ｂが力点コネクタ２６ａにより径方向に押圧され、支点コネクタ２９ａを支点として一端１６ａでミラー１４を傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】モータ・スタータ及び電流遮断装置等の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）方式のスイッチング・システムについて障害状態での効率のよいエネルギ吸収を提供しつつ装置の複雑さ、費用、及び寸法を縮小する。
【解決手段】電流を制御する装置が、制御回路と、該制御回路と連絡しており、制御回路に応答して電流の遮断を容易にするＭＥＭＳスイッチと、該ＭＥＭＳスイッチと電気的に連絡して配設されており、ＭＥＭＳスイッチが閉状態から開状態へ状態を変化させるのに応答してＭＥＭＳスイッチからの電気エネルギの転移を受け取るハイブリッド無電弧制限技術（Hybrid Arcless Limiting Technology、ＨＡＬＴ）電弧抑制回路であって、容量部分を含んでいるＨＡＬＴ電弧抑制回路と、該ＨＡＬＴ電弧抑制回路の容量部分と並列に電気的に連絡して構成されており、転移された電気エネルギの一部を発散させる可変抵抗とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】可変容量装置において容量可変域を従来よりも広げる。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２、可動板３、駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂ、を備える。可動板３は支持板２と平行に支持される。駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂはそれぞれ可動板３と支持板２との間に設けられる。駆動電極４，５は駆動電圧が印加されて可動板３と支持板２との間隔を変化させる静電引力を形成する。可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂは、可動板３と支持板２との間隔に応じて変化する可変容量を形成する。駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極４，５の電極間隔の変化と可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変形応答特性の向上と発生力の向上を両立するアクチュエータを提供する。
【解決手段】互いに対向し合う一対の電極１３，１４と該一対の電極の間に配置される少なくとも電解質を含む中間層１５は、少なくともポリマー繊維層を有し、またポリマー繊維層を形成している複数のポリマー繊維２１は、三次元的に絡み合って交差しており、ポリマー繊維層は、ポリマー繊維とポリマー繊維が交差する交点２０において、融着している部分を有している。 （もっと読む）

【課題】マイクロアクチュエータを統合するヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）のための方法および装置が提供される。
【解決手段】さまざまな実施例によると、ジンバルアセンブリは、ジンバルプレートの開口部内に配されるジンバルアイランドを有する。ジンバルプレートはジンバルアイランドから機械的に分離される。少なくとも１つのマイクロアクチュエータ素子が、ジンバルプレートとは独立してジンバルアイランドの回転を可能にするようジンバルアイランドとジンバルプレートとの間に取付けられる。ジンバルアセンブリはジンバルアイランドから延在するディンプルから吊るされる。 （もっと読む）