【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】 制御端子が浮遊状態になると、予期しないリーク電流などにより電極に電荷が蓄積され、電極の電位が変動し、スイッチが誤動作してしまう可能性がある。
【解決手段】 クーロン力により湾曲させることで第１の信号電極と第２の信号電極とを接触または分離することが可能な架橋部と、前記架橋部を制御するための制御端子とを有するスイッチ素子と、前記制御端子に接続された第１の不揮発性半導体素子と、前記制御端子および前記第１の不揮発性半導体素子に接続された第２の不揮発性半導体素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力電力がより高く小型化が可能な振動発電素子およびそれを用いた振動発電装置を提供する。
【解決手段】支持部２ａと該支持部２ａに揺動自在に支持されたカンチレバー部２ｂとを備えたベース基板１と、カンチレバー部２ｂに形成されカンチレバー部２ｂの振動に応じて交流電力を発生する発電部３とを備えた振動発電素子１０であって、発電部３は、ベース基板１の一表面１ｂ側においてカンチレバー部２ｂに重なる部位に形成された下部電極４ａと、該下部電極４ａにおけるカンチレバー部２ｂ側とは反対側に形成された第１の圧電層５ａと、該第１の圧電層５ａにおける下部電極４ａ側とは反対側に形成された中間電極４ｂと、該中間電極４ｂにおける第１の圧電層５ａとは反対側に形成された第２の圧電層５ｂと、該第２の圧電層５ｂにおける中間電極４ｂとは反対側に形成された上部電極４ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】作動ＭＥＭＳ装置及び該作動ＭＥＭＳ装置を制御するためのドライバ回路を提供する。
【解決手段】ドライバ回路は、基板上に形成される複数の高電圧薄膜トランジスタ（ＨＶＴＦＴ）を含み、各ＨＶＴＦＴは、制御ゲート電極、ソース電極、及び、該ソース電極が制御ゲート電極から第１の距離だけ離れるように配置されたドレイン電極を含む。このドレイン電極は、ドレイン電極のいずれか一部及び制御ゲート電極の間の最短距離が第１の距離より十分に大きいように、ドレイン電極及びソース電極間の第１の破壊電圧が制御ゲート電極及びソース電極間の第２の破壊電圧より大きいように、制御ゲート電極から離間される。複数の作動ＭＥＭＳ装置は、上記基板上に形成され、複数のＨＶＴＦＴのうちの関連したＨＶＴＦＴのドレイン電極にそれぞれ接続される。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】環境温度などによる共振周波数の変動を調整可能な光偏向器を提供する。
【解決手段】固定ベース６０と、光反射面を有するミラー部１０と、ミラー部１０を揺動可能に支持する弾性支持部材２０と、一端が固定ベース６０に接続され、他端が弾性支持部材２０に接続され、梁状部材に圧電部材が固着された一対の振動梁５０とを備え、振動梁５０は、交流電圧を印加することで、弾性支持部材２０に捻り変形を発生して、ミラー部１０を所望共振周波数で回転振動せしめる駆動梁３０と、直流電圧を印加することで、弾性支持部材２０に応力を与えて、共振周波数を調整する周波数調整梁４０とで構成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの封止構造内に気体吸収物質を簡単な工程で、交差汚染無く形成できるマイクロマシーンを提供する。
【解決手段】マイクロマシーンの可動構造９１を収容する空間を確定する基板９２及び空洞６５を有する被覆要素６１を具備するマイクロマシーン９０において、該被覆要素の前記空洞内の雰囲気に少なくとも部分的に露出する気体吸収材料の堆積物６３をも併せて収容し、かつ該被覆要素をマイクロマシーンの最終封止のための半田を実施できる材料とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。
【解決手段】第１の基板４０と第２の基板４５とが陽極接合され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板とが、純度９９．９質量％以上で、平均粒径０．００５μｍ〜１．０μｍの金、銀、白金及びパラジウムから選択される１種以上の金属からなる多孔質金属５１，５２を介して電気的に接続されたデバイス４、及び第１の基板の接続電極部及び第２の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属（バンプ）を形成し、前記第１及び第２基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第１及び第２基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第１及び第２基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。 （もっと読む）

【課題】小型の構成でありながら、移動鏡１５を構成する反射膜１５ａの大きな移動量および並進性を確保しつつ、反射膜１５ａの面精度を向上させて反射光の波面の乱れを抑制する。
【解決手段】駆動機構１８の板ばね部３１・３２は、互いに対向して配置されている。支持体３３・３４は、板ばね部３１・３２の間で互いに離間して配置され、それぞれが板ばね部３１・３２と連結されている。駆動部３５は、板ばね部３１・３２の対向方向に、支持体３４に対して支持体３３を平行移動させる。支持体３４の移動方向において、支持体３３・３４の厚さは、板ばね部３１・３２よりも厚く、支持体３３における移動方向に垂直な一端面に、反射膜１５ａが形成されている。支持体３３は、反射膜１５ａが露出するように板ばね部３１・３２と連結されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】スイッチにおける損失を低減することができるＭＥＭＳスイッチの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接点金属薄膜２１は、第２の配線３と対向する部分のみに設けられている。これにより、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、ＭＥＭＳスイッチにおける損失を低減させることができる。すなわち、いわゆる表皮効果により、高周波信号の周波数が高いほど信号が導体の表面を流れるようになり、その表面が抵抗率の高い材料で覆われている場合には覆われていない場合に比べてスイッチの損失が増大する。しかしながら、上述したように第２の配線３と対向する部分のみに接点金属薄膜２１を設けたので、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、スイッチの損失が増大するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部１とデバイス部２と、を有する。デバイス部２は、一体的に形成された接着部３と弾性部４と支持部５とを備え、支持部５は弾性部４で接着部３に対して弾性支持される。ホルダ部１は、周辺部より高い段差部６を有する。接着部３は、ホルダ部１の周辺部に固定され、支持部５は、弾性変形した弾性部４の復元力により段差部６に当接させられている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制できる簡素な構成で、可動部を有する半導体素子を配線基板に対して高い密度で配置するとともに電気的に接続することを実現する。
【解決手段】可動部（１１２ｂ、１１２ｃ）を有し主面の縁領域に端子（１１６ａ）が形成された半導体素子（１１）と、半導体素子の主面に主面が対向するカバー（１１１ａ、１１１ｂ）と、半導体素子の端子よりも内側に位置し半導体素子とカバーとの間に空隙を形成する封止部（１１８、１１９）と、を備え、半導体素子の端面が配線基板（１３）の主面に対向した状態において配線基板の主面に形成された端子（１３２，１３３）と半導体素子の端子（１１６ａ）とが接合されることによって、半導体素子が配線基板に固定されるとともに配線基板の主面に形成された端子と半導体素子の端子とが電気的に接続される、ＭＥＭＳパッケージ（１）。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳコンポーネントを収納する密封空洞を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、ＭＥＭＳコンポーネント６を収納した密封空洞５を備え、空洞５は、ある厚さｔ_ｄを有する絶縁体層スタック３の中に形成され、これにより空洞５および絶縁体層６のスタック３は、基板２と、厚さｔ_Ｓを有する封止絶縁体層４との間に挟まれており、ＭＥＭＳコンポーネント６は、絶縁体層スタック３の厚さｔ_ｄおよび封止絶縁体の厚さｔ_Ｓに渡って延びた少なくとも１つの溝８によって取り囲まれている。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】衝撃が加わってＸ方向に過度の加速度が作用した場合でも、梁部が破損するのを防ぐ加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、蓋体５と、センサ本体３と、基台４とを備える。センサ本体３は、支持部３０と、梁部３１と、錘部３４とを備える。基台４は、錘部３４と対向する部分に凹部４１を有する。梁部３１は、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ、４１Ｂと所定の間隔ｄで対向するまで錘部３４が凹部４１側へ変位するよう反った形状に形成されている。衝撃が加速度センサ１００に加わってＸ方向に過度の加速度が作用した際、この実施形態の加速度センサ１００では、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ（又は４１Ｂ）に当接する。 （もっと読む）

【課題】可動梁の自己駆動による影響を受けにくく、ＲＦ容量が緩やかに変化するバイアス電圧の電圧範囲を広げることができる、可変容量装置を提供する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と可動梁３とＲＦ容量部Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂと駆動容量部Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂとを備える。可動梁３は片持ち梁構造であり、可動端周辺に矩形薄肉部３Ｅを設けて、曲げ剛性を局所的に低減した構成である。駆動容量部Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂは、バイアス電圧が印加されて生じる駆動容量によって可動梁３を曲げ変形させる。ＲＦ容量部Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂは、支持板２と可動梁３との間が近接状態となる領域面積に応じて容量値が変化するＲＦ容量を生じる。 （もっと読む）