【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに製造工程の簡略化を図れ、且つ、製造歩留まりの向上による低コスト化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第２の基板４０の一表面側にシード層１２４ｃ、強誘電体層１２４ｂを順次形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。その後、レーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の上記一表面側に転写する転写工程を行う。転写工程では、強誘電体層１２４ｃのうち強誘電体膜２４ｂの所定パターンに対応する部分のみを転写するように設定した光強度分布ＰＩのレーザ光ＬＢを第２の基板４０の上記他表面側から照射することにより、それぞれ強誘電体層１２４ｃの一部からなる強誘電体膜２４ｂを転写する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに低コスト化を図れ、しかも、製造工程の簡略化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜２４ｂとの格子整合性の良い第２の基板４０の一表面側に所定パターンのシード層１２４ｃを形成し、第２の基板４０の一表面側に強誘電体層１２４ｂを形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。所定波長のレーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重なる強誘電体膜２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の一表面側に転写する。レーザ光ＬＢを、第２の基板４０を透過し、且つ、シード層１２４ｃにより反射され、且つ、強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重ならない第２の部分２４ｂ_２に吸収される波長の光とする。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時間が短いことを特徴とする高周波ＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】 一端が、絶縁体１４を備える高抵抗性の基板１２の上に取り付けられた可撓性スイッチング素子１８と、前記基板１２の中に電荷キャリアを供給するためのコンタクト電極２４とを備え、前記スイッチング素子１８と前記基板１２との間には、前記スイッチング素子１８上に静電気曲げ力を生成するための電界が生成され得る、高周波ＭＥＭＳスイッチ１０であって、実質的に前記絶縁体１４の直下の前記基板１２内に、少なくとも１つのインプラント領域２０が形成されており、前記少なくとも１つのインプラント領域２０は、前記絶縁体１４の開口部２２を通って、前記絶縁体１４の上方に配置されたコンタクト電極２４と接触していると共に、前記基板１２に対してオーミックコンタクトを有している。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子アクチュエータにおいて、長時間駆動を行った場合の変形を防止して、安定した長時間駆動を実現することである。
【解決手段】電解質を含み多孔質の高分子からなる多孔質高分子層と、前記多孔質層に接触するところに位置して、多孔質高分子と親水基と多孔質高分子の孔部分に存在する導電性高分子とを含む親水基層と、前記親水基層に接触するところに位置して導電性高分子層を含む導電性高分子層と、前記導電性高分子層に接触する電極部と、前記電極部に電圧を印加する電源部から構成される導電性高分子アクチュエータを提供する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変位測定範囲を増加させた可動ゲート型加速度センサを提供することにある。
【解決手段】複数のソース電極１７ａ，１７ｂとドレイン電極１８ａ，１８ｂの組みを設け、ソース電極１７ａ，１７ｂそれぞれにソース配線部１９ａ，１９ｂを接続し、ドレイン電極１８ａ，１８ｂそれぞれにドレイン配線部２０ａ，２０ｂを接続し、それぞれの組のチャネル形成領域２１の上方に矩形状の可動ゲート１５が共通に配置される可動ゲート型加速度センサとした。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】 小型で性能が高い受動素子を備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 インダクタ１３などの受動素子が形成された絶縁基板１１を、第１の回路１２と電気的に接続された第２の回路２２が形成された半導体基板２１と積層して一体的に形成した半導体装置１０を構成する。これにより、受動素子の配線と基板間の寄生容量を低減し、配線の相互干渉を低減することができるため、受動素子の性能を向上させることができる。相互干渉を低減することができるため隣接する配線の間隔を狭くすることが可能で、アンテナの構成要素としてのインダクタ１３の専有面積を小さくすることができるので、半導体装置１０を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の調整のために質量を削除する際に、ミラー部の光学特性の劣化を防ぐことが可能な光スキャナ及び光スキャナの共振周波数調整方法を提供する。
【解決手段】光スキャナ１は、ミラー部１００と、捩れ梁部１１０と、撓み梁部１２０と、外縁部１３０と、駆動部１４１，１４２と、調整部１５１〜１５４とを備える。捩れ梁部１１０は、揺動軸線ＡＲを含み、ミラー部１００から延出する第１捩れ梁１１１と、第１捩れ梁１１１と対称にミラー部１００から延出する第２捩れ梁１１２とを有する。撓み梁部１２０は、第１捩れ梁１１１の端部から、ｘ方向に延出する第１撓み梁１２１と、第２捩れ梁１１２の端部からｘ方向に延出する第２撓み梁１２１とを有する。光スキャナの共振周波数用の調整部１５１〜１５４は、ミラー部１００に対して対称に配置されるように、撓み梁部１２０に設けられる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】共振器の信号対ノイズ比の効果的な低減を可能にするのに十分に高い振動振幅を達成しながら、安定した様式でヒステリシス効果の抑制を実現することを可能にする、共振器を発見提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つの変形可能な要素(20)と、少なくとも1つの第1の周波数での第1の作動力および少なくとも1つの第2の周波数での第2の作動力を同時に少なくとも1つの変形可能な要素に加えるための、この変形可能な要素のための作動手段(40、42、44)とを含み、第1および第2の周波数が作動力のうちの1つの周波数に等しい周波数で少なくとも2つの同時共振を生成する、電気機械共振器に関する。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ること。
【解決手段】キャビティ２１が形成された第１の基板１１ａと、第１の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部ＫＢを画定するスリット１６が形成された第２の基板１１ｃと、を備え、第２の基板における第１の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜２２が形成された、基板１１を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層１２ａを形成する工程と、第１の電極層および第２の基板上に犠牲層３１を形成する工程と、犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、第２の電極層を形成した後に、犠牲層３１および熱酸化膜２２を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】1/fノイズを低減したMEMS又はNEMSセンサを提供する。
【解決手段】所定方向の力を検出するMEMS又はNEMS装置であって、支持部(4)と、測定される力の影響下で、この力の方向に移動可能な振動質量体であって、少なくとも1つの旋回軸リンクにより上記支持部に対して連結された少なくとも1つの振動質量体(2)と、この振動質量体の運動を検出する手段(10)と、上記旋回軸リンクの軸線(Z)と前記振動質量体に対する力の働きの重心(G)との間の距離を変化させることができる手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】硬度の高い接点材料を用いて対向面積の大きな接点を形成する。
【解決手段】可動接点部３４の移動方向の端面と固定接点部３３の端面が対向する。固定接点部３３は、固定接点基板４１の上方に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層４４と導電層４５が複数層交互に積層される。導電層４５の可動接点部３４と対向する端部は緩衝層４４の端面よりも突出しており、導電層４５の端面が固定接点４６（接触面）となる。可動接点部３４は、可動接点基板５１の上に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層５４と導電層５５が複数層交互に積層される。導電層５５の固定接点部３３と対向する端部は緩衝層５４の端面よりも突出しており、導電層５５の端面が可動接点５６（接触面）となる。 （もっと読む）

【課題】電子回路とＭＥＭＳとを一般的な半導体製造技術を用いて一体化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた電子回路と、電子回路が設けられた領域とは別の領域に設けられ少なくとも圧電体を含むＭＥＭＳを備える。電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電体を用いたアクチュエータの反りを防止し、歩留まりを向上させ、信頼性が高く、耐久性のあるアクチュエータ及びアクチュエータ構造体を提供する。
【解決手段】アクチュエータ50は、厚さ０．５μｍ以上２０μｍ以下の振動板24の第１面側に、振動板24から応力を受けている圧電体層30と、圧電体層30を挟んで対向する電極対26、33とが設けられている。また、圧電体層30が形成されている振動板24の第１面と反対側の第２面側に、圧電体層30が受けている応力と同じ方向の応力を振動板から受けている応力調整層25が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有しかつ繰り返し動作しても機械的な物性の変化が抑制される可動部を備えたＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられる支持層１４ａ、１４ｂと、基板１１上に設けられる固定電極１２と、支持層１４ａ、１４ｂによって支持されており、固定電極１２と対向して設けられる可動電極１３と、を備え、可動電極１３は、導電性を有する材料からなる電気的機能層１３１と、電気的機能層１３１よりも強度が高い材料または電気的機能層１３１よりも脆性が高い材料からなる補強材料層１３２と、を含む。 （もっと読む）