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Fターム[3C081BA43]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 可動部 (6,256) | 可撓性を有するもの (4,428) | 片持ち梁 (473)

Fターム[3C081BA43]に分類される特許

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【課題】双安定機構を含み、かつ、削減された電力消費のために低電圧で駆動されることが可能な機械的に作動可能なディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、MEMSベースのディスプレイ装置に関する。特に、ディスプレイ装置は、2つの機械的にコンプライアントな電極を有するアクチュエータを含んでもよい。さらに、ディスプレイ装置に含まれる、双安定シャッタ組立体と、シャッタ組立体内でシャッタを支持するための手段とが開示される。 (もっと読む)


【課題】双安定機構を含み、かつ、削減された電力消費のために低電圧で駆動されることが可能な機械的に作動可能なディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、MEMSベースのディスプレイ装置に関する。特に、ディスプレイ装置は、2つの機械的にコンプライアントな電極を有するアクチュエータを含んでもよい。さらに、ディスプレイ装置に含まれる、双安定シャッタ組立体と、シャッタ組立体内でシャッタを支持するための手段とが開示される。 (もっと読む)


【課題】磁性アモルファス金属で構成された可動部を有するマイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】表面側に一部をくり抜いた凹部211を有するベース210と、凹部211で回転自在な可動部230と、凹部211で仮想の直線上に配置され一端部をベース210に固定され他端部を可動部230ベースに固定された一対のトーションバー220,220と、可動部230に回転する力を与える駆動部240と、を備え、可動部230がトーションバー220,220の幅よりも幅広に形成された、マイクロアクチュエータ2であって、一対のトーションバー220と可動部230とが磁性アモルファス金属で形成されており、駆動部240が可動部230に磁界を与えることで、可動部230が回転する。 (もっと読む)


【課題】接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成する。
【解決手段】接合ガラス60の一方の面50b側から接合材23を撮像することで、一方の面50b側から接合ガラス60に照射可能なレーザー光R2を接合材23に合焦させる第1焦点調整工程と、第1焦点調整工程の後、レーザー光R2の焦点を、接合ガラス60の厚さ方向に沿った接合ガラス60の一方の面50b側に向けて、照射がなされるガラス基板50の推定厚さ分、移動させる第2焦点調整工程と、第2焦点調整工程の後、レーザー光R2を照射して一方の面50bに被検出部Dを形成する被検出部形成工程と、一方の面50b側から被検出部Dを撮像することで、レーザー光R2を被検出部Dに合焦し直す第3焦点調整工程と、第3焦点調整工程の後、レーザー光R2を切断予定線に沿って照射して、一方の面50bに溝M’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10の表面11に固定された第1電極20と、第1電極20の第1面21と対向する第2面31を備えた梁部34、および梁部34を支持し基板10の表面11に固定された支持部32を有する第2電極30と、を含み、梁部34は、梁部34の第1面21の垂線Q方向の長さTが、梁部34の先端35に向かうにつれて単調に減少する第1部分36を有する。 (もっと読む)


【課題】マイクロマシン構成部材の片持梁の幅を大幅に減じることにより、より高い周波数に適したものにするための方法を提案する。
【解決手段】少なくとも1つの第1の給電線路41が第1の平坦な面21に配置されており、少なくとも1つの第2の給電線路42が、第1の平坦な面21とは反対側に配置された、片持梁の第2の平坦な面22に配置されており、第1の給電線路41が第1の平坦な面21において機能エレメント3まで延びており、第2の給電線路42が、第1の平坦な面21と第2の平坦な面22との間の局所的な電気接続部43,431,432を有する。 (もっと読む)


【課題】ミラー部の偏向角を直線的に変化させ得る期間が短くなりすぎないようにしつつ、ミラー部の高周波振動の発生が抑制されるように該ミラー部の揺動を行なうことができる光偏向器の駆動装置を提供する。
【解決手段】ミラー部1を揺動軸X2の周りに揺動させる圧電アクチュエータ10a,10bは、複数の圧電カンチレバー3(i)(i=1,2,3,4)を連結して構成され、圧電アクチュエータ10a,10bの一端及び他端のいずれか一方側から偶数番目の圧電カンチレバー3(偶数)と、奇数番目の圧電カンチレバー3(奇数)とのいずれか一方を圧電駆動する駆動電圧は、ノコギリ波状の2つの電圧信号を、所定の位相差だけ位相をずらした状態で合成することにより得られる波形の電圧信号である。圧電カンチレバー3(偶数)及び圧電カンチレバー3(奇数)の他方を圧電駆動する駆動電圧は一方を圧電駆動する駆動電圧の逆位相の波形とされる。 (もっと読む)


【課題】低い電圧で上部電極が可動してON,OFFし、かつ寒極温度が高く変化しても動作電圧に影響を与えるようなデバイスの形状変化が起こらないMEMS素子を提供する。
【解決手段】絶縁基板1の上に形成される第1の支柱5と、第1の支柱5から間隔をおいて絶縁基板1の上に形成される第2の支柱6と、第1の支柱5に固定される固定端8aと第2の支柱6の上に移動自在に配置される自由端8bとを有する第1の電極8と、絶縁基板1の上における第1の支柱5と第2の支柱6の間の領域で、第1の支柱5及び第2の支柱6より低い位置に形成される第2の電極4と、を有する。 (もっと読む)


【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むMEMS装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー30a、30b、30cは、機械構造20a、20b、20cの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造20a、20b、20cをアンカー30a、30b、30cを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー30a、30b、30cは、絶縁層の除去が機械構造20a、20b、20cの基板14に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板14に固定される。 (もっと読む)


【課題】MEMS振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第1端子及び第2端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のMEMS振動子11〜14と、入力端子21及び出力端子22を有する増幅回路(反転増幅回路20)と、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つの第1端子と入力端子21とを接続し、第2端子と出力端子22とを接続することによって、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つと増幅回路(反転増幅回路20)とを接続する接続回路30と、を含む。 (もっと読む)


【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のCNTからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える2端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度;98質量%以上、本数密度;1.0×1012〜4.0×1013本/cm2を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える2端子スイッチ。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能な発電デバイスを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、デバイス基板10の一表面上に形成された第1導電層22のうちカンチレバー部12に重なる第1電極22aと、圧電材料層23のうち第1電極22aに重なる部分からなる圧電体層23aと、第2導電層24のうち圧電体層23aに重なる第2電極24aとで、発電部20を構成する。第2導電層24のうちデバイス基板10の厚み方向において支持部11に重なる部分の一部からなる第2パッド24cと、第2導電層24のうち第2電極24aと第2パッド24cとを繋いでいる部分からなる第2配線24bとを備える。第2導電層24と圧電材料層23との接触領域を規定する絶縁層25の一部が、デバイス基板10の厚み方向において第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぎ、また、特性ばらつきを抑える。
【解決手段】可変容量素子1は、固定板2と可動板3と誘電体膜8と電極4A,4B,5A,5B,6,7A,7Bとを備える。電極5A,5B,7A,7Bは対向し、駆動電圧が印加される。誘電体膜8は、電極5A,5B,7A,7Bに対向する領域8Cが周囲よりも薄肉で、領域8Cを挟むように周囲から突出する2列のストッパ8Aを備える。ストッパ8Aの間隔は狭く、可動板3のヤング率は高く、可動板3の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましい。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板1にカンチレバー(可動部分)4xを形成する工程と、カンチレバー4xの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜25A、25B、25C、25G、25を形成する工程と、電極膜25A、25B、25C、25G、25の上に第1の保護膜31を形成する工程と、第1の保護膜31の上に、該第1の保護膜31よりも段差被覆性の良い第2の保護膜32を形成することにより、第2の保護膜32で隙間gを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板10を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子20と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部40と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 (もっと読む)


【課題】小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能な発電デバイスおよびそれを用いた発電モジュールを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、支持部11、支持部11に揺動自在に支持されたカンチレバー部12、およびカンチレバー部12における支持部11側とは反対の先端部に設けられた錘部13を有するデバイス基板10と、カンチレバー部12に設けられカンチレバー部12の振動に応じて交流電圧を発生する発電部20とを備えている。発電部20は、カンチレバー部12の厚み方向の一面側に形成された圧電体21と、圧電体21における錘部13側の側面に形成された電極23と、圧電体21における支持部11側の側面に形成された電極22とを備えている。要するに、発電部20は、互いに対向する2つ1組の電極22,23を有している。また、発電部20は、圧電体21の分極の向きが上記両側面のうちの一方から他方へ向う向きである。 (もっと読む)


【課題】加熱接合法を利用しても、梁構造体に歪みや変形が生じることを防ぐことができる、梁構造デバイスの製造方法の提供を図る。
【解決手段】犠牲層17を介して支持基板11に梁構造体16を積層して底面側積層体10を形成する。そして、予熱処理によって梁構造体16の結晶構造を安定化させる。その後、犠牲層17を除去して梁構造体16を支持基板11からリリースする。そして、天面側積層体20を底面側積層体10に対して加熱接合法により接合し、梁構造体16を底面側積層体10と天面側積層体20とによるパッケージ構造に内装する。 (もっと読む)


【課題】素子から出力される信号の絶対的な量がより容易に把握できるようにする。
【解決手段】電源103より供給される電圧が印加された第1素子101より出力される信号量を検出する第1検出回路104と、電源103より供給される電圧が印加された第2素子102より出力される信号量を検出する第2検出回路105と、第1検出回路104が検出した信号量と第2検出回路105が検出した信号量との差分に対応する信号を出力する差分回路106とを備える。 (もっと読む)


【課題】 気液界面でも安定した高い信号雑音比(SNR)を得ることができる、気液界面で共振するマイクロカンチレバーセンサを提供する。
【解決手段】 気液界面で共振するマイクロカンチレバーセンサにおいて、シリコン薄膜に数μmの単位の幅のスリット2Bを形成することによって作製されたカンチレバー2Aを、気体と溶液の気液界面に配置することにより、気体4に面する面における親水性負荷を取り除き高い信号雑音比(SNR)が得られるようにし、レーザーを用いて駆動した前記カンチレバー2Aの共振周波数を前記気体4側に配置した監視装置5によって測定するようにした。 (もっと読む)


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