【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのゲート電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される構造の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】第１の熱処理によって脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層を有する、薄膜トランジスタを覆うように保護絶縁層を形成し、第１の熱処理より低い温度で、昇温と降温を複数回繰り返す第２の熱処理を行うことによって、チャネル長に依存せず、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタのゲート電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】各量子ドットからの発光が高輝度で、狭帯域スペクトルで色純度の高い電界発光素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、順次、透明電極１２、第１絶縁層１３、密着層１４、発光活性層２０、平坦化層１５、第２絶縁層１６、電極１７が積層されて構成され、密着層１４が発光活性層２０の表面に、シェル層２３のヤング率と同等以下のヤング率を持つ無機層でなり、かつ発光活性層２０との接合面が量子ドット２１同士の間隙に入り込むように突出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】各量子ドットからの発光が高輝度で、狭帯域スペクトルで色純度の高い電界発光素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、順次、透明電極１２、第１絶縁層１３、密着層１４、量子ドットを含む発光活性層２０、平坦化層１５、第２絶縁層１６、電極１７が積層されて構成され、平坦化層１５が、シェル層２３とのバンドオフセットが０．１ｅＶ以下の材料であり、発光活性層２０を覆うようにして表面の平坦化を達成している。 （もっと読む）

【課題】化学的に極めて安定な化合物もしくは複合酸化物を母体材料とする新規な青色発光が実現できる紫外線励起、電子線励起及び衝突励起型蛍光体、該蛍光体薄膜の製造方法、該蛍光体薄膜を発光層に用いる薄膜ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子を用いる薄膜ＥＬディスプレイ、ＥＬランプを提供することを課題とする。
【解決手段】構成元素として酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）にガリウム（Ｇａ）を添加した母体材料に、付活剤として少なくともビスマス（Ｂｉ）を含有することを特徴とする紫外線励起、電子線励起及び衝突励起型蛍光体にある。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、特に紫外〜青色（２５０〜５００ｎｍ程度）の短波長領域でより大きい輝度で発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、導電性基板上に金属原子を有する発光体を含む担持層および電極層をこの順で備え、前記担持層の厚さ方向の中央部における前記金属原子の濃度（原子％）を１としたとき、前記担持層は、前記電極層との界面から５ｎｍ以内の領域において０以上０．１以下の前記金属原子の濃度を有し、かつ、前記導電性基板との界面から５ｎｍ以内の領域において０．５以上１．５以下の前記金属原子の濃度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡素な手法を用いて、低コストで基板にダメージを与えることなく高品質の絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法及びこれを用いた絶縁膜付き基板の製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板４０上に絶縁膜５０を形成する絶縁膜の形成方法であって、
前記基板上に、ナノ粒子１０を含む分散溶液３０を塗布する塗布工程と、
前記基板上に塗布された前記分散溶液に含まれる前記ナノ粒子を酸素雰囲気下に暴露する酸化工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長４００〜５５０ｎｍの範囲にピークを有し、より高い発光効率を実現できるナノシート構造を有する金属酸化物蛍光体を得ることの出来る、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を構成する新規な金属元素の組み合わせを見出し、当該新規な金属元素の組み合わせを有するペロブスカイト構造を有する金属酸化物から製造されたナノシート構造を有する金属酸化物蛍光体、およびその製造方法、金属酸化物蛍光体素子並びにＥＬ素子を提供する。
【解決手段】３Ａ族より選ばれた少なくとも１種の金属元素と、５Ａ族からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含み、ナノシート構造を有する金属酸化物蛍光体およびその製造方法、当該金属酸化物蛍光体を用いた金属酸化物蛍光体素子並びにＥＬ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素と駆動回路が設けられ、駆動回路の第１の薄膜トランジスタ及び画素の第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層と、を有し、第２の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、及び酸化物絶縁層は透光性を有し、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗である。 （もっと読む）

【課題】電圧印加時に素子端部での絶縁破壊を起こすことなく、ショート等の不良も発生せず、安定した駆動を実現できる発光シート及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】第１電極及び第２電極を有し、且つそれらの電極間に発光層が挟持された発光シートであって、該発光層の周縁部に、絶縁体からなる短絡防止部材が、該部材の一部が発光層から突出した状態で設置された発光シート。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以上の高温アニール後でも高い電気伝導率と可視光領域で高い透過率を持つＳｂ添加ＳｎＯ_２耐熱性透明電極薄膜、それを用いた無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】無機ＥＬ素子１は、下部透明電極３としての透明電極薄膜、絶縁層４、発光層５、絶縁層６および上部透明電極７としての透明電極薄膜をこの順に積層する。下部透明電極３は、Ｓｂ添加ＳｎＯ_２耐熱性透明電極薄膜からなり、ＳｎＯ_２に０．１ｍｏｌ％以上で１０ｍｏｌ％以下の範囲内の任意の値でＳｂを添加し、９００℃以上で１２００℃以下の範囲内の任意の温度でアニール処理して構成する。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層を透光性の導電膜を用いて作製し、開口率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】導電性、耐熱性、耐硫化性又は耐セレン化性に優れた電極材料、あるいは、製造工程のいずれかの段階において硫化雰囲気又はセレン化雰囲気に曝される素子の電極として用いることが可能な電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を用いた素子を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉを含有し、Ｍｏを７０ａｔ％以上含む電極材料、このような電極材料を用いた電極、及び、このような電極材料を電極に用いた素子。Ｓｉ含有量は、１０ａｔ％以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。また、低抵抗な酸化物半導体層においてゲート電極層と重なる領域を選択的に高抵抗化して高抵抗な酸化物半導体領域を形成する。酸化物半導体層の高抵抗化は、該酸化物半導体層に接して、スパッタ法により酸化珪素を形成することによって行う。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動が可能で砒素を含まない高輝度の無機系エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】母体材料として硫化亜鉛を用い、これに不純物元素として０．００００１重量％〜１重量％の範囲内のイリジウムを添加した半導体層と、セレン化硫化亜鉛からなる発光層を積層したエレクトロルミネッセンス素子に使用する。この発光層および半導体層の積層構造を一対の電極間に挟持し、一対の電極の少なくとも一方を発光層の発光波長に対して透光性とした素子構造を採用する。半導体層は、硫化亜鉛およびイリジウムを含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を無機絶縁膜で覆うことなく加熱処理を行って酸化物半導体層が結晶化されると、結晶化による表面凹凸などが形成され、電気特性のバラツキが発生する恐れがある。
【解決手段】酸化物半導体層成膜直後から酸化物半導体層上に接して酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成する直前までの間に１回も加熱処理を行わず、基板上の酸化物半導体層上に接して第２の絶縁膜を形成した後に加熱処理を行うプロセス順序とする。また、酸化シリコンを含む無機絶縁膜において、膜中に含まれる水素密度は、５×１０^２０／ｃｍ^３以上、または窒素密度は、１×１０^１９／ｃｍ^３以上とする。 （もっと読む）

【課題】無機物の蛍光体物質に直流電圧を印加することにより発光させることができ、蛍光体層中に分散する発光中心または、蛍光体の種類を変えることにより、発光色を適当に変化させることができる電界発光素子を提供する。
【解決手段】直流駆動発光素子の内部に半導体でＮＰＮ型の構造を形成し、それに隣接して蛍光体物質を蒸着した後、第１の電極と第２の電極で挟んだ構造の電界発光素子を作る。この構造を利用して、陰極側のＰＮ接合に順方向電圧を加えＰ型半導体層内へ電子を注入する。さらにＰ型半導体層とＮ型半導体の加速層によって形成されているＰＮ接合部を、逆バイアスすることにより加速層内部に広がる空乏層の電場を利用して、電子を加速し、発光中心または蛍光体に衝突させ、発光を得る方法である。 （もっと読む）