【課題】高い発光効率を有する発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発光層と、を有し、前記発光層は、母体材料と、第１の不純物元素と、第２の不純物元素と、有機化合物と、を含み、前記母体材料は、第２族元素と第１６族の元素とを含む無機化合物、又は第１２族元素と第１６族元素とを含む無機化合物であり、前記第１の不純物元素は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、砒素（Ａｓ）、燐（Ｐ）、パラジウム（Ｐｄ）のいずれかであり、前記第２の不純物元素は、弗素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】中間電極を用いない構造において多色発光させることができるＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】電極間に、一定電圧であるオフセット電圧７２を示す波形と、オフセット電圧７２を示す波形の後に続く波形であると共に、発光層を発光させる発光電圧７３を示す波形と、が連結して構成される電圧波形７１の電圧を印加し、オフセット電圧７２の電圧値を変えて発光層の発光色を変化させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない膜を形成することができる成膜方法を提供する。また、均質な膜を形成することができる成膜方法を提供する。また、低電圧駆動が可能な発光素子の作製方法を提供する。また、発光効率の高い発光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板の表面の少なくとも一部を露出させるように基板保持手段に基板を固定し、蒸着材料が充填された蒸発源から蒸着材料を気化させ、気化している蒸着材料に対しレーザビームを照射し、基板の表面に蒸着材料を堆積させることにより、欠陥が少なく、均質な膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の電極等にクラックを発生し、これに伴い配線電極の断線を引き起こす可能性のある、誘電体層の端部の急峻な膜厚変化を解消した、複数層を有する複合基板とその製造方法、および複合基板を用いたＥＬ素子パネルを提供する。
【解決手段】複合基板１は、基板３上に所定のパターンに形成された第１の電極層５と、その上に厚膜誘電体層７と、さらに厚膜誘電体層９が順次積層された構造である。複合基板の最上層にある厚膜誘電体層９の端部が、下層の厚膜誘電体層７の端部を覆い、基板上に形成される。ＥＬ素子パネルは、複合基板上に、発光層、薄膜誘電体層、更に第２の電極層が積層されている。基板上の電極等にクラックを発生し、これに伴い配線電極の断線を引き起こす可能性のある、誘電体層の端部の急峻な膜厚変化を解消した、複数層を有する複合基板とその製造方法、および複合基板を用いたＥＬ素子パネルを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光利用効率を低下させることなく、混色の発生を抑制した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】格子（井桁）状の隔壁ＢＮＫに囲まれた領域に複数の発光素子ＯＬＥＤを備え、当該発光素子ＯＬＥＤの発光によりストライプ状の同色画素が並んで表示される画像表示装置において、同色画素間の隔壁ＢＮＫの高さＺ１が異色画素間の隔壁の高さＺ２よりも低く形成することにより、同色画素形成時に互いに隣接する異色画素への濡れ広がりが抑止される。 （もっと読む）

【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板１０上に第１の電極１２、第１の発光ユニット１２、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８、第２の電極２０を形成する。第２の電極２０及び第１の電極１２を露出させる開口部２２に層間絶縁層２４を形成し、第３の電極２６を形成する。第３の電極３６は、第１の電極１２に対する補助電極である。接続部２７ａ、２７ｂは、第２の電極と、第３の電極が異なる発光セル間で電気的に接続する部位である。この構造により発光セル１０１、発光セル１０２、発光セル１０３が直列に接続される。この構造により、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の画素がストライプ状に一方向に配列されてなる２つのディスプレイを空気層を介して重畳させた重畳表示システムにおいて、光拡散素子を挿入することなくモアレ縞の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素１ｂがストライプ状に一方向に配列されてなる光透過型の無機ＥＬディスプレイと、複数の画素２ｂがストライプ状に一方向に配列されてなる液晶ディスプレイとを備え、前方に無機ＥＬディスプレイを配置し、空気層を介して、後方に液晶ディスプレイを配置し、これら両ディスプレイを重畳して表示する重畳表示システムであって、両ディスプレイが重畳されている方向からみて、無機ＥＬディスプレイにおける画素１ｂの配列方向１ｃと液晶ディスプレイにおける画素２ｂの配列方向２ｃとのなす角度θが、２０°以上７０°以下である。 （もっと読む）

【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の発光ユニット１４、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８とこれらの発光ユニットを挟む第１の電極１２、第２の電極２０から成る発光セルを複数個設け、基板１０上で直列接続する。この直列接続は、第１の発光セル１０１における第２の電極２０ａと、第２の発光セル１０２における第１の電極１２ｂが、発光ユニットに形成された第２の開口部１９ｂで接続する構造とする。中間導電層１６は、発光ユニット１４と他の発光ユニット２０の端部に至らない内側に設けられている構成を含む。この構造により、一方の電極を構成する透明導電膜の抵抗率が、他方の電極を構成する金属電極に比較して高いことによる抵抗損失の影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】新規発光材料及びそれを用いた発光素子、発光装置、電子機器の提供。
【解決手段】母体材料と、銅、銀、金等の第一の不純物元素と、ハロゲン、ホウ素等の第二の不純物元素と、アルカリ金属、窒素等の第三の不純物元素を含み、母体材料は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ_２Ｓ_３）、硫化ガリウム（Ｇａ_２Ｓ_３）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ_２Ｓ_４）のいずれかである発光材料。 （もっと読む）

【課題】大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットであって、前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ_３Ｍｇ_２金属間化合物、Ａｌ_１２Ｍｇ_１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１_４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相およびＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相からなる。 （もっと読む）

【課題】 残留電荷の影響による発光輝度変化を信号処理によって補償することで、初期化期間を設けることをしなくても最適な階調で画像情報を表示可能な無機ＥＬパネル用映像信号処理装置を提供する。
【解決手段】 無機ＥＬパネル用映像信号処理装置は、遅延回路と、映像信号補正回路とを有する。遅延回路は、現在のフレーム映像信号を入力し、現在のフレーム映像信号よりも１フレーム前のフレーム映像信号を出力する。映像信号補正回路は、現在のフレーム映像信号と１フレーム前のフレーム映像信号とを入力し、現在のフレーム映像信号に対して、１フレーム前のフレーム映像信号に応じたヒステリシス特性による発光輝度変化量を補償して出力映像信号を生成して出力する。 （もっと読む）

【課題】ナノ結晶性（ｎｃ）シリコン粒子を用いた、希土類（ＲＥ）元素をドープしたＳＲＳＯ膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１ターゲットである、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）またはテルビウム（Ｔｒ）などの第１のＲＥ元素を埋め込んだＳｉの供給工程７０２；第２ターゲットであるＳｉの供給工程７０４；第１および第２ターゲットの同時スパッタリング工程７０８；第１のＲＥ元素をドープした、基板へのＳｉを豊富に含んだＳｉ酸化（ＳＲＳＯ）膜の形成工程７１０；ならびに第１のＲＥ元素をドープしたＳＲＳＯ膜のアニーリング工程７１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイなどの表示装置に用いられる低輝度から、照明装置や画像形成装置などの露光装置に用いられる高輝度まで幅広い範囲で駆動可能であって、幅広い輝度の範囲にわたって安定に動作し、かつ高輝度で発光させた場合であっても寿命特性に優れたエレクトロルミネッセンス素子、およびこれを用いた表示装置、露光装置、照明装置を提供する。
【解決手段】少なくともｐ型半導体粒子１０とｎ型半導体粒子１１を含む発光部５を有し、ｐ型半導体粒子１０とｎ型半導体粒子１１のうち少なくとも一方に発光中心を設けている。また、陽極と発光部の間に遷移金属酸化物からなる電荷注入部を設けている。 （もっと読む）

【課題】アクティブ・マトリクス・エレクトロルミネッセント・ディスプレイにおいて、ＥＬセルの切り替え電子回路は低電圧のＭＯＳトランジスタおよび高電圧のＭＯＳトランジスタを含み、後者のＭＯＳトランジスタのブレイクダウン電圧を向上する高電圧トランジスタを提供する。
【解決手段】高電圧のトランジスタ１１２は、ドレイン領域２３４およびソース領域２３２との間にドリフト領域２０２を有しており、ゲート電極２１８は絶縁層２１２によって前記ドリフト領域から分離されると共に、前記絶縁層によって前記ドリフト領域に平行なゲート電極２１８であって、前記ゲート電極は前記ドリフト領域を部分的に覆い、前記ドリフト領域に近接すると共に、前記ドリフト領域から離れて間隔を置いて配置され、前記ドリフト領域内に実質的に一様な電界を生じさせるための容量分割回路網２２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ランプへの電力が切断された後も照明を継続するエレクトロルミネセント・ランプを提供すること。
【解決手段】本発明は、薄くフレキシブルなＥＬランプの長所と、長期残光性蛍光体の長所を組み合わせるものである。すなわち、第１電極、第２電極、誘電性材料並びにエレクトロルミネセント蛍光体および長期残光性蛍光体を有する蛍光体層を含む、エレクトロルミネセント・ランプを提供する。好ましい長期残光性蛍光体はアルミン酸ストロンチウム蛍光体である。長期残光性蛍光体は好ましくは、ＳｒＡｌ₂Ｏ₄：Ｅｕ，ＤｙまたはＳｒ₄Ａｌ₁₄Ｏ₂₅：Ｅｕ，Ｄｙである。 （もっと読む）

【課題】カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。
【解決手段】Ｃａ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。そして、溶液を濾過する（１８）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２２）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（２８）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３０）。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する（３２）。 （もっと読む）

本発明は、化合物半導体を主たる構成材料とする無機組成物であって、イリジウム元素を含むことを特徴とする無機組成物に関する。本発明はまた、密閉容器内で、火薬および／または爆薬と共に、化合物半導体を主たる構成材料とする無機組成物を爆破させることを特徴とする、発光材料の製造に用いられる無機複合物の製造方法に関する。
無機組成物に爆破処理、加熱処理などのドーピング処理を行うことによって発光材料の製造に用いられる無機複合物を製造することができる。この無機複合物をさらに加熱処理することによって発光材料を製造することができる。得られる発光材料は層状に形成されて無機ＥＬ素子における発光体層を構成する。 （もっと読む）

【課題】発光あるいは発光効率の温度依存性を小さくする。
【解決手段】Mg,Ca,Sr,Baから選ばれる少なくとも一つの元素、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素、希土類から選ばれる少なくとも一つの元素、及び酸素を構成元素とし、結晶構造が擬珪灰石構造である蛍光材料。蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 （もっと読む）

【課題】安い製造コストによって、大きな基板を生成することができる、希土類元素がドープされた酸化物前駆体を生成する方法を提供する。
【解決手段】第１の有機溶媒中にシリコン粒子を添加し、第１の沸点を有する第１の溶液を生成する。巨大な粒子を除去するために第１の溶液をろ過する。ろ過した第１の溶液に第１の沸点よりも高い第２の沸点を有する第２の有機溶媒を混合する。分留によって、ナノ結晶シリコンを有する第２の溶液を生成する。シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。シリコン粒子は、第１の有機溶媒中にシリコンウエハを沈殿し、シリコンウエハからポーラスシリコン層を超音波によって除去することによって有機溶媒中に混合される。 （もっと読む）

誘電厚膜交流エレクトロルミネッセンスディスプレイに使用されるチオアルミン酸ベースの蛍光体の動作安定性を改善する新規な積層体が提供される。この新規な構造体は、希土類で活性化されたアルカリ土類チオアルミン酸蛍光体薄膜層と、前記蛍光体薄膜層の底部に隣接して接触するように提供された酸化マグネシウム層または酸化マグネシウム含有層とを含む。この発明は、特に蛍光薄膜層を形成し活性化するために高い処理温度に晒される誘電厚膜層を使用するエレクトロルミネッセンスディスプレイに使用される蛍光体に適用可能である。
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