【課題】ターゲット材、特に無機ＥＬ素子形成用ターゲット材としての硫化亜鉛成型体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛または硫化亜鉛と銀、銅、マンガンおよび希土類元素の少なくとも１種の元素を含む硫化物とを含む複合硫化物からなり、一方の面と他方の面の硫黄／亜鉛の比が０．９以上であって、これら硫黄／亜鉛の比の差が±０．０５以下であるターゲット材。 （もっと読む）

【課題】直流駆動が可能な面発光素子に適用でき、十分な発光が得られ且つ長期の使用においても発光が衰えず安定した発光が得られる直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも電極層２，６と、発光層５と、ｐ型半導体層３を有し、発光層５とｐ型半導体層３との間に、周期律表の第４族〜第６族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する中間層４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光波長ピークが５８０ｎｍ以上の赤色域に発光中心を有し、十分な発光効率が得られる無機蛍光体粒子、それを用いる交流分散型無機ＥＬ素子および直流薄膜型無機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体であって、周期律表の第６族〜第１１族の第２遷移系列に属する金属元素および第３遷移系列に属する金属元素のうちの少なくともいずれかを含有し、且つ、ＣｕとＩｎを含有する。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、３００ｎｍ程度または４００ｎｍ程度もしくはその両方の短波長領域でEL発光する発光素子を提供するものである。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極及び第２電極の間に設けられゲルマニウム発光体を含む担持体とを備え、前記ゲルマニウム発光体は、少なくとも一部が酸素欠損を有する酸化ゲルマニウムを含み、前記第１電極と第２電極に電位差を与えた際の発光の波長のピークが２５０〜３５０の範囲内及び３５０〜５００ｎｍの範囲内のうち少なくとも一方にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機および無機の青色発光材料ための発光層ホスト材料および正孔ブロック電子輸送材料、電子輸送材料等として用いることができる電子輸送性材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される電子輸送性材料
【化１】


（式中、Ｒ₁からＲ₄はフッ素またはメチル基を示し、Ｒ₅からＲ₈は水素、フッ素およびメチル基から成る群から独立して選択される基を示し、およびＡｒは炭素数２０以下の置換または未置換のアリール基またはヘテロアリール基であって、２つ以下の独立した環が連接した基、または２つの環が縮合した１つの環からなる基を示す） （もっと読む）

平面状または曲面状に発光するディスプレイおよび他のアプリケーションに用いられる、均一な輝度を生じさせる拡張領域均一光源を示す。均一光源は、青色発光のエレクトロルミネセンス層と高度に安定した無機光ルミネセンス色変換層との組合せを使用して放射された光の色スペクトルを調整することで達成される。したがって、本発明には、均一光源、均一光源が組み込まれたディスプレイ、ならびにそのような光源およびディスプレイの製造方法が含まれる。
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基板を含むハイブリッドドライブを有するディスプレイデバイスであって、２次元ピクセルアレイが基板上に形成され、ピクセルは複数のピクセルグループに関連付けられる。別々の１組のグループ行電極及びグループ列電極がピクセルグループ内のピクセルに接続され、それにより、単一のグループ行電極が、単一のグループ列電極と共に、単一のピクセルを駆動する。基板上の各ピクセルアレイ内に２つ以上のチップレットが配置され、各チップレットは１つのピクセルグループに関連付けられ、関連するグループ行電極及び関連するグループ列電極それぞれへの接続を有し、かつ記憶素子を有し、記憶素子はピクセルのための所望の輝度を表す値を格納し、チップレットはそのような値を用いて、その関連するピクセルグループ内の各ピクセルの所望のルミナンスを制御する。
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【課題】摩擦力、剪断力、衝撃力などの機械的な外力が加えられることによって生じる変形によって発光する新規な発光材料を提供する。
【解決手段】本発明の発光材料は、ウルツ鉱型構造の酸化亜鉛と、立方晶又はウルツ鉱型構造の硫化亜鉛と、立方晶の酸化マンガンとの結晶構造の中から少なくとも２種類以上の結晶構造を有するものや、一般式（Ｃａ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、（Ｍｇ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、及び（Ｓｒ_１−ｘＡ’_ｘ）ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３（０．０００１≦ｘ≦０．０５，０．００５≦ｙ≦０．９９５，Ａ’はＤｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｙ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｅｒからなる群より選ばれる希土類元素）からなるもの等のような、複数の結晶構造が混在した混相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率および耐久性をもつ無機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】少なくとも１対の電極およびその間に形成される発光層を有する積層構造を有し、前記発光層が第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とし、発光中心を形成する元素を少なくとも１種含有し、該母体材料は１６族元素を複数種類含有し、前記発光層が、第１６族元素のうちの１種の濃度が前記発光層の厚み方向で３倍以上異なる組成勾配を有する層であることを特徴とする無機ＥＬ素子。 （もっと読む）

【課題】 希土類元素を使用しない安定供給可能な緑色蛍光体の提供。
【解決手段】 一般式Ｍ^１Ｍ^２_２Ｓ_４（但し、Ｍ^１はＣａ_ＸＳｒ_１−Ｘ（０≦Ｘ≦１）、Ｍ^２はＧａ_ＹＡｌ_１−Ｙ（０≦Ｙ≦１））で表される化合物の母体材料に、ビスマスを含み、好ましくはマンガンをさらに含むことを特徴とする緑色発光する蛍光体。 （もっと読む）

【課題】高発光効率及び高色純度を有するエレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が光透過性を有する一対の第一電極及び第二電極と、上記第一電極及び上記第二電極の間に狭持された発光層とを備えるエレクトロルミネセンス素子であって、上記発光層は、発光性ナノ粒子及び非発光性ナノ粒子を含有するエレクトロルミネセンス素子であり、好適には、上記発光性ナノ粒子は、量子ドット発光材料を含み、上記非発光性ナノ粒子は、金属酸化物ナノ粒子を含む。 （もっと読む）

記載された態様は、エレクトロルミネセント標識を製造するための方法およびシステムに関する。記載された態様は、特に、エレクトロルミネセント標識の製造に利用するためのデータを生成するためにイメージファイルを処理する方法およびシステムに関する。態様はさらに、記載の方法および／またはシステムにしたがって製造および／または作成されるエレクトロルミネセント標識に関する。いくつかの態様は、イメージファイルに基づいて、エレクトロルミネセント標識を製造する方法に関する。方法は、少なくとも１つの発光イメージレイヤおよび電気的設定データを表すイメージデータを生成するために、イメージファイルを処理すること、少なくとも１つの発光イメージレイヤを基材上に転送すること、および、電気的設定データに基づいてエレクトロルミネセント標識の発光コントローラを設定することを含む。設定された発光コントローラは、イメージファイルに基づいて発光イメージを提供するために基材と協働する。
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【課題】低抵抗かつ高輝度で発光する無機蛍光体、およびそれを用いた発光素子の提供。
【解決手段】周期律表の第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも一種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体であって、結晶構造が母体材料からなるウルツ鉱構造と母体材料からなる岩塩型構造を含み、かつ母体材料中のウルツ鉱構造に対する岩塩型構造の比率が０．１％〜１０％であること、を特徴とする、無機蛍光体、それを用いた発光素子。 （もっと読む）

【課題】新たな発光中心を有し、直流、交流のいずれでも駆動可能な発光素子に適用でき、十分な発光効率が得られ照明用途などで十分な輝度を有し、特に青色で高輝度に発光する無機蛍光体、それを用いる発光素子および直流薄膜型無機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】本発明の無機蛍光体は、第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体であって、ＣｕおよびＭｎを含有せず、周期律表の第６族〜第１１族の第２遷移系列に属する金属元素および第３遷移系列に属する金属元素のうちの少なくとも１種と、母体材料を構成する元素以外の第１６族元素のうち少なくとも１種とを含有することを特徴とし、発光素子、特に直流薄膜型無機ＥＬ素子に好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 ２４〜４３質量％のＡｌと、１〜１０質量％のＥｕと、残部のＢａとからなるホットプレス体からなるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、不可避不純物として含まれる水素の量を５０ｐｐｍ以下に制御する。このスパッタリングターゲットの製造は、原料粉末をホットプレスする際に、差圧０.１ＭＰａでの窒素ガスのガス透過率が１×１０^−３ｃｍ^２／ｓ以上のホットプレス型を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】低いターン‐オン電圧にて動作可能な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、中間バンドギャップ遷移層を有するシリコンナノ結晶含有酸化シリコン膜を有する電界発光素子の製造方法であり、高密度にドープされたシリコン底部電極を供給する工程と、上記シリコン底部電極上に、中間バンドギャップ絶縁性誘電体膜を形成する工程と、上記中間バンドギャップ絶縁性誘電体膜上に、シリコンナノ結晶含有ＳｉＯ_Ｘ膜を形成する工程と、上記シリコンナノ結晶含有ＳｉＯ_Ｘ膜上に、透明上部電極を形成する工程を含み、中間バンドギャップ絶縁性誘電体膜のバンドギャップは、シリコンナノ結晶含有ＳｉＯ_Ｘ膜のバンドギャップの半分である。 （もっと読む）

【課題】
輝度の低減を招くことなく、駆動電圧の低減を実現することのできるＥＬ素子及びこれを用いた表示素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
発光中心材料を含む第１発光層と、前記第１発光層に積層され、発光中心材料を含む第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に挿入される導電性薄膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板底部電極の形成、および、基板底部電極上へのシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層（ＳｉＯｘ膜層：ｘは０より大きく２未満）の多層形成を含む。各シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、約５〜３０％のシリコン過剰濃度を有する。シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、外側の層が内側の層を挟持しており、内側の層ほど、シリコンナノ結晶が低濃度である。また、外側の層は、外側の層によって挟持された内側の層よりも、導電率が高い。シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜上には、透明上部電極を形成する。多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。ＨＤＰＥＣＶＤプロセスは、シリコン酸化膜層の堆積後、アニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】化学的に極めて安定な化合物もしくは複合酸化物を母体材料とする新規なフルカラーの発光が実現できる衝突励起型ＥＬ用蛍光体、該蛍光体薄膜の製造方法、該蛍光体薄膜を発光層に用いる薄膜ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子を用いる薄膜ＥＬディスプレイ、ＥＬランプを提供することを課題とする。
【解決手段】構成元素として少なくともランタン（Ｌａ）及び酸素（Ｏ）を含む化合物もしくは複合酸化物からなる母体材料に、付活剤として少なくとも１種類以上の金属元素を含有することを特徴とする衝突励起型エレクトロルミネッセンス用蛍光体にある。 （もっと読む）