エレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット
【課題】大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットであって、前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相からなる。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットであって、前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相からなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロルミネッセンス素子を構成する蛍光体膜をスパッタリングにより形成するためのスパッタリングターゲットに関するものであり、特にユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）をＨ２Ｓガスを含む雰囲気中で行う反応性スパッタリング法により形成するための大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器、情報機器のディスプレイなどにエレクトロルミネッセンス素子が使用されるようになり、このエレクトロルミネッセンス素子には蛍光体膜が使用されている。エレクトロルミネッセンス素子は一般にガラス基板の上に下部透明電極を形成し、この下部透明電極の上に第一絶縁膜を形成し、この第一絶縁膜の上に蛍光体膜を形成し、この蛍光体膜の上に蛍光体膜が第二絶縁膜および第一絶縁膜に包まれるように第二絶縁膜を形成し、この第二絶縁膜の上に上部電極を形成した構造を有しており、この構造は広く知られている。
【０００３】
このエレクトロルミネッセンス素子に使用される蛍光体膜一つとしてユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）が知られている。このユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜は、母体成分がマグネシウム・バリウムチオアルミネート（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４、ただしｘ＝０．１〜０．９）からなり、発光中心となる不純物がユーロピウム（Ｅｕ）からなるもので、このユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜はＭｇＳペレットとＡｌ２Ｓ３ペレットとＥｕＳ３とを添加したＢａＳペレットを蒸発源として二元パルス電子ビーム蒸着法によって最初にアモルファス相の薄膜を作製し、その後アニール炉により熱処理を行うことで結晶化させることにより作製している（特許文献１参照）。さらに、ユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）は、一般に、エレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を多元スパッタリング法により形成することは知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許６、９１９、６８２号明細書
【特許文献２】特開２００１―１１８６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ディスプレイはますます大型化し、したがってこの大型のディスプレイに使用するエレクトロルミネッセンス素子もますます大型化しているが、前記蒸着方法で広い面積のユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜を製造するには限界があり、一層広い面積の薄膜を形成するには蒸着法よりもスパッタリング法で形成する方が有利であるところから、近年、大型のエレクトロルミネッセンス素子に使用する広い面積のユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜を多元スパッタリング法により製造する研究がなされている。
【０００５】
しかし、多元スパッタリング法でユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜を製造とすると、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素を同時にスパッタさせるためにＭｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素のターゲットをスパッタリング装置に共にセットする必要から、スパッタリング装置を大型化しなければならず、また、ＢａおよびＥｕはオイル中に保存しなければ酸化を防ぐことはできないほど活性な金属であり、ＢａおよびＥｕは大気中に放置すると即座に酸化するためにＢａおよびＥｕターゲットを大気中で扱うことは非常に困難であった。
【０００６】
さらにＭｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素のターゲットを用いて多元スパッタリングを行っても成分組成にずれが生じることなくユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）に成形することは困難であることから、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各要素粉末を膜特性から定めたＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａからなる組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をプレス成形し、真空中で焼結またはホットプレスすることによりターゲットを作製し、このターゲットを用いて硫化水素雰囲気中でスパッタすることによりユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＢａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ）を形成することが考えられる。
【０００７】
しかし、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各要素粉末をＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａからなる組成となるように配合し混合しプレス成形したのち真空中で焼結またはホットプレスすることにより得られたターゲットは、酸化し易いＢａ粉末およびＥｕ粉末が素地中に金属状態で残存するために、このターゲットを大気中に放置すると短時間で酸化し、作製したターゲットをスパッタリング装置にセットしてスパッタリングを開始するまでの間にターゲットが酸化し、ターゲットの強度が極端に低下してスパッタリング用ターゲットとしては使用できなくなるという問題点があった。
【０００８】
この発明は、大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを開発すべく研究を行った。その結果、
（イ）原料として、金属Ｍｇ、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａまたは金属Ａｌおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料を真空溶解し鋳造してＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成を有するインゴットを作製し、このインゴットを粉砕して合金粉末にし、この合金粉末を真空中で燒結またはホットプレスして得られたターゲットは、ＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなり、ＥｕがＢａに固溶していることからターゲットを大気中に放置しても短時間で酸化することはなく、したがって、このターゲットを大気中に長時間放置しても強度を維持することができる、
（ロ）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物のＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物のＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相から構成されている、
（ハ）素地中に単体Ｍｇ相が存在するとスパッタ中に異常放電が発生し易くなるので素地中に単体Ｍｇ相が存在しないことが好ましく、さらに単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が残存すると酸化し易くなり、ターゲットの強度が低下するので素地中に単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が残存しないことが好ましい、などの研究結果が得られたのである。
【００１０】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有するエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、
（２）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなる前記（１）記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【００１１】
本発明者らは、さらに研究を行った。その結果、
この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットは、素地中に単体Ｍｇ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が分散していることは好ましくないが、単体Ａｌ相が分散していてもＡｌは急激に酸化することがないので強度を低下させることはなく、素地中に単体Ａｌ相が均一に分散することによりかえって靭性が向上し、ターゲットの切削時にチッピングが発生することがない、という研究結果が得られたのである。
【００１２】
したがって、この発明は、
（３）Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相、Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相および単体Ａｌ相からなる組織を有するエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、
（４）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなる前記（３）記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【００１３】
この発明の（１）および（２）記載の蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するには、先ず、原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して粒径が５００μｍ以下の粉末を作製し、この粉末を温度：３５０〜８００℃、圧力：１０〜５０ＭＰａにて１〜８時間保持する条件のホットプレスを行うことによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工することによりエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを作製することができる。
【００１４】
また、この発明の（３）および（４）記載の蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するには、原料として金属Ａｌ、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよびおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して粒径が５００μｍ以下の粉末を作製し、この粉末を温度：３５０〜８００℃、圧力：１０〜５０ＭＰａにて１〜８時間保持する条件のホットプレスを行うことによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工することによりエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを作製することができる。
【００１５】
この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットの成分組成をＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる成分組成にしなければならないことは、ユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）を形成するために計算で導き出される範囲であり、すでに知られている成分組成であるからその限定理由の説明は省略する。
【００１６】
なお、前記原料として入手できる金属Ｂａは純度が高いほど好ましいが、一般に工業原料として入手できる金属Ｂａには不可避不純物としてアルカリ土類金属、主にＳｒ，Ｃａ，Ｍｇが含まれている。したがって、この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットにおいてもこれらアルカリ土類金属、主にＳｒ，Ｃａ，Ｍｇが不可避不純物として含まれており、不可避不純物としてＳｒ：２質量％以下、Ｃａ：１質量％以下、Ｍｇ：０．５質量％以下を含むエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットもこの発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットに含まれる。
【００１７】
また、Ｅｕは非常に易酸化元素であるため、単体Ｅｕ相がターゲット組織中に分散していることは好ましくなく、ＢａとＡｌの金属間化合物に固溶されていることが好ましいが、ＥｕとＡｌの金属間化合物の状態で固溶されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
この発明のスパッタリングターゲットを用いてＨ２Ｓを含む雰囲気中でスパッタリングすることにより従来と比べて広い面積のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を高スピードで製造することができ、その製造コストも下がるのでディスプレイ産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施例１
原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中、温度：１２００℃で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して平均粒径：７０μｍの粉末を作製し、この粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組成を有する本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３を作製し、これら本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表１に示した。
【００２０】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表１に示した。
【００２１】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３をスパッタリング装置に取り付け、一方、基板として石英ガラス（縦：１８ｍｍ、横：１２ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）をターゲットに対向するようにスパッタリング装置に取り付け、
雰囲気：Ａｒ（圧力：０．１３Ｐａ）、
出力：２８０Ｗ（直流）、
の条件でスパッタリングを実施し、１０分間のスパッタリング中に発生した異常放電発生の回数を測定し、その結果を表１に示した。
従来例１
原料として、Ｍｇ粉末、Ａｌ粉末、Ｂａ粉末およびＥｕ粉末を用意し、これら原料粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより表１に示される成分組成を有する従来ホットプレス体ターゲット１〜５を作製し、これら従来ホットプレス体ターゲット１〜５からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表１に示した。
【００２２】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表１に示した。
【００２３】
さらに、従来ホットプレス体ターゲット１〜５をスパッタリング装置にセットし、Ａｒ雰囲気中、実施例１と同じ条件でスパッタリングすることにより異常放電発生の回数を測定し、その結果を表１に示した。
【００２４】
【表１】
表１に示される結果から、
（ａ）本発明ホットプレス体ターゲット１〜５は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物のピークが検出されることからなるＭｇとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらにＢａＡｌ４金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物のピークが検出され、単体Ｍｇ相、単体Ａｌ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相のピークは検出されないことから、本発明ホットプレス体ターゲット１〜５の組織は、ＢａＡｌ４金属間化合物相とＢａ７Ａｌ１３金属間化合物相からなり、ＥｕはＢａに固溶した状態で含まれていること、
（ｂ）ＢａＡｌ４金属間化合物相およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物相が検出され、さらに単体Ｂａ相および／または単体Ｅｕ相のピークが検出される比較ホットプレス体ターゲット１〜３は１２時間放置すると強度が低下すること、
（ｃ）Ｍｇ粉末、Ａｌ粉末、Ｂａ粉末およびＥｕ粉末などの要素金属粉末をホットプレスして得られた従来ホットプレス体ターゲット１〜５はその成分組成がそれぞれ本発明ホットプレス体ターゲット１〜５と同じであっても、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなるＭｇとＡｌの金属間化合物相、ＥｕがＢａに固溶したＢａＡｌ４金属間化合物およびＥｕがＢａに固溶したＢａ７Ａｌ１３金属間化合物からなるＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相、単体Ｍｇ相、単体Ａｌ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相の全てのピークが検出される従来ホットプレス体ターゲット１〜５は大気中に１２時間放置すると、その強度が極度に低下し、スパッタリングに際して異常放電発生回数が多くパーティクル発生数が多い、などが解る。
実施例２
原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ａｌ、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中、温度：１２００℃で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して平均粒径：７０μｍの粉末を作製し、この粉末と平均粒径：１００μｍのＡｌ粉末を混合し、得られた混合粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより表２に示される成分組成を有する本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０を作製し、これら本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表２に示した。
【００２５】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表２に示した。
【００２６】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０を、実施例１よりも２．５倍深い切り込み深さ：０．５ｍｍ、送りスピード：４０ｍ／分、回転数：５４０回転／分、インバータ：２０ＨＺの条件でフライス盤を使って乾式切削加工を行うことにより幅：２００ｍｍ、長さ：３５０ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有し、表２に示される成分組成を有する本発明ターゲット６〜１０を作製し、切削表面に発生する直径１ｍｍ以上の大きなチッピングの数を測定し、その結果を表２に示した。
【００２７】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０をスパッタリング装置にセットし、Ａｒ雰囲気中、実施例１と同じ条件でスパッタリングすることにより異常放電発生の回数を測定し、その結果を表２に示した。
【００２８】
【表２】
表２に示される結果から、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなるＭｇとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらにＥｕがＢａに固溶したＢａＡｌ４金属間化合物およびＥｕがＢａに固溶したＢａ７Ａｌ１３金属間化合物からなるＥｕがＢａに固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらに単体Ａｌ相が存在し、一方、単体Ｍｇ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相のピークは検出されない本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０は、大気中に１２時間放置しても高強度を維持することができ、さらに単体Ａｌ相が存在することにより切削性が向上して苛酷な条件の切削を行ってもチッピングの発生がないこと、さらに異常放電回数が表１の従来ホットプレス体ターゲット１〜５に比べて少ないことなどがわかる。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロルミネッセンス素子を構成する蛍光体膜をスパッタリングにより形成するためのスパッタリングターゲットに関するものであり、特にユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）をＨ２Ｓガスを含む雰囲気中で行う反応性スパッタリング法により形成するための大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器、情報機器のディスプレイなどにエレクトロルミネッセンス素子が使用されるようになり、このエレクトロルミネッセンス素子には蛍光体膜が使用されている。エレクトロルミネッセンス素子は一般にガラス基板の上に下部透明電極を形成し、この下部透明電極の上に第一絶縁膜を形成し、この第一絶縁膜の上に蛍光体膜を形成し、この蛍光体膜の上に蛍光体膜が第二絶縁膜および第一絶縁膜に包まれるように第二絶縁膜を形成し、この第二絶縁膜の上に上部電極を形成した構造を有しており、この構造は広く知られている。
【０００３】
このエレクトロルミネッセンス素子に使用される蛍光体膜一つとしてユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）が知られている。このユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜は、母体成分がマグネシウム・バリウムチオアルミネート（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４、ただしｘ＝０．１〜０．９）からなり、発光中心となる不純物がユーロピウム（Ｅｕ）からなるもので、このユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜はＭｇＳペレットとＡｌ２Ｓ３ペレットとＥｕＳ３とを添加したＢａＳペレットを蒸発源として二元パルス電子ビーム蒸着法によって最初にアモルファス相の薄膜を作製し、その後アニール炉により熱処理を行うことで結晶化させることにより作製している（特許文献１参照）。さらに、ユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）は、一般に、エレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を多元スパッタリング法により形成することは知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許６、９１９、６８２号明細書
【特許文献２】特開２００１―１１８６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ディスプレイはますます大型化し、したがってこの大型のディスプレイに使用するエレクトロルミネッセンス素子もますます大型化しているが、前記蒸着方法で広い面積のユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜を製造するには限界があり、一層広い面積の薄膜を形成するには蒸着法よりもスパッタリング法で形成する方が有利であるところから、近年、大型のエレクトロルミネッセンス素子に使用する広い面積のユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜を多元スパッタリング法により製造する研究がなされている。
【０００５】
しかし、多元スパッタリング法でユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜を製造とすると、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素を同時にスパッタさせるためにＭｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素のターゲットをスパッタリング装置に共にセットする必要から、スパッタリング装置を大型化しなければならず、また、ＢａおよびＥｕはオイル中に保存しなければ酸化を防ぐことはできないほど活性な金属であり、ＢａおよびＥｕは大気中に放置すると即座に酸化するためにＢａおよびＥｕターゲットを大気中で扱うことは非常に困難であった。
【０００６】
さらにＭｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各元素のターゲットを用いて多元スパッタリングを行っても成分組成にずれが生じることなくユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）に成形することは困難であることから、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各要素粉末を膜特性から定めたＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａからなる組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をプレス成形し、真空中で焼結またはホットプレスすることによりターゲットを作製し、このターゲットを用いて硫化水素雰囲気中でスパッタすることによりユーロピウム添加バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＢａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ）を形成することが考えられる。
【０００７】
しかし、Ｍｇ、Ｂａ、ＡｌおよびＥｕの各要素粉末をＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａからなる組成となるように配合し混合しプレス成形したのち真空中で焼結またはホットプレスすることにより得られたターゲットは、酸化し易いＢａ粉末およびＥｕ粉末が素地中に金属状態で残存するために、このターゲットを大気中に放置すると短時間で酸化し、作製したターゲットをスパッタリング装置にセットしてスパッタリングを開始するまでの間にターゲットが酸化し、ターゲットの強度が極端に低下してスパッタリング用ターゲットとしては使用できなくなるという問題点があった。
【０００８】
この発明は、大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを開発すべく研究を行った。その結果、
（イ）原料として、金属Ｍｇ、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａまたは金属Ａｌおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料を真空溶解し鋳造してＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成を有するインゴットを作製し、このインゴットを粉砕して合金粉末にし、この合金粉末を真空中で燒結またはホットプレスして得られたターゲットは、ＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなり、ＥｕがＢａに固溶していることからターゲットを大気中に放置しても短時間で酸化することはなく、したがって、このターゲットを大気中に長時間放置しても強度を維持することができる、
（ロ）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物のＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物のＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相から構成されている、
（ハ）素地中に単体Ｍｇ相が存在するとスパッタ中に異常放電が発生し易くなるので素地中に単体Ｍｇ相が存在しないことが好ましく、さらに単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が残存すると酸化し易くなり、ターゲットの強度が低下するので素地中に単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が残存しないことが好ましい、などの研究結果が得られたのである。
【００１０】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有するエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、
（２）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなる前記（１）記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【００１１】
本発明者らは、さらに研究を行った。その結果、
この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットは、素地中に単体Ｍｇ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相が分散していることは好ましくないが、単体Ａｌ相が分散していてもＡｌは急激に酸化することがないので強度を低下させることはなく、素地中に単体Ａｌ相が均一に分散することによりかえって靭性が向上し、ターゲットの切削時にチッピングが発生することがない、という研究結果が得られたのである。
【００１２】
したがって、この発明は、
（３）Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相、Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相および単体Ａｌ相からなる組織を有するエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、
（４）前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなる前記（３）記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【００１３】
この発明の（１）および（２）記載の蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するには、先ず、原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して粒径が５００μｍ以下の粉末を作製し、この粉末を温度：３５０〜８００℃、圧力：１０〜５０ＭＰａにて１〜８時間保持する条件のホットプレスを行うことによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工することによりエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを作製することができる。
【００１４】
また、この発明の（３）および（４）記載の蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するには、原料として金属Ａｌ、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよびおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して粒径が５００μｍ以下の粉末を作製し、この粉末を温度：３５０〜８００℃、圧力：１０〜５０ＭＰａにて１〜８時間保持する条件のホットプレスを行うことによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工することによりエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを作製することができる。
【００１５】
この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットの成分組成をＡｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる成分組成にしなければならないことは、ユーロピウム添加マグネシウム・バリウムチオアルミネート蛍光体膜（ＭｇｘＢａ１−ｘＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ただしｘ＝０．１〜０．９）を形成するために計算で導き出される範囲であり、すでに知られている成分組成であるからその限定理由の説明は省略する。
【００１６】
なお、前記原料として入手できる金属Ｂａは純度が高いほど好ましいが、一般に工業原料として入手できる金属Ｂａには不可避不純物としてアルカリ土類金属、主にＳｒ，Ｃａ，Ｍｇが含まれている。したがって、この発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットにおいてもこれらアルカリ土類金属、主にＳｒ，Ｃａ，Ｍｇが不可避不純物として含まれており、不可避不純物としてＳｒ：２質量％以下、Ｃａ：１質量％以下、Ｍｇ：０．５質量％以下を含むエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットもこの発明のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットに含まれる。
【００１７】
また、Ｅｕは非常に易酸化元素であるため、単体Ｅｕ相がターゲット組織中に分散していることは好ましくなく、ＢａとＡｌの金属間化合物に固溶されていることが好ましいが、ＥｕとＡｌの金属間化合物の状態で固溶されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
この発明のスパッタリングターゲットを用いてＨ２Ｓを含む雰囲気中でスパッタリングすることにより従来と比べて広い面積のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を高スピードで製造することができ、その製造コストも下がるのでディスプレイ産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施例１
原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中、温度：１２００℃で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して平均粒径：７０μｍの粉末を作製し、この粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組成を有する本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３を作製し、これら本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表１に示した。
【００２０】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表１に示した。
【００２１】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット１〜５および比較ホットプレス体ターゲット１〜３をスパッタリング装置に取り付け、一方、基板として石英ガラス（縦：１８ｍｍ、横：１２ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）をターゲットに対向するようにスパッタリング装置に取り付け、
雰囲気：Ａｒ（圧力：０．１３Ｐａ）、
出力：２８０Ｗ（直流）、
の条件でスパッタリングを実施し、１０分間のスパッタリング中に発生した異常放電発生の回数を測定し、その結果を表１に示した。
従来例１
原料として、Ｍｇ粉末、Ａｌ粉末、Ｂａ粉末およびＥｕ粉末を用意し、これら原料粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより表１に示される成分組成を有する従来ホットプレス体ターゲット１〜５を作製し、これら従来ホットプレス体ターゲット１〜５からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表１に示した。
【００２２】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表１に示した。
【００２３】
さらに、従来ホットプレス体ターゲット１〜５をスパッタリング装置にセットし、Ａｒ雰囲気中、実施例１と同じ条件でスパッタリングすることにより異常放電発生の回数を測定し、その結果を表１に示した。
【００２４】
【表１】
表１に示される結果から、
（ａ）本発明ホットプレス体ターゲット１〜５は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物のピークが検出されることからなるＭｇとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらにＢａＡｌ４金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物のピークが検出され、単体Ｍｇ相、単体Ａｌ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相のピークは検出されないことから、本発明ホットプレス体ターゲット１〜５の組織は、ＢａＡｌ４金属間化合物相とＢａ７Ａｌ１３金属間化合物相からなり、ＥｕはＢａに固溶した状態で含まれていること、
（ｂ）ＢａＡｌ４金属間化合物相およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物相が検出され、さらに単体Ｂａ相および／または単体Ｅｕ相のピークが検出される比較ホットプレス体ターゲット１〜３は１２時間放置すると強度が低下すること、
（ｃ）Ｍｇ粉末、Ａｌ粉末、Ｂａ粉末およびＥｕ粉末などの要素金属粉末をホットプレスして得られた従来ホットプレス体ターゲット１〜５はその成分組成がそれぞれ本発明ホットプレス体ターゲット１〜５と同じであっても、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなるＭｇとＡｌの金属間化合物相、ＥｕがＢａに固溶したＢａＡｌ４金属間化合物およびＥｕがＢａに固溶したＢａ７Ａｌ１３金属間化合物からなるＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相、単体Ｍｇ相、単体Ａｌ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相の全てのピークが検出される従来ホットプレス体ターゲット１〜５は大気中に１２時間放置すると、その強度が極度に低下し、スパッタリングに際して異常放電発生回数が多くパーティクル発生数が多い、などが解る。
実施例２
原料として、Ａｌ−Ｍｇ合金、ＢａＡｌ４金属間化合物、金属Ａｌ、金属Ｂａおよび金属Ｅｕを用意し、これら原料をアルミナルツボに装入し、アルゴンガス雰囲気中、温度：１２００℃で高周波真空溶解炉により溶解し、得られた溶湯を金型に鋳込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを高純度アルゴンガスブロー内で粉砕して平均粒径：７０μｍの粉末を作製し、この粉末と平均粒径：１００μｍのＡｌ粉末を混合し、得られた混合粉末を温度：４００℃、圧力：４０ＭＰａにて２時間保持する条件のホットプレスを行うことにより表２に示される成分組成を有する本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０を作製し、これら本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０からブロックを切り出してＸ線回折を行い、ピーク強度の検出結果を表２に示した。
【００２５】
次に、これらホットプレス体ターゲットから切り出して幅：４ｍｍ、長さ：４０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する抗折試験片を作製した。この抗折試験片を１２時間大気中に放置した後、ＪＩＳ Ｒ−１６０１に規定される方法により三点曲げ試験を行い、抗折強度を求め、その結果を表２に示した。
【００２６】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０を、実施例１よりも２．５倍深い切り込み深さ：０．５ｍｍ、送りスピード：４０ｍ／分、回転数：５４０回転／分、インバータ：２０ＨＺの条件でフライス盤を使って乾式切削加工を行うことにより幅：２００ｍｍ、長さ：３５０ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有し、表２に示される成分組成を有する本発明ターゲット６〜１０を作製し、切削表面に発生する直径１ｍｍ以上の大きなチッピングの数を測定し、その結果を表２に示した。
【００２７】
さらに、本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０をスパッタリング装置にセットし、Ａｒ雰囲気中、実施例１と同じ条件でスパッタリングすることにより異常放電発生の回数を測定し、その結果を表２に示した。
【００２８】
【表２】
表２に示される結果から、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなるＭｇとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらにＥｕがＢａに固溶したＢａＡｌ４金属間化合物およびＥｕがＢａに固溶したＢａ７Ａｌ１３金属間化合物からなるＥｕがＢａに固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相が存在し、さらに単体Ａｌ相が存在し、一方、単体Ｍｇ相、単体Ｂａ相および単体Ｅｕ相のピークは検出されない本発明ホットプレス体ターゲット６〜１０は、大気中に１２時間放置しても高強度を維持することができ、さらに単体Ａｌ相が存在することにより切削性が向上して苛酷な条件の切削を行ってもチッピングの発生がないこと、さらに異常放電回数が表１の従来ホットプレス体ターゲット１〜５に比べて少ないことなどがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相、Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相および単体Ａｌ相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなることを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項１】
Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相、Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相および単体Ａｌ相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ３Ｍｇ２金属間化合物、Ａｌ１２Ｍｇ１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物からなり、
前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物およびＢａ７Ａｌ１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物からなることを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット。
【公開番号】特開２００７−２１７７５５（Ｐ２００７−２１７７５５Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４０３３８（Ｐ２００６−４０３３８）
【出願日】平成１８年２月１７日（２００６．２．１７）
【出願人】（０００００６２６４）三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月１７日（２００６．２．１７）
【出願人】（０００００６２６４）三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【Ｆターム（参考）】
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