基板２００上に機能材料をパターン形成する方法は、（ａ）基板の少なくとも１つの主要面に機能材料の層２２５を付着させる段階と、（ｂ）機能材料の層に、機能材料２２５が不溶である溶媒中に可溶な保護材料の層２３０を付着させる段階と、（ｃ）基板上の明確に画定された領域における保護材料の層２３０および機能材料の層２２５の両領域を除去する段階と、（ｄ）残っている露出した保護材料２３０を、前記溶媒中に溶解させることによって基板２００から除去する段階とを含む。

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本発明は、コア軸線を有する細長状のコアの形態に基部（１１）を形成することにより、ファイバ又はフィラメント（１０）を得る方法に関するものである。電気的に変調しうる少なくとも１つの光学特性を有する物質（１３）で前記基部を直接又は間接的に被覆し、前記基部及び前記物質の双方又はいずれか一方と関連させて、前記コア軸線に対しほぼ平行な方向、又は前記コア軸線を中心とするほぼ円周的に延在する方向の電界を生じるように電気鼓舞手段（１２）を構成し、前記電界により前記物質の光学特性を電気的に変化させ、これによりファイバ又はフィラメントの外観を変化させるようにする。
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本発明は、透明導電酸化物層を含む第1の電極、有機活性層、第2の電極、および高分子基板層を少なくとも含み、透明導電層が、少なくとも250℃の温度で、除去可能な基板層上、または除去可能な基板層上に事前に適用された一つまたは複数の透明層上に適用され、高分子基板層が適用されると、除去可能な担体が除去される、可撓性有機電子装置を作製するための方法を提供する。本発明は、この方法によって得られる可撓性有機電子装置をさらに提供する。 （もっと読む）

金属間バリウムアルミニウム化合物、バリウムアルミニウム合金、又は保護されたバリウム金属を含む、１又は２以上の供給源材料を提供すること、活性剤種を提供すること、硫黄含有雰囲気中で、１又は２以上の供給源材料及び前記活性剤種を、選択された基板上の発光体組成物として作用させること、を含む、チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法である。この方法は、ＴＶの応用で要求されている高輝度及び色とともに青色薄膜エレクトロルミネセント発光体の堆積を可能にする。 （もっと読む）

互いに離れたアノードおよびカソードと、青色発光層と、黄色、オレンジ色又は赤色の光を出す発光層とを備えていて、該青色発光層が、ホスト材料として、一般式（I）のモノアントラセン誘導体：


を含んでいる白色発光OLEDデバイス（ただし一般式（I）において、R₁〜R₈はHであり；R₉はR₁₀と同じではなく；R₉は、脂肪族炭素環のメンバーとの縮合環を持たないナフチル基であり；R₁₀は、脂肪族炭素環のメンバーとの縮合環を持たないビフェニル基であり；R₉とR₁₀は、アミン類とイオウ化合物を含まない）。
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基板上部に形成される薄膜素子の上部に形成される保護膜であって、水素含有率が３０at％以上であることを特徴とする保護膜である。有機ＥＬ素子等のデバイスの保護膜として、信頼性の高い、厚膜の保護膜とすることができる。 （もっと読む）

本発明は、有機電子デバイスおよび物品の製造方法に関する。この方法は、ウェブ、可撓性基材を進行させる工程と、第１の電極、発光層および第２の電極を適用する工程を含み、少なくとも１種の電極層が進行するウェブの方向に連続している。この方法は、進行するウェブの方向にある寸法と、ある面積とを有する有機発光デバイスを形成するウェブから一部を切断する工程を更に含んでもよい。
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効果的に有機ＥＬ素子を保護できるバリア膜、そのバリア膜の効率的な製造方法、及びダークスポット等の非発光部分の発生の少ない耐久性に優れた発光表示装置を提供する。
気相成長法により製造する、３成分以上からなるガラス材料を含む発光表示装置用バリア膜の製造方法。支持基板１、発光体２、及びこの製造方法により得られたバリア膜３を含んでなる発光表示装置。バリア膜は、ケイ素酸化物５０〜９０ｗｔ％、ホウ素酸化物５〜２０ｗｔ％、アルミニウム酸化物１〜１０ｗｔ％を含むガラス材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により製造できる。 （もっと読む）

本発明は、少ない消費エネルギーで高輝度の光を発生し、熱等に変換される損失が少なく、長期使用による劣化が少ない電界発光材料であって、特に黄色よりも波長の短い青色、緑色等の光を発する無機系の電界発光材料を提供する。 具体的には、下記３種の電界発光材料に関するものである：（１）一般式：ＲＭＯ_３〔式中、Ｒは希土類元素を示す。ＭはＡｌ、Ｍｎ又はＣｒを示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料、（２）一般式：Ｒ_２ＣｕＯ_４〔式中、Ｒは希土類元素を示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料、及び（３）一般式：ＲＺ_２Ｃｕ_３Ｏ_６〔式中、Ｒは希土類元素を示す。Ｚはアルカリ土類金属を示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

銀系材料を導電層に用い、それを導電保護層により被覆して保護した配線付き基体形成用積層体であって、導電保護層とそれに積層される陰極との間の接触抵抗が極めて低い配線付き基体形成用積層体の提供。 基体と、前記基体上に形成された銀または銀合金を含む導体層と、前記導体層上に該導体層を被覆するように形成された、インジウム亜鉛酸化物を含む導電保護層とを有する、配線付き基体形成用積層体であって、前記導電保護層が、スパッタガス中の酸化性ガスの含有量が１．５体積％以下の雰囲気でのスパッタリングにより形成された導電保護層である、配線付き基体形成用積層体。 （もっと読む）

基材（２）および、薄膜技術によって基材上に設けられた少なくとも１つの電子薄膜構成要素（８）、を有する、薄膜アセンブリ（１）であって、ここでベース電極（４）が基材上に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成する、ベース電極薄膜層（２１）が、上部トップ電極（９）と併せて配置されており；
この基材（２）は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板（２）から構成され、
この導体層（５）は、ベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素（８）の位置上はスムージングされており、および
接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層（５）と、薄膜構成要素（８）の積層薄膜層（２１）と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極（４）の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。

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本発明は、少なくとも１つの発光手段（１１，４１，５２，５３）と、該発光手段（１１，４１，５２，５３）により形成可能な光線を反射させるための少なくとも１つのリフレクタ（１４，４２，５１，１０１）とを備えた、自動車（１）に用いられるヘッドライト（２，１０，２０，３０，４０，５０，１００）またはランプに関する。本発明の構成では、当該ヘッドライト（２，１０，２０，３０，４０，５０，１００）が付加的にエレクトロルミネッセンス層（１７，２１，３１，４５，６０，６１，６２，６３，６４，７０，８２，９３）を有している。
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