【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された１または２以上の凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型でも均一な画像が得られる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、画素回路がマトリクス状に配置された画素アレイ部とこれを駆動する駆動部を有し、駆動部は、各画素回路において、第一の補正動作および発光動作を少なくとも行うように構成されており、第一の補正動作の期間は、書込制御線駆動部が、サンプリングトランジスタを導通状態に制御するタイミングに応じて規定され、書込制御線駆動部と電源駆動部とは、画素アレイ部の両側から所定の信号と所定の電源電圧とを供給して各画素回路を駆動し、各画素回路における補正動作期間のばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】スタティックメモリを有する画素回路構成を採用し、低消費電力の表示装置を提供する。
【解決手段】第１乃至第３のトランジスタ、第１及び第２のインバータを用いて、画素電極に電位を供給することで表示する表示装置により、静止画表示の場合に、ドライバやコントローラなどを停止させても、表示を維持することができ、低消費電力化をはかることができる。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタがノーマリオンであっても、閾値電圧のばらつきによる画素間の輝度のばらつきが抑えられる発光装置。
【解決手段】通常のゲート電極（第１ゲート電極）の他に、閾値電圧を制御するための第２ゲート電極が備えられたトランジスタを用いて、発光素子への電流の供給を制御する構成を有する。さらに、上記発光装置は、上記トランジスタの第１ゲート電極とドレイン端子の間の導通または非導通を選択する単数または複数のスイッチを有する。そして、トランジスタの閾値電圧を取得する際に、上記スイッチによりトランジスタの第１ゲート電極とドレイン端子の間を導通させ、なおかつ、第２ゲート電極の電位を制御することでトランジスタの閾値電圧をシフトさせる構成とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブ動作中に外部電源による電位の制御を必要としない静電気保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線２２と、複数のソース配線２１と、高電位側ＥＳＤリング３１及び低電位側ＥＳＤリング３２と、ゲート配線２２及びソース配線２１の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極がゲート配線２２及びソース配線２１のうちの一の配線に接続されたＥＳＤダイオード４２と、アノード電極が当該一の配線に接続されカソード電極が高電位側ＥＳＤリング３１に接続されたＥＳＤダイオード４１と、２本以上のゲート配線２２の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極が対応するゲート配線２２に接続された低電位固定ダイオード４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、トランジスター３０と走査線３ａとデータ線６ａとが設けられた層と、画素電極２７が設けられた層との間において、第１容量電極１６ａは、誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃに覆われて配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】改善された有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に定義され、映像を表示する表示領域と、表示領域を囲むように定義され、表示領域に含まれたピクセルに信号を提供する非表示領域と、基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜１４０と、非表示領域内の平坦化膜上に形成され、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極１７５と、平坦化膜上に形成され、第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極１４５と、第２電極と第１電極の上に形成され、第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターン１５０と、第２電極上に形成された有機発光層１５５と、有機発光層上に形成された第３電極１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】画質を高めることができる表示装置を得る。
【解決手段】表示画素を含む表示部と、複数ビットからなる階調コードの各ビットの重みに応じた駆動間隔で、各ビットの値に基づいて表示画素を駆動する駆動部と、表示画素の輝度が滑らかに変化するように駆動間隔および階調コードのうちの少なくとも一方を補正する補正部とを備える。駆動間隔および階調コードのうちの少なくとも一方を補正することにより、表示画素は、階調コードを変化させたときになめらかに輝度が変化するように階調表示を行う。 （もっと読む）

【課題】低コスト化と画質品質とが両立する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、画素回路と発光素子とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、画素回路を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路は、１本の信号線に接続された複数個の画素回路の閾値補正動作を同じタイミングで完了させ、閾値補正動作が完了した後に、複数個の画素回路のそれぞれに対応した信号電位を信号線に印加し、信号電位の複数個の画素回路への書込みを、画素回路毎に、閾値補正動作の完了から異なる時間間隔を空けて順次行ない、閾値補正動作が完了した後であって信号電位のうち最初の信号電位を信号線に印加するより前に、複数個の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極に閾値補正用の基準電位よりも低いリセット電位を印加するように、複数個の画素回路を駆動する。 （もっと読む）

【課題】単極性のＴＦＴを用いて構成するデジタル型式の表示装置において、消費電流を低減することの出来る回路を提供する。
【解決手段】デジタル映像信号の保持を行うラッチ回路であって、ＴＦＴ１０１の入力電極にデジタル映像信号が入力されると、ＴＦＴ１０１の出力電極からは非反転出力信号が出力され、ＴＦＴ１０２およびＴＦＴ１０３の出力電極からは反転出力信号が出力されるラッチ回路を提供する。出力を非反転、反転の２系統得られるため、後段のバッファを駆動する際に、電源間の直流パスが生ずる期間を短くすることが出来、消費電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの閾値電圧のばらつきによる、発光素子の輝度のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、ｎチャネル型のトランジスタと、発光素子と、第１の配線と、第１の配線の電位を制御する機能を有する駆動回路と、第２の配線と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有する。当該ｎチャネル型のトランジスタのソース及びドレインの一方は発光素子のアノードに接続される。駆動回路は第１配線の電位が発光素子のカソードの電位以下となるような期間を有するように第１の配線の電位を制御する。この構成により、閾値電圧のばらつきを見越してｎチャネル型のトランジスタのソースとゲート間に印加される電圧を補正し、ｎチャネル型のトランジスタのドレイン電流を補正することができる。そして、当該ドレイン電流を発光素子に供給することができる。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における表示素子の輝
度ムラを抑えることができる表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチと、表示素子と、を有し、前記駆動トランジ
スタは、ソース又はドレインが第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電
気的に接続されている表示装置である。そして、前記トランジスタのソース又はドレイン
から前記表示素子への電流の供給を前記スイッチによって制御する。 （もっと読む）

【課題】 駆動トランジスタのβばらつきによって生じる輝度の不均一を低く抑える。
【解決手段】 表示領域に配列した複数の発光素子と、
発光素子に供給する電流を生成する駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートに一端が接続されたキャパシタと、駆動トランジスタのゲートとドレインの間に接続されたリセットトランジスタと、を備えた画素回路と、
画素回路に制御信号を供給する制御線駆動回路と、
表示領域に表示される画像の明るさを画像データから判定する表示画像判定部と
を有し、
制御線駆動回路は、キャパシタの駆動トランジスタのゲートに接続された端子とは反対側の端子の電圧をデータ電圧に設定した状態でリセットトランジスタを導通させる制御信号を画素回路に供給し、表示画像判定部の判定結果に応じてリセットトランジスタを導通させる時間を変えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、外光輝度に応じた補正を映像信号に対して行うことの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、自発光素子と、自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに備えている。各画素回路は、保持容量と、映像信号に対応する電圧を保持容量に書き込む第１トランジスタと、保持容量の電圧に基づいて自発光素子を駆動する第２トランジスタとを有している。各画素のうち全部または一部の画素に含まれる画素回路において、第１トランジスタは、外光の輝度の大きさに応じた電圧を保持容量の電圧にフィードバックするようになっている。 （もっと読む）