説明

Fターム[4C071FF22]の内容

Fターム[4C071FF22]の下位に属するFターム

Fターム[4C071FF22]に分類される特許

1 - 20 / 29


【課題】実質的にモノスルフィド化合物、及びトリスルフィド等のポリスルフィド化合物を副生させることなく、また、得られる有機ジスルフィド化合物は、1種のみが製造される、高収率、かつ簡便な方法での有機ジスルフィド化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】有機ハロゲン化合物と水硫化物塩を反応させ、有機ジスルフィド化合物を製造する方法であって、硫黄オキソ酸塩類を有機ハロゲン化物1モルに対して、0.2〜2モルで配合し、硫黄オキソ酸塩類の存在下、硫化水素の加圧下で反応を行う、有機ジスルフィド化合物を製造する方法。 (もっと読む)


【課題】非常に高い分極レベルを有する過分極13C−ピルビン酸塩を得ることが可能な、過分極13C−ピルビン酸塩を含む液体組成物を製造する改良法及び、特に生体内でのMR腫瘍イメージングに好適である組成物の提供。
【解決手段】過分極13C−ピルビン酸塩を含む液体組成物の製造方法は、a)式(I)のラジカル、13C−ピルビン酸及び/又は13C−ピルビン酸塩を含む液体組成物を形成して該組成物を凍結する工程と、b)DNPにより混合物に含まれるピルビン酸及び/又はピルビン酸塩中の13C核分極を増大させる工程と、c)緩衝液及び塩基を凍結した組成物に加えて溶解し、13C−ピルビン酸を13C−ピルビン酸塩に変換して液体組成物を得るか、或いはa)で13C−ピルビン酸塩のみを用いる場合には緩衝液を凍結した組成物に加えて溶解して液体組成物を得る工程と、d)ラジカル及び/又はその反応生成物を液体組成物から適宜除去する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】安定性に優れるとともに、高い溶解性を示し、有機半導体材料や光触媒として好適なヘキサチアペンタセン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で示されるヘキサチアペンタセン化合物である。


[式中、R、R、R及びRは、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数1〜100の有機基及びハロゲン原子からなる群から選択される少なくとも1種である。] (もっと読む)


【課題】優れた電気的特性を有するフラーレン誘導体の提供。
【解決手段】下記式(1)で表される構造を有するフラーレン誘導体。


[式中、A環は炭素数が60以上であるフラーレン環を表す。B環及びB環は、独立して炭素数が3〜6である複素環を表す。R及びRは、独立して1価の官能基を表す。Qは2価の有機基を表し、B環及びB環が有する炭素原子と結合している。j及びkは0〜8の整数を表す。R又はRが複数個存在する場合には、R同士又はR同士は互いに異なっていてもよい。C1、C2、C3及びC4は、A環を構成する炭素原子であり、C1及びC2、C3及びC4は、それぞれA環において隣り合っている。] (もっと読む)


【課題】高い屈折率を有し、レンズ等の光学部材用の樹脂を形成しうる単量体として用いることができる化合物を提供する。
【解決手段】下記式(2)で示される構造を有するスピロ骨格、及び、(メタ)アクリロイル基を有する硫黄含有化合物。その好ましい例は、下記の一般式(1)で示される。




(式中、Rは水素原子又はメチル基であり、k、l、m、nは各々独立に0〜2の整数であり、k+l=1又は2、m+n=1又は2であり、p、qは各々独立に0〜2の整数である。) (もっと読む)


【課題】
高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される少なくとも1種の化合物を含有してなる有機トランジスタ。


(式中、環A〜環Dは、それぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す。) (もっと読む)


【課題】高い移動度を有し、酸素および水分に対して耐性があり、しかも薄膜形成が容易で成膜性に優れた化合物を提供すること。特にボトムコンタクト型の有機トランジスタの製造において、溶液塗布法により安定した薄膜形成が可能な化合物を提供すること。また、オンオフ比が大きく、閾値電圧が低く、しかも大気中で安定に動作して経時劣化が小さい有機トランジスタ、特に有機FETを提供すること。
【解決手段】下記式(I)で表される化合物による。
(もっと読む)


【課題】電子輸送性の優れた有機n型半導体として利用可能な新規共役系化合物を提供する。
【解決手段】式(I)及び/又は式(II)で表される基を有する共役系化合物。




Arは3価の芳香族炭化水素基又は3価の複素環基を示し、A、R1、R2、A’は水素原子、ハロゲン原子又は1価の基を示す。Ar’は炭素数6以上の2価の芳香族炭化水素基又は炭素数4以上の2価の複素環基を示す。 (もっと読む)


【課題】キャリア移動度と安定性が高く、容易な製造プロセスで成膜が可能な有機半導体材料と、これを有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下式等で表される化合物等を含む有機半導体材料。


(但し、R1は、非置換もしくは置換の炭素数3から8の分枝アルキル基、または、非置換もしくは置換の炭素数3から10のシクロアルキル基を表し、R2は、水素原子、または、非置換もしくは置換のチオフェン残基、非置換もしくは置換のピロール残基、非置換もしくは置換のフラン残基を少なくとも1つまたは2つ以上組み合わせて構成された構造を表し、Xは、硫黄原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。) (もっと読む)


【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。


(式中、XおよびXはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Y〜Yはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはメチレン基を表し、mおよびnはそれぞれ独立に0または1を表し、rおよびsはそれぞれ独立に1または2を表す) (もっと読む)


【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。


(ここで、置換基R〜Rは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数4〜30のアリール基、炭素数6〜20のアルキル基、を示し、T及びTは同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、l及びmは、各々0又は1の整数) (もっと読む)


【課題】可溶性でありながら安定性を有する有機半導体材料を用いることで簡便な手法での製造が可能でかつ特性が良好で信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極3、ゲート絶縁膜5、ソース7s、ドレイン7d、およびソース7s−ドレイン7d間のチャネル層を構成する半導体薄膜9を有し、下記一般式(1)に示す有機半導体材料を用いてソース7s−ドレイン7d間のチャネル層を構成してなる有機薄膜トランジスタ(半導体装置)1である。


ただし、一般式(1)中において、X1〜X4は硫黄(S)であり、R1およびR2の少なくとも一方は溶解性を得るためのアルキル基を有する置換基であり、互いに連結して環を形成していても良い。 (もっと読む)


【課題】安全かつ安価な原料を用いて、有機電子材料、紫外線吸収剤およびその合成中間体として有用なビスベンゾジチオール化合物を簡便に収率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】1,4−ベンゾキノン又は1,2−ベンゾキノンと下記一般式(2)で表されるジチオカルバメート化合物とを反応させる、下記一般式(1)で表される化合物の製造方法。


[式中、R1及びR2は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、R1及びR2は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。Xは電荷を中和するイオンを表す。mは1又は2の整数を表し、nは1又は2の整数を表す。Mは水素原子、金属原子または塩基の共役酸を表す。pは1〜4の整数を表し、qは1〜4の整数を表す。] (もっと読む)


【課題】医薬、農薬、染料、顔料、紫外線吸収剤、液晶などの機能性材料及びその合成中間体として有用なヘテロ環化合物の提供。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。


[式虫、R1〜R4は各々独立に水素原子又は1価の置換基を表す。但し、R1〜R4がすべて同時にアルキルチオ基であることはない。R1とR2及びR3とR4がそれぞれ互いに結合して環を形成しても良いが形成する環はジチオール環又はジチオラン環ではない。R5及びR6は各々独立に水素原子又は1価の置換基を表す。X1〜X4は各々独立にヘテロ原子を表す。] (もっと読む)


【課題】UV−AおよびUV−B領域における紫外線吸収能に優れ、かつ、可視域に吸収がない低揮発性の紫外線吸収剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(UL)で表される紫外線吸収剤。


(式中、Aは、極大吸収波長が360nm以上400nm以下であり、半値幅が55nm以下であり、極大吸収波長におけるモル吸光係数が20000以上である少なくとも1種の紫外線吸収性残基を表す。Bは、320nmにおける吸光度が極大吸収波長における吸光度の30%以上であり、極大吸収波長が360nm以下である少なくとも1種の紫外線吸収性残基を表す。Laは連結基を表す。yは1以上の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】機能性材料およびその合成中間体として有用な新規ヘテロ環化合物の製造方法の提供。
【解決手段】化合物(2)と化合物(3)とを反応させて、続いて化合物(4)を反応させる、化合物(1)の製造方法。


[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、R31、R32、R41、R42、R25及びR26と同義であり、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。X1、X2、X3及びX4は、X31、X32、X41及びX42と同義であり、互いに独立してヘテロ原子を表す。Y21、Y22、Y23及びY24は、互いに独立してフッ素原子等を表す。M3及びM4はカチオンを表す。m及びnは0、1又は2を表す。] (もっと読む)


【課題】紫外線安定剤の析出や長期使用によるブリードアウトの生じることがなく、長波紫外線吸収能に優れかつこの吸収能を長期間維持して耐光性に優れる紫外線安定剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(UL)で表される紫外線安定剤。


[一般式(UL)中、Aは、特定の紫外線吸収性残基を表す。Bは、特定の光安定性残基を表す。Lは連結基を表す。x及びzは1以上の整数を表し、yは0以上の整数を表す。] (もっと読む)


【課題】医薬、農薬、染料、顔料、紫外線吸収剤、液晶、非線形光学材料などの機能性材料およびその合成中間体として有用な新規なヘテロ環化合物を提供する。また、該ヘテロ環化合物からなる紫外線吸収剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物からなる紫外線吸収剤。


(R、R、R及びRは、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。RとR及びRとRは互いに結合して環を形成しても良い。R及びRは、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。RとRとは互いに結合して環を形成しても良い。X、X、X及びXは、互いに独立してヘテロ原子を表す。) (もっと読む)


【課題】1,3−ジチオール環が縮合した1,4−ハイドロキノン誘導体の新規な製造方法の提供。
【解決手段】化合物(I)、(II)、(IV)とを非酸性条件下で反応させることを含む(III)、(V)の製造方法。(R〜Rは水素原子又は特定の置換基)


(もっと読む)


【課題】
高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。


(式中、X〜Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Aは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ[b]チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表し、環Bは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ[b]チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す) (もっと読む)


1 - 20 / 29