【課題】小型化を可能にした照射位置検出装置、照射位置補正用具セット及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光４５を検出する光センサ１０４を格子状に配置した検出面１０５を有し、前記光センサ１０４の各々の検出信号を出力する照射位置検出装置１０３と、平板状の複数のベースパーツ１４０Ａ〜１４０Ｄ、前記照射位置検出装置１０３を載置する載置面１０２をワーク面５１上に形成する載置ベース体１０１とを備え、連結板に前記ベースパーツ１４０Ａ〜１４０Ｄの数だけ、高さを同じくする脚受け体１２０Ａを設け、前記脚受け体１２０Ａのそれぞれに前記ベースパーツ１４０Ａ〜１４０Ｄを挿通して前記載置面１０２を形成すると共に、前記脚受け体１２０Ａのそれぞれの箇所で前記照射位置検出装置１０３の支持脚を係合させ、前記載置面１０２内で、前記検出面１０５の高さを一定に維持しつつ前記照射位置検出装置１０３の位置を変更可能にした。 （もっと読む）

【課題】溶接ビードの仕上げ加工等を省略ないし簡素化することができるとともに、肉盛溶接の施工効率の向上、溶接変形の緩和等も図りながら、溶接継手部に所要の強度を確保できる羽根車の溶接方法及び溶接装置を提供する。
【解決手段】羽根１３に突き合わせられる側板１２の反突き合わせ側の面に、羽根１３に向けて所定の深さと幅を有する溝１４を設け、該溝１４の底部１４ａにレーザ光２１を照射して、裏側に形成されるビード部分４が内方側に凹んだ曲面となるように、溝底部１４ａと羽根１３の端部とを裏波溶接し、その後、溝底部１４ａにレーザ光２１を走査しながら溶融部に溶加材８を供給して肉盛溶接を行う。この場合、レーザ光２１の集光部２１１が細長方形とされ、裏波溶接工程では、集光部２１１の長辺を溝１４の長さ方向に対して平行ないし所定角度傾斜させ、溶接工程では、集光部２１１の長辺を溝１４の長さ方向に対して裏波溶接工程とは異なる角度に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】複数のマークを非マス目状の行列配置パターンでマーキングする場合に、その行列配置パターンにおける各マークに関するマーキング情報の入力作業が簡便であってマーキング作業を迅速に実行することができるレーザマーキング装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を走査して非マス目状行列パターンにマークをマーキングする場合に必要となる座標データを算出可能とする計算式３５を操作者が作成してマーキング情報設定画面Ｇに入力設定すると、その計算式３５の算出結果に基づき所望するパターンの座標データを生成することができる。 （もっと読む）

【課題】マーキングの深さの均一性を保つと共に、マークの形状を変化させることなくマーキングを行う。
【解決手段】制御部（補間点設定部）は、マーク２１のマーキング情報から、始点３６ａ，３７ａと終点３６ｂ，３７ｂを含み、線分３６，３７を分割した補間点の座標データを生成する。そして、制御部（通過時間計算部）は、補間点設定部により生成された座標データに基づいて、線分３６，３７の重なりに対応する通過時間Ｔを算出する。そして、制御部は、算出した通過時間Ｔの間、シャッタをＯＦＦ制御して線分３７を形成するためのレーザ光をマーキング対象物に照射しないようにした。 （もっと読む）

【課題】複数のマークを非マス目状の行列配置パターンでマーキングする場合に、その行列配置パターンにおける各マークに関するマーキング情報の入力作業が簡便であってマーキング作業を迅速に実行することができるレーザマーキング装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を走査して非マス目状行列パターンにマークをマーキングする場合に必要となる座標データを算出可能とする計算式３５とその計算式３５に対応した複数のパターン３０ａ〜３０ｃが表示されたマーキング情報設定画面Ｇには、計算式３５の構成要素となっているマーキング情報を変更可能に入力可能な複数の入力欄３３ａ，３３ｂ，３４ａ〜３４ｃが設けられている。したがって、これらの入力欄から所望するパターンの座標データを算出可能とする計算式３５に書き換え変更可能である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、且つ装置内においてレーザ光学系の調整を行うことができる。
【解決手段】ワークＷをアライメントするために、ワークＷを画像認識する画像認識手段と、位相格子６６を含むレーザ光学系５３を有すると共に、ワークＷに対し、位相格子６６により分光したレーザ光を照射して列状に複数のレーザ処理を行い、複数の処理結果からなるレーザ処理列を形成するレーザ処理手段と、を備えたレーザ処理装置３におけるレーザ光学系５３の調整方法において、画像認識手段により、レーザ処理列を撮像してレーザ処理列の位置ズレを画像認識する画像認識工程と、画像認識工程の認識結果に基づいて、レーザ光学系５３を調整する光学系調整工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、スクライブラインに形成されたマークを避けて迅速にチップの切り分けを行うことができるレーザダイシング装置を提供すること。
【解決手段】ウエハ８０が載置されるステージ４１と、少なくとも二本のレーザビームＬ１、Ｌ２を出力するレーザ出力部（光学系７１）とを有し、前記ウエハ８０のスクライブ領域に形成された導電性のマークを避けるように、前記少なくとも二本のレーザビームＬ１、Ｌ２が前記マークの両脇を通って、前記ウエハ８０をダイシングすることを特徴とするレーザダイシング装置１０による。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で位置精度を向上させることができるレーザ加工におけるレーザ照射位置の補正方法を提供する。
【解決手段】被加工物に実加工時より少ない数の孔をテスト加工し、それらの孔の位置と目標位置との間の第１のずれ量を測定し、第１のずれ量の反対方向に同じ量だけずらしたデータである逆特性フィルタを作成する。逆特性フィルタを通した座標データを用いて２回目の孔をテスト加工し、それらの孔の位置と目標位置との間の第２のずれ量を測定する。第２のずれ量から非線形回帰分析により実加工時における加工領域全域のずれを表現する回帰式を作成し、上記回帰式に目標位置を代入して予測ずれ量を算出し、逆特性フィルタを通した座標データから予測ずれ量を減算し、加工位置を求める。 （もっと読む）

絶縁体が内部に固定されているハウジングを備える内燃機関用の点火装置と、その製造方法とを提供する。中心電圧が絶縁体内に装着される。接地電極はハウジングから延在しており、接地電極の一部分が、中心電極からのスパークギャップを規定している。中心電極は着火先端部を有しており、最初に、抵抗溶接継手が着火先端部を中心電極に結合し、実質的に着火先端部の材料から形成される重なり合った第１の溶接プールからなる連続したビードがさらに着火先端部を電極に結合する。第１の溶接プールから径方向に外側に形成された重なり合った第２の溶接プールからなる連続したビードが、第１の溶接プールから中心電極の外面にまで延在する丸みのある肩部表面を形成する。
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【課題】 凹みの小さな面取り加工面を形成することができる脆性材料基板の加工方法を提供する。
【解決手段】 基板１０に対する吸収率が０．０５〜０．９５である波長のレーザ光源を用いて、エッジライン１１近傍に入射するようにレーザ光を照射し、エッジラインから基板内部にかけて分布するレーザ光吸収領域１４によって基板内部に温度分布を形成し、この温度分布により基板内部に生じた熱応力分布を利用してクラックを進展させるとともにクラックの進展方向を調整することにより、基板内部にクラックを制御することができる熱応力分布場を形成する。 （もっと読む）

【課題】高コストなコンバイナーを省いてレーザ加工装置を低コスト化する。コンバイナーをなくすことにより加工用レーザ光の損失をなくしてワークに対する加工用レーザ光の照射効率を高める。コンバイナーをなくすことにより、これを透過及び反射する際に損失される加工用レーザ光により高温防止を考慮する必要がなく、装置自体を小型化及び低コスト化する。
【解決手段】シャッターに対し、該シャッターが遮断位置に移動された際に、加工用レーザ光発振手段からの光軸に一致する可視光領域のポインタ用レーザ光を出力するポインタ用レーザ光発振手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１に対して、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿っての切断起点領域８ａ，８ｂの形成を予め行う。ここで、切断起点領域８ｂは、加工対象物１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより形成される改質領域７ｂを有するものであり、しかも、切断予定ライン５ｂに沿った部分のうち、切断予定ライン５ａと交差する部分３４ｂを除いて形成される。これにより、切断起点領域８ａを起点として加工対象物１を切断する際に、切断起点領域８ｂの影響力が極めて小さくなり、精度の良い劈開面を有するバーを確実に得ることができる。従って、複数のバーのそれぞれに対して、切断予定ライン５ｂに沿っての切断起点領域の形成を行うことが不要となり、半導体レーザ素子の生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板の分断に適した分断方法を提供する。
【解決手段】 （１ａ）サファイア基板のｃ軸をＲ面上に投影した投影線（Ｔ）に垂直な第一方向への第一方向スクライブ工程、（１ｂ）第一方向にレーザ加熱および加熱後の冷却を行い、厚さ方向に進展させる第一方向クラック進展工程、（２ａ）第一方向と直交する第二方向への第二方向スクライブ工程、（２ｂ）第二方向にレーザ加熱および加熱後の冷却を行い、厚さ方向に進展させた第二方向クラックを基板の裏面または裏面近傍まで到達するように形成する第二方向クラック進展工程とからなり、第一方向クラック進展工程でクラックは前記サファイア基板の裏面に達しないようにしておき、第二方向クラック進展工程のときに、第一クラックが進展して裏面まで到達させることにより第一方向に沿って分断、または、第一方向と第二方向とに沿って同時に分断されるようにする。 （もっと読む）

【課題】高精度の捺印（マーキング）を行うことができ、しかも、生産効率に優れたレーザ捺印装置およびレーザ捺印方法を提供する。
【解決手段】ワーク搬送手段１にて、ワークＷを捺印位置Ａに供給するとともに捺印位置Ａから搬出する。姿勢検出手段３にて、捺印位置Ａよりも上流側においてワークＷの姿勢を検出する。位置調整手段５にて、姿勢検出手段３にて検出されたワークＷの姿勢に基づいてレーザ捺印手段２によるレーザ光照射位置を調整する。捺印ずれ検出手段６にて、捺印位置よりも下流側において捺印ずれを検出する。捺印ずれ検出手段６にて、検出された捺印ずれ量に基づいて位置調整手段５によるレーザ光照射位置を制御する。 （もっと読む）

【課題】溶接予定領域に沿って溶接部を順次形成する場合に、被加工物のギャップが徐々に広がることを防止し、接合体の歩留まりを向上させることのできるレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】判定用のワーク１０Ａ，１０Ｂの溶接予定領域Ｒに沿って順次溶接部Ｗ１〜Ｗｎを形成する。このとき、ＡＥセンサからの出力値に基づき、ギャップ異常判定部３７により、レーザビームの照射開始時刻Ｔｓから照射終了時刻Ｔｅまでの間に設定された判定基準時刻Ｔｄでギャップ異常の有無の判定を行う。そして、ギャップ異常が有ると判定した場合に、レーザビーム照射制御部３３により、レーザビームの照射を照射終了時刻Ｔｅまで行うことなく判定基準時刻Ｔｄにおいて中断する。これにより、溶接部形成位置Ｎｉにギャップ異常が発生している場合であっても、溶け込み部がギャップ内へ侵出してしまうことを抑制あるいは防止する。 （もっと読む）

【課題】複数のトラックのスケールパターンの加工を高速に行うことができるリニアスケールの製造装置を得る。
【解決手段】被加工材料７を長手方向に移動させるステージ８を移動制御装置９によって移動制御する。ガルバノミラー４は、レーザ光線１１の被加工材料７への照射スポットの位置を被加工材料７の移動方向に対して垂直な方向に偏向する。調整手段１０は、レーザ制御装置２によるレーザ光線１１のオン／オフ制御と、移動制御装置９によるステージ８の移動制御と、ガルバノミラー４による偏向位置制御を、複数のトラックに任意のスケールパターンを形成するよう調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実際に形成されたパッドの位置情報を測定してビアホールを形成する工程に反映することにより、基板に部分的や非線形的な変形があるとしてもパッドとビアとの整合度を向上することができる。このように向上された整合度は基板をデザインする際に、より多くの自由度を保障するため、結果的に、基板に形成される回路の集積度を向上させることができる印刷回路基板製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明の印刷回路基板製造方法は、パッド及びパッドをカバーする絶縁層を備える基板を提供する段階と、基板のイメージを得る段階と、イメージを分析してパッドの位置情報を得る段階と、絶縁層の位置情報に対応する部分を除去してビアホールを形成する段階と、ビアホールを伝導性物質で充填してビアを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配管の外周面を加熱して同配管の残留応力を低減（除去も含む）することができ、しかも装置構成が比較的コンパクトであり、また、屈曲管部の外周面を加熱することもできる配管の残留応力改善装置を提供する。
【解決手段】レーザヘッド部６と、リングレール３と回転走行台車５からなる円周方向移動手段と、配管の外周面で反射したレーザ光がレーザヘッドに戻らないようにレーザ光の反射方向を調整する反射方向調整手段とを備える。更には、レーザ光をレーザヘッドよりも管軸方向の前方に位置する屈曲管部の外周面に照射するようにレーザ光の出射方向を調整する出射方向調整手段、レーザヘッド部を管軸方向に移動させる管軸方向移動手段、屈曲管部の外周面における照射強度が均一になるようにレーザ光の出力を調整する出力調整手段などを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】分割予定線に沿う方向に長い改質領域を形成すること。
【解決手段】パルスレーザ光の長軸方向を石英基板Ｗの分割予定線に沿う方向に一致させるようにした。そのため、例えば、楕円形状のパルスレーザ光の短軸方向を石英基板Ｗの分割予定線に沿う方向に一致させる方法に比べ、パルスレーザ光の照射領域を分割予定線に沿う方向に拡大でき、分割予定線に沿う方向に長い改質領域を形成できる。 （もっと読む）

【課題】電極に挟まれた電極の損傷を防止すること。
【解決手段】電極６の直上の層に改質領域を形成するときに、つまり、対向基板２の最下層に第４の改質領域ｄを形成するときには、他の層に第１〜３、５および６の改質領域ａ〜ｃ，ｅ，ｆを形成するときよりも、レーザ光の集光性を高めるようにした。そのため、電極６の直上の層においてレーザ光の集光性が向上されることで、当該層を透過したレーザ光の拡散度合いが向上し、電極６に照射されるレーザ光のエネルギー密度を低下でき、ＴＦＴ基板１および対向基板２に挟まれた電極６の損傷を防止できる。 （もっと読む）