【課題】分割予定ラインの内部に改質層を形成すること。
【解決手段】複屈折性結晶材料から構成されたワーク１の光学軸の方向を検出し、検出された光学軸の方向と分割予定ライン１１の延伸方向とに基づいて、常光線、異常光線、及び常光線と異常光線との複合光線のうちのいずれか１つを分割予定ライン１１に照射するレーザー光線として選択し、選択されたレーザー光線を分割予定ライン１１に照射して走査する。これにより、分割予定ライン１１の内部に改質層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 前処理等が不要であると共に材質や厚みが均一でシリコン母材への付着力が弱い酸化被膜を加工前に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンＳにレーザ光を照射して加工する方法であって、シリコンＳに対しアブレーション反応を生じさせる閾値近傍のエネルギー密度であり、且つ酸素含有雰囲気中でシリコンＳの表面に繊維状シリコン酸化物による酸化被膜Ｓ１を形成可能なエネルギー密度に設定された第１のレーザ光Ｌ１を加工領域およびその周辺に照射してこれら表面に酸化被膜Ｓ１を形成する被膜形成工程と、シリコンＳをアブレーション反応で加工可能なエネルギー密度で酸化被膜Ｓ１上から第２のレーザ光Ｌ２を加工領域に照射して該加工領域表面の酸化被膜Ｓ１を除去すると共に加工領域を加工する加工工程と、加工工程後に残った酸化被膜Ｓ１を除去する被膜除去工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】精度よく切断することが可能なウェハを提供する。
【解決手段】表面３及び裏面を有し、複数のチップに分断されるウェハであって、切断の起点となる改質領域７が内部に形成されている。改質領域７は、レーザ光Ｌの照射により形成される複数の改質スポットＳにより形成されている。複数の改質スポットＳは、ウェハの内部における表面３から所定距離の位置に形成されていると共に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有している。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３０を形成した後、サファイアウェーハ１の裏面側に反射膜３１を形成し、その後、改質層３０に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ラインに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第１主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第１主面とは逆側の第２主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域が形成された基板を提供する。
【解決手段】 本発明に係る切断起点領域が形成された基板１は、内部にレーザ光照射による切断起点領域となる改質領域が平面視で格子状に形成された基板１であって、改質領域を起点とする割れ１５が、基板１の一方の面には到達しているが、他方の面には到達していないことを特徴とする。基板としては、半導体基板、サファイア又はＡｌＮの絶縁基板であってよい。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ライン１１に沿って反射膜３０が吸収する波長のパルスレーザを集光して照射し、反射膜３０の厚みよりも深い溝３３を分割予定ライン１１上に形成し、その後、溝３３によってサファイア面が露出した分割予定ライン１１に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザＬ２をサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３４を形成し、改質層３４に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ライン１１に沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに保持された被加工物の上面位置を正確に計測することができる高さ位置計測装置を提供する。
【解決手段】高さ位置計測装置は、発光源からの光を第１の偏波保持ファイバーと第２の偏波保持ファイバーに導く光分岐手段と、光照射光路に導かれた光を平行光に形成する第１のコリメーションレンズと、平行光に形成された光を偏光する１／４波長板と、対物レンズと、第１の反射光と第２の反射光とを平行光に形成する第２のコリメーションレンズと、第１の反射光と第２の反射光との光路長を調整する光路長調整手段と、第１の反射光と第２の反射光との干渉を回折する回折格子と、回折格子によって回折した第１の反射光と第２の反射光の所定の波長域における光強度を検出するイメージセンサーと、検出信号に基づいて分光干渉波形を求め分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】光デバイスの品質を低下させることなく個々の光デバイスに分割することができる加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】光デバイスウエーハ１０の基板１００にアブレーション加工を施すレーザー光線ＬＢをストリートに沿って照射し、基板の表面または裏面に破断起点となるレーザー加工溝１４０を形成するレーザー加工溝形成工程と、光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを破断起点となるレーザー加工溝に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程とを含み、レーザー加工溝形成工程を実施する際には、基板にレーザー光線を照射すること（５２）によって生成される変質物質をエッチングするためのエッチングガス雰囲気を生成（７）し、プラズマ化されたエッチングガスが基板にレーザー光線を照射することによって生成される変質物質をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】裏面のラフネスが大きい透明材料や、欠陥が存在する透明材料などであっても、被加工面を精度良く加工することができるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】レーザー光を用いて透明材料を加工する方法であって、レーザー光の発振波長は、１９３〜１１０００ｎｍであり、且つ、透明材料は、レーザー光の吸収係数が１ｃｍ^−１以下であり、透明材料の被加工面に対し、レーザー光の吸収係数が１μｍ^−１以上のレーザー光吸収物質を付着させるレーザー光吸収物質付着工程と、透明材料に付着させたレーザー光吸収物質の表面側からレーザー光を照射し、透明材料の被加工面に加工を施すレーザー加工工程とを含むことを特徴とする、透明材料のレーザー加工方法である。 （もっと読む）

【課題】耐火レンガ炉壁の整形切断時に、他の炉壁へ損傷を与えることを防止できるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、耐火レンガ炉壁表面にレーザ光を照射するレーザ照射部と、レーザ光照射点における発光強度を測定する発光強度測定部と、測定結果に基づいて、耐火レンガ炉壁のレーザ切断条件に応じてレーザ照射部を制御する制御部と、を備える。制御部は、耐火レンガの厚みに対するレーザ切断条件を記憶するレーザ情報記憶部と、破孔部の周囲を整形切断する前に、耐火レンガ炉壁の切断ライン上の任意の位置において耐火レンガ炉壁表面にレーザ光を予備照射して、耐火レンガの残存厚みを推定し、耐火レンガ炉壁の整形切断時におけるレーザ切断条件を決定する加工条件決定処理部と、決定されたレーザ切断条件に基づいて、レーザ照射部のレーザ光の出力強度およびレーザ照射部の移動速度を制御する駆動制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を照射し、基板３の内部に切断予定ラインに沿った改質領域１３を形成し、この改質領域１３を切断起点領域として、基板３を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断予定ラインは格子状に設定されており、切断起点領域を、基板３の厚さ方向における中心位置から基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを基板３のレーザ光照射面には到達するが、基板３の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域形成の制御装置を提供する。
【解決手段】 照射するレーザ光の集光点Ｐが基板１の内部の所定の位置となるように、レーザ光源１０１の集光点Ｐと基板１の載置台１０７との基板厚さ方向の相対位置を設定する手段と、設定された基板厚さ方向の位置を保って、レーザ光源１０１と載置台１０７とを格子状の切断予定ライン５に沿って相対移動させる手段と、集光点Ｐでのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を基板１に照射して、基板の厚さ方向における中心位置から、基板１のレーザ光照射面側に偏倚した基板内部位置に、改質領域を形成し、改質領域を切断起点領域とする割れを、基板１のレーザ光照射面には到達するが、基板の反対側の面には到達しないように発生させる手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度なレーザースクライブが実現可能なレーザースクライブ割段方法
【解決手段】平面矩形状の基板２の互いに直交する第一方向Ｆと第二方向Ｓとにそれぞれ沿ってレーザーを複数列照射して格子状にスクライブ２１，２２を形成して基板２を割段するレーザースクライブ割段方法であって、前記基板２を複数列にレーザーを照射してスクライブ２１，２２を形成する前に、第一列２１１を形成する位置の近傍側縁に補強保持部材３を密着配置するスクライブ前処理工程と、前記補強保持部材３から近い順番に前記第一方向Ｆと平行な第一列２１１〜第ｎ列にレーザーを照射してスクライブ２１を形成する第一スクライブ工程と、この第一スクライブ工程でスクライブ２１が形成された第一列２１１から第ｎ列にかけて前記第二方向Ｓと平行な第一列２２１〜第ｍ列にレーザーを照射してスクライブ２２を形成する第二スクライブ工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、基板の表面上にIII−V族化合物半導体からなる半導体層が積層され、且つ基板に達しない溝が切断予定ライン５に沿って半導体層に形成されたウェハ２に、レーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域をライン５に沿って基板の内部に形成する。装置１００は、ウェハ２が載置される載置台１０７と、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌをウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、ウェハ２を撮像し、溝が撮像された撮像データを取得する撮像素子１２１と、撮像データに基づいて、溝に対して所定の位置に改質領域が形成されるように、載置台１０７及びレーザ光源１０１を制御する制御部１２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の脆性材料基板を分断する際に、飛散物なしに、かつ比較的厚みが厚い基板においても走査数を少なくして容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって、第１及び第２工程を含んでいる。第１工程は、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する。第２工程はパルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査する。そして、以上の工程によって、脆性材料基板の厚みｔに対して、厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで改質層から基板の表面に向かって亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）