【課題】導電性・絶縁性試料を問わず試料に損傷を与えることなくナノメートルオーダー精度での加工を実現することができ、かつ従来手法に比べ効率に優れ、加工時間の短縮・簡便化を図ることができる試料の微細加工方法を提供する。
【解決手段】超高真空下において、試料多層膜構造を有する試料の被加工部に、高電界を形成すると共に、レーザー光１３を照射して、光励起電界蒸発を行わせることによりその原子構造に損傷を与えることなく微細加工する。このとき、高電界を形成するための電極１１ａとして、レーザー光の行路となるピンホール１２が設けられた電極を用いることが好ましい。光ファイバーを通してパルスレーザー光を照射することが好ましい。また、レーザー光として、パルスレーザー光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の脆性材料基板を、飛散物なしに、かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断できるようにするとともに、取扱いが容易であり、しかもこの基板に形成された素子の特性を損なわないようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。第１工程では、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射して脆性材料基板の内部に改質層１２を形成するとともに、パルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査し、改質層１２から脆性材料基板の第１主面に向かって第１主面に到達しない長さの亀裂を進展させる。第２工程では亀裂を残して脆性材料基板の第２主面側を研磨し、改質層１２を除去する。 （もっと読む）

【課題】加工対象物内部のクラックの発生を制限可能なレーザ加工を行う。
【解決手段】
レーザ加工装置１は、ガラス又は水晶を加工対象物５０としてレーザ加工する装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源１２と、レーザ光の出射条件を制御する制御手段１０と、レーザ光を加工対象物に集光する集光手段１６、１９とを備え、制御手段は、（ｉ）ガラスを加工対象物とする場合、レーザ光のパルスピーク出力を、平均出力に対して２５倍以上、（ｉｉ）水晶を加工対象物とする場合、レーザ光のパルスピーク出力を、平均出力に対して６倍以上となるようレーザ光の出射条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】加工送り速度を向上させること。
【解決手段】レーザービームＬＢを照射して第一の溝を形成する分割起点領域Ｒ１と、レーザービームＬＢを照射しない又は第一の溝よりも浅い第二の溝を形成する非分割起点領域Ｒ２とを分割予定ライン上に交互に設定し、移動手段によって保持手段を一定の速度で加工送りして集光器４１の下に非分割起点領域Ｒ２が位置付けられた際に、走査部４０によってレーザービームＬＢの照射位置を分割起点領域Ｒ１に位置付けてアブレーション加工を施す。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージを移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部を移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】光照射領域の周縁（エッジ）と、ワークの材料層に形成しているスクライブラインを簡便な方法で一致させてレーザ光を照射し、透明基板から材料層を剥離させること。
【解決手段】レーザ光出射部１０から、開口が設けられたマスクＭ、投影レンズ４０を介して蛍光板３０ａにレーザ光を照射して、アライメント顕微鏡５０により蛍光板３０ａ上に形成される光照射領域の位置を検出する。次に、ワークステージ３０上に載置されたワークＷ上のワーク・アライメントマークの位置をアライメント顕微鏡５０で検出する。ワークＷは、透明基板上に形成された材料層がスクライブラインにより複数の領域に分割されたものであり、制御部６０は検出した光照射領域の位置とワーク・アライメントマークの位置とに基づき、ワークステージ３０を移動して光照射領域の位置とワークの分割された一乃至複数の領域の位置とを一致させ、レーザ光をワークＷに対して照射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明な透明部材を、ステージに載置された被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、透明部材を被加工面に隣り合わせて配置した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにステージを移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で被加工板を精度良く割断することができ、且つ被加工板の使用効率を高めることができる割断方法などを提供すること。
【解決手段】被加工板１０の表面１１に形成されたスクライブ線１２の少なくとも一部に沿ってレーザ光１００の照射領域１０１を相対的に移動させることで、照射領域１０１の前方で、スクライブ線１２から亀裂２０２を伸展させて被加工板１０を割断する割断方法であって、スクライブ線１２上の亀裂２０２の先端２０３と被加工板１０のエッジ１４との間の最短距離をＭ（ｍｍ）とし、被加工板１０の板厚をｔ（ｍｍ）とすると、０．４ｔ≦Ｍ≦４ｔの関係を満足する、被加工板１０のエッジ１４付近において、照射領域１０１は、移動方向長さをＡ（ｍｍ）とし、幅方向長さをＢ（ｍｍ）とすると、１／５×ｔ≦Ｂ≦１／２×Ｍ、および、０．２＜Ａ／Ｂ≦３の関係を満足するように形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内に、基板の厚さ方向における深さが異なる複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第１出力にてレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１を形成し、第１改質領域Ｌ１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第３出力（＜第１出力）のレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１よりも浅い第３深さＤ３となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１に沿う第３改質領域Ｌ３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成される改質領域の位置ずれを抑制する
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、ｙ方向に向かう第３改質領域Ｌ３、ｘ方向に向かう第４改質領域Ｌ４を、第１改質領域Ｌ１〜第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、改質領域群を構成する第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の上面位置を計測する高さ位置計測装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第１の経路に導き、反射光を第２の経路に導く光分岐手段と、第１の経路に導かれた光を平行光に形成するコリメーションレンズによって平行光に形成された光を被加工物に導く対物レンズと、コリメーションレンズと対物レンズとの間に配設され、対物レンズ側の端面に反射ミラーが形成され、光路長を伸ばす透明体からなる円筒状の基準光路長設定部材と、反射ミラーによって反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光と、被加工物で反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光との干渉を回折する回折格子と、回折した反射光の所定の波長域における光強度を検出するイメージセンサーからの検出信号に基づいてチャックテーブルの表面から被加工物の上面までの距離を求める制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射し、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板１１の基板表面１１ａに近い側から遠い側（基板裏面１１ｂに遠い側から近い側）に向けて順番に、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】要求される品質に応じて分割力を高めることができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】半値幅と裾幅とが互いに等しいパルス波形を有するレーザ光Ｌを加工対象物に照射することで、切断予定ラインに沿って改質スポットを加工対象物内に複数形成し、複数の改質スポットによって改質領域を形成する。ここで、レーザ光源１０１は、レーザ光源制御部１０２によって駆動電源５１を制御し、レーザ光ＬのＰＥ値に応じてパルス波形を第１〜第３パルス波形の間で切り替える。低ＰＥ値の場合、その前半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第１パルス波形をパルス波形として設定すると共に、高ＰＥ値の場合、その後半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第２パルス波形をパルス波形として設定する。 （もっと読む）

【課題】 前処理等が不要であると共に材質や厚みが均一でシリコン母材への付着力が弱い酸化被膜を加工前に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンＳにレーザ光を照射して加工する方法であって、シリコンＳに対しアブレーション反応を生じさせる閾値近傍のエネルギー密度であり、且つ酸素含有雰囲気中でシリコンＳの表面に繊維状シリコン酸化物による酸化被膜Ｓ１を形成可能なエネルギー密度に設定された第１のレーザ光Ｌ１を加工領域およびその周辺に照射してこれら表面に酸化被膜Ｓ１を形成する被膜形成工程と、シリコンＳをアブレーション反応で加工可能なエネルギー密度で酸化被膜Ｓ１上から第２のレーザ光Ｌ２を加工領域に照射して該加工領域表面の酸化被膜Ｓ１を除去すると共に加工領域を加工する加工工程と、加工工程後に残った酸化被膜Ｓ１を除去する被膜除去工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の脆性材料基板にレーザ光を照射してスクライブ溝を形成する際に、高い端面強度を維持して深いスクライブ溝を形成する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を備えている。予備加工工程は、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずに溶融のみを生じさせる。スクライブ工程は、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ溝を形成する。 （もっと読む）