【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、表面に金属膜が形成される被加工基板について、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜を備える被加工基板のレーザダイシング方法であって、被加工基板をステージに載置し、金属膜に対してデフォーカスされたパルスレーザビームを照射し、金属膜を剥離する金属膜剥離ステップと、被加工基板の金属膜が剥離された領域にパルスレーザビームを照射し、被加工基板にクラックを形成するクラック形成ステップを有
することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】複数の加工予定ラインのピッチが小さい場合でも、複数の光学ユニットを並べて複数の加工予定ラインに沿って同時にレーザ光を照射することができるようにする。
【解決手段】このレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ発振器２と、第１光学ユニット４１及び第２光学ユニット４２と、を備えている。第１光学ユニット４１及び第２光学ユニット４２は、それぞれ、レーザ発振器２からのレーザ光を複数のレーザ光に分岐する回折光学素子５２と、回折光学素子５２からの複数のレーザ光を基板上の１つの直線に沿って並ぶように集光させるレンズ５３と、を有する。そして、第１光学ユニット４１によって基板上に集光させられる複数のビームスポットを結んだ第１直線Ｌ１と、第２光学ユニット４２によって基板上に集光させられる複数のビームスポットを結んだ第２直線Ｌ２とは、互いに平行でずれている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、特に外周部に反りが発生しやすい強化ガラスにおいてもガラス基板の外周部の反りの影響を確実に防止するとともに、ガラス基板の内部部分の歪みもなく割断予定線に沿った高品質のスクライブ加工を可能とするガラス基板の加工装置を提供する。
【解決手段】
ガラス基板１を載置するガラス基板保持テーブル１０として多孔質部材からなる平面テーブルを使用し、この多孔質平面テーブルに載せるガラス基板１の外周部に対応する部分を支持する外周部１５の多孔質部材の粒径とガラス基板１の内部に対応する部分を支持する内部１６の多孔質部材の粒径を異ならせて、多孔質平面テーブルの外周部における吸着力を強く、内部部分における吸着力を弱くする。 （もっと読む）

【課題】 加工ユニットや搬送機構のバリエーションに合わせて、対応しやすい構造のレーザスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 加工ユニットＡとレーザユニットＢとからなり、加工ユニットＡは直方体の外観を構成するように組成された加工ユニットフレーム１により囲まれ、レーザユニットＢは加工ユニットフレーム１の上面と同形となる底面形状を有する直方体の外観を構成するように組成されたレーザユニットフレーム２２により囲まれ、加工ユニットＡは、加工ユニットフレーム１に囲まれた内側空間で支持される石定盤３、移動ステージ１３、テーブル１５を備え、レーザユニットＢは、レーザユニットフレーム２２に支持されるレーザ光源１６およびレーザ光照射部１７を備え、レーザユニットフレーム２２と加工ユニットフレーム１とは着脱できるようにユニット化する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハをレーザ加工前に予め保護膜が塗布されているか否かを検知可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】保護膜が表面に塗布された被加工物を粘着テープを介して吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザビーム照射手段と、該被加工物上に保護膜を塗布する際に該粘着テープ上に流出した保護膜の有無を検知し、該被加工物の表面に保護膜が塗布されているか否かを検知する保護膜検知手段とを具備し、該保護膜検知手段は、該被加工物と該粘着テープを挟んで対向するように配設された発光部及び受光部と、該受光部が受光した光量と基準光量とを比較する制御部とを含み、該受光部が該発光部からの光を該粘着テープ越しに受光した光量を該制御部で基準光量とを比較し、該被加工物の表面に保護膜が塗布されているか否かを検知する。 （もっと読む）

【課題】切断された加工対象物の切断面において少なくとも可視光および近赤外光に対して不透明な領域の形成を低減でき、上記加工対象物の、切断のためのレーザ光の入射面において、該レーザ光に起因する熱源の発生を抑制することが可能なレーザによる割断方法、レーザ割断装置、およびレーザ光発生装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザによる割断方法は、加工対象物３４の内部に割断予定線に沿って、改質領域を形成し（ステップＳ４１）、加工対象物３４の内部において、フェムト秒レーザにより、光吸収率増加領域を形成し（ステップＳ４２）、光吸収散る増加領域が元に戻る前に、加工対象物３４に対して透明なナノ秒レーザを加工対象物３４に照射し、光吸収率増加領域にナノ秒レーザを吸収させて、割断予定線に沿って加工対象物３４を切断する（ステップＳ４３）。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ動作時の振動を抑えると共に、レーザ光によって正確にスクライブ溝を形成することのできるスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 枠材で立体に組成されたフレーム１と、フレーム１の内部で設置面Ｒ近傍で下部横枠１ｂに支持される底部支持板２と、底部支持板２上に載置される石定盤３と、石定盤３の上面に取り付けられる移動ステージ１３と、該移動ステージ１３上に支持され脆性材料基板Ｗが載置されるテーブル１５と、レーザ光源１６を支持する上部支持板２０と、該レーザ光源１６からのレーザ光をテーブル１５上に載置した脆性材料基板Ｗに照射するレーザ光照射部１７とからなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にバファー層を介して積層された光デバイス層に移設基板を接合した後、光デバイス層を損傷させることなくバファー層を確実に破壊してサファイア基板を確実に剥離することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２０の表面にバファー層２２を介して光デバイス層２１が積層された光デバイスウエーハ２に移設基板３を接合する移設基板接合工程と、サファイア基板側からパルスレーザー光線を照射して前記バファー層を破壊するバファー層破壊工程と、バファー層が破壊された光デバイスウエーハのサファイア基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移し替えるサファイア基板剥離工程とを含み、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長く、バファー層の吸収端よりも短く、かつ熱拡散長が２００nm以下となるパルス幅のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】製造ロットが相違したり製造メーカーが異なるサファイア基板であっても適正な改質層を形成することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線を照射し、サファイア基板の内部に改質層を形成する加工方法であって、サファイア基板の特性に対応して少なくとも２種類の加工条件を設定する加工条件設定工程と、加工条件が設定されたサファイア基板を判別するための判別条件設定工程と、設定された判別条件に基づいてサファイア基板を判別し、サファイア基板の該加工条件設定工程において設定された少なくとも２種類の加工条件から一つの加工条件を決定する加工条件決定工程と、加工条件決定工程において決定された加工条件に従ってレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、この改質領域によって、ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハを切断する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】回折光学素子によって一次光を生成するとともに、一次光に生成されなかった０次光を排除することができるレーザー光線照射装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線発振手段と集光レンズとの間に配設され、レーザー光線のスポット形状を規定する回折光学素子と、回折光学素子によってスポット形状を規定した一次光と一次光に生成されなかった０次光のうち、０次光を排除してスポット形状を規定した一次光のみを集光器レンズに導く０次光排除手段とを具備し、０次光排除手段は一次光と０次光が入光する入光面と入光面に対して傾斜し一次光と一次光に対して角度を有する０次光とが出光する出光面を備えた第１のプリズムと、第１のプリズムの出光面から出光された一次光を入光し０次光を反射する０次光反射面と一次光を出光する一次光出光面を備えた第２のプリズムと、第２のプリズムの０次光反射面で反射した０次光を吸収するダンパーとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの照射によって煙が発生して集光器の対物レンズにコンタミが付着しても、コンタミを容易に除去可能なレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器の対物レンズにガスを噴射して対物レンズを洗浄する噴射ノズルと、該噴射ノズルを該集光器と対向する位置に位置付ける噴射ノズル位置付け手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの照射によって煙が発生しても集光器の対物レンズが汚染されることのないレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器に隣接して配設され、該チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がｐｓｅｃオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第１と第２の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第１の半パルス光に対し後者を進む第２の半パルス光が単位パルス光の半値幅の１／３倍以上で１０ｎｓｅｃ以下の遅延時間だけ遅延するように第２の光路の光路長を設定し、第１の半パルス光と第２の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】空孔を有する有孔体の外周面に空孔に達する切欠凹部を形成するにあたって、空孔の閉塞や形状変化を防ぐことができる有孔体及びその加工方法を提供する。
【解決手段】空孔２ａを有する有孔体１の外周面１ａにグラインダ８等を用いて切欠凹部３を形成することによって、空孔２ａの一部が露出した開口部４を形成する。切欠凹部３の形成にあたって、空孔２ａに、開口部４から空孔２ａ内への異物の進入を防ぐ進入阻止材７を導入する。進入阻止材７によって、開口部４から空孔２ａ内への切削屑の進入が阻まれるため、空孔２ａの詰まりを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の厚み方向に異なる距離に複数段にわたって脆弱領域を形成しても、半導体素子の特性の劣化を抑制できる半導体ウエーハのレーザ加工方法等を提供する。
【解決手段】第１のレーザ照射工程では、レーザ光４５−１が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ１の集光レンズ４４−１により裏面１１０ｂから距離ｄ１の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２３が繰り返して形成される（図７（ａ１））。第２のレーザ照射工程では、レーザ光４５−２が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ２が開口数ＮＡ１より大きい集光レンズ４４−２により裏面１１０ｂから距離ｄ２の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２４が繰り返して形成される（図７（ｂ１））。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＨＣ膜に由来する基板の汚染を低減する。
【解決手段】基板の第１の主面を光熱変換膜を介して支持基板に張付ける工程と、支持基板上に露出した光熱変換膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。支持基板上に光熱変換膜を形成する工程と、半導体基板より外側に光熱変換膜が延在するように半導体基板を前記支持基板に張付ける工程と、光熱変換膜に汚染防止処理を行う工程と、支持基板と半導体基板とを分離させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合材の厚さに制限されることなく、より確実にかつより強い強度で接合された接合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】加熱光５の照射によって加熱溶融する接合材４を用いて第一および第二の部材２，３が接合された接合体１の製造方法に係る。第一の部材２の、第二の部材３と接合される接合面に第一の接合材料層４ａを形成する工程と、第一の接合材料層４ａの、第一の部材２と接触している面とは反対側の面、または第二の部材３の、第一の部材２と接合される接合面に、所定の波長を有する第一の加熱光５に対して第一の接合材料層４ａの吸光率よりも大きい吸光率を有する第二の接合材料層４ｂを形成する工程と、第一および第二の部材の間に第一および第二の接合材料層４ａ，４ｂを挟んだ状態で第一および第二の部材を配置する工程と、第一の加熱光５を、第一の接合材料層４ａの側から照射する第一加熱光照射工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透明部材からなる被加工物にパルスレーザー光線を照射して効率よくレーザー加工を施すレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】透明部材からなる被加工物にパルスレーザー光線を照射してレーザー加工を施すレーザー加工方法であって、被加工物の加工領域に第１のパルスレーザー光線を照射して加工領域を荒らす第１のレーザー加工工程と、第１のパルスレーザー光線の直後に第１のパルスレーザー光線の照射によって荒らされた加工領域に第２のパルスレーザー光線を照射して凹みを形成する第２のレーザー加工工程とを含み、第１のレーザー加工工程と第２のレーザー加工工程とを繰り返し実施することにより、連続的に凹み加工を施す。 （もっと読む）