【課題】クラックによってウェーハ表面のデバイスを破損するおそれを低減するための分割方法を提供する。
【解決手段】連続改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの内部で連続改質層よりデバイスウェーハの表面側にレーザビームの集光点を位置付けてレーザビームを分割予定ラインに沿って所定の間隔を設けて照射することで、デバイスウェーハの内部に分割予定ラインに沿って所定の間隔を隔てた複数の改質層からなる非連続改質層を形成する非連続改質層形成ステップを備えたウェーハの分割方法とする。 （もっと読む）

【課題】大型の被加工物表面の安定した微細加工とその高速化が容易にするパルスレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】クロック信号を発生する基準クロック発振回路と、クロック信号に同期した一定の周波数のパルスレーザビームを出射するレーザ発振器と、クロック信号に同期してパルスレーザビームを１次元方向のみに走査するレーザ・スキャナーと、被加工物を載置可能で１次元方向に直交する方向に移動するし、回転軸に保持されるロールと、レーザ発振器とレーザ・スキャナーとの間の光路に設けられ、クロック信号に同期してパルスレーザビームの通過と遮断を切り替えるパルスピッカーと、を備えることを特徴とするパルスレーザ加工装置。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ外周を切り落とすか又は切り欠くことなく、ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されたウエーハ及び識別マーク形成方法を提供することである。
【解決手段】 結晶体からなるウエーハであって、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域のウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加工物の異なる領域にそれぞれ異なる液状樹脂を被覆することができる保護膜形成装置を提供する。
【解決手段】保護膜形成装置であって、被加工物保持手段と、被加工物に第１の液状樹脂を微細粒子として噴射する第１の液状樹脂噴射手段７０ａおよび第２の液状樹脂を微細粒子として噴射する第２の液状樹脂噴射手段７０ｂと、液状樹脂噴射手段７０と被加工物保持手段を相対的に加工送り方向（X軸方向）に移動せしめる加工送り手段と、X軸方向と直交する割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめる割り出し送り手段と、液状樹脂噴射手段７０と被加工物保持手段との相対位置関係を検出するX軸方向位置検出手段と、Y軸方向に相対移動する液状樹脂噴射手段７０と被加工物保持手段との相対位置関係を検出するY軸方向位置検出手段と、X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基いて噴射手段を制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する際のスループットを向上可能であると共に材料のロスを低減可能な加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】切断予定面５Ａに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定面５Ａに沿って改質領域７を形成する。レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチを、改質領域７から生じた割れがｃ面割に沿って延びるピッチＰＴとする。そのｃ面割れが、インゴット１の切断予定面５Ａに沿っての切断を容易化するため、スループットを向上させることができる。また、切断予定面５Ａに沿ったｃ面割れが生じているので、切断予定面５Ａに沿って正確にインゴット１を切断することができる。このため、切断面を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ブレイク後のＬＥＤチップに加工変質層の残存しないＬＥＤパターン付き基板の加工方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に複数のＬＥＤ単位パターンを２次元的に繰り返し配置してなるＬＥＤパターン付き基板を加工する方法が、ＬＥＤパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、ＬＥＤパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、スクライブ工程を経たＬＥＤパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、エッチング工程を経たＬＥＤパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで改質領域、クラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】第１の材料と第２の材料とが接続された被加工物に加工孔を効率よく形成することができる穿孔方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化するまでのショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料から完全に第２の材料に変化した時までのショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程とし、レーザー加工孔を形成する際に、ショット数が最小値に達しプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、ショット数が最小値に達してもプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化しない場合にはショット数が最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止する。 （もっと読む）

【課題】加工対象物とは異なる屈折率を有する部材を介して照射されたレーザ光であっても、加工対象物の内部に改質領域を形成する。
【解決手段】加工対象物１と、加工対象物１とは屈折率が異なるエキスパンドテープ２０と、を積層する。加工対象物１の内部でレーザ光Ｌが集光するように、エキスパンドテープ２０を介して加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。すなわち、レーザ光Ｌは、エキスパンドテープ２０を透過し、加工対象物１の内部で集光する。これにより、レーザ光Ｌが集光する加工対象物１の内部において改質領域７が形成される。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の裏面に光反射層が形成された発光素子を歩留まり良く製造することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子の製造方法は、III−V族化合物半導体層１７が表面２ａに形成されたサファイア基板２の内部に集光点Ｐ１を合わせて、基板２の裏面２ｂをレーザ光入射面として、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿って基板２の内部に改質領域７ａ，７ｂを形成する工程と、その後に、基板２の裏面２ｂに光反射層を形成する工程と、その後に、改質領域７ａ，７ｂを起点として発生した亀裂を基板２の厚さ方向に伸展させることにより、基板２、半導体層１７及び光反射層を切断予定ライン５ａ，５ｂに沿って切断し、発光素子を製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】 液体を噴射する噴射孔１２ａを細長く形成して、被加工物２に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Ｌを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Ｌを反射させる第１ミラー２３と、該第１ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Ｌを第１ミラーに全反射させる第２ミラー２４とを設け、
さらに、上記第１ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第１ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第１ミラーと第２ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第１ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザー光線を光軸方向に変位した２つの集光点に集光させることができる比較的安価なレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線発振手段が発振するパルスレーザー光線を第１の偏光面を有する第１のパルスレーザー光線と第１のパルスレーザー光線と直交する第２の偏光面を有する第２のパルスレーザー光線とに分光して偏光面を維持するとともに一方の光路長を延ばして遅延させる第１の偏頗保持ファイバーおよび第２の偏頗保持ファイバーと、第１の偏頗保持ファイバーおよび第２の偏頗保持ファイバーによって伝送された第１のパルスレーザー光線と第２のパルスレーザー光線とを合流させて同じ光軸に導く合流手段と、合流手段によって合流した第１のパルスレーザー光線と第２のパルスレーザー光線のうち遅延された一方のパルスレーザー光線の広がり角を他方のパルスレーザー光線よりも小さくする偏光依存レンズとを具備している。 （もっと読む）

【課題】ＮＴＤシリコンウエハに対しても、ＹＶＯ４レーザー光を用いて文字パターン、識別パターンを、視認性の良好な深さを有する凹凸形状の印字ドットの刻印によって表示することができる半導体基板へのレーザー印字方法の提供。
【解決手段】中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する半導体基板１に、２００℃以上で３０分以上の熱処理を施した後、ＹＶＯ４レーザーを半導体基板１表面の余白部に照射して所要の識別パターンを刻印する半導体基板へのレーザー印字方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１を、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕２を横切る溝４を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】透明材料をスクライビングないし溶接する方法を提供する。
【解決手段】透明材料をスクライブするため、材料を横切るレーザビームのシングルパスで多重スクライブ造作を創るために、超短レーザパルスを使用し、該スクライブ造作の少なくとも一つは材料の表面下に形成され、クリーンな割断を可能にする。透明材料を溶接するための方法は、局在化された加熱を通して接合を創り出すために、超短レーザパルスを使用する。超短パルス持続時間は、レーザ放射の非線形吸収を起こし、レーザの高繰り返し率は、材料内に熱のパルスからパルスへの蓄積を起こす。レーザは材料の界面近くに集光され、溶接されるための領域に高エネルギーフルーエンスを生成し、材料の残部への損傷を最小化し、きれいな溶接線を可能にする。 （もっと読む）

【課題】貫通配線基板の両面に実装するデバイスの電極配置が多様で且つ高密度である小型のデバイスであっても、実装するデバイス間の電極を自由度高く電気的に接続することが可能な貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】第１面と第２面とを有する基板と；前記第１面及び前記第２面の間を貫通する貫通孔内に、導電性物質を充填又は成膜することにより形成された複数の貫通配線と；を備える貫通配線基板の製造方法であって、前記基板の前記第１面側からレーザー照射して、複数の貫通孔形成領域を改質する工程（Ａ）と；前記改質された貫通孔形成領域を除去して、貫通孔を形成する工程（Ｂ）と；を含む貫通配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に異種材料層が形成されてなる被加工物について、その分割がより確実に実現されるようにする。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、ステージを第１の方向に移動させつつ、第１の光源から出射させた予備加工用レーザー光を照射することにより、被照射領域において下地基板を露出させる予備加工工程と、第２の光源から出射させた、パルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である本加工用レーザー光の、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が、下地基板の露出部分において離散的に形成されるように、ステージを第２の方向に移動させつつ本加工用レーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で下地基板の劈開もしくは裂開を生じさせる本加工工程と、を備え、かつ、両光源からステージまでの光路が光路切替手段によって切替可能であり、光路切替手段からステージまでの光路を共通化するようにする。 （もっと読む）

【課題】 切断の起点となる改質領域を確実に形成することができるレーザ加工装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１の内部に集光されるレーザ光Ｌの収差が所定の収差以下となるように反射型空間光変調器２０３によって変調されたレーザ光Ｌが加工対象物１に照射される。そのため、レーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置で発生するレーザ光Ｌの収差を極力小さくして、その位置でのレーザ光Ｌのエネルギー密度を高め、切断の起点としての機能が高い改質領域７を形成することができる。しかも、反射型空間光変調器２０３を用いるため、透過型空間光変調器に比べてレーザ光Ｌの利用効率を向上させることができる。このようなレーザ光Ｌの利用効率の向上は、切断の起点となる改質領域７を板状の加工対象物１に形成する場合、特に重要である。 （もっと読む）