半導体チップ及びその製造方法
【課題】半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１を、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕２を横切る溝４を備えるものとする。
【解決手段】半導体チップ１を、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕２を横切る溝４を備えるものとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの高機能化、小型化、薄型化が進んでおり、更なる半導体チップの薄型化が求められている。半導体チップの薄型化は、半導体チップの裏面を研削することによって行なわれる。
このような半導体チップの薄型化に伴い、半導体チップの機械強度、即ち、チップ抗折強度が低下する。このため、半導体チップの機械強度を上げるために、半導体ウェハの裏面、即ち、半導体ウェハに含まれる半導体チップの裏面を研削した後に、研削条痕（ソーマーク）等を除去して鏡面化（平坦化）するストレスリリーフ処理を実施する場合がある。
【０００３】
なお、ストレスリリーフ処理には、乾式研磨、湿式研磨、エッチング方式などがある。例えば、乾式研磨によるストレスリリーフ処理では、ウェハの裏面を研削した後に、図１４（Ａ）に示すように、表面にテープ１０３が貼り付けられ、テーブル１０２上に保持されたウェハ１００の裏面に、ストレスリリーフ用砥石１０１Ａを備えるストレスリリーフ用ホイール１０１を回転させながら接触させて研磨を行なう。これにより、図１４（Ｂ）に示すように、ウェハ１００の裏面の研削条痕等は除去され、ウェハ１００の裏面は鏡面化する。
【０００４】
このようにして、裏面研削処理を行なった後、ストレスリリーフ処理を行なって作製された半導体チップ１０４は、図１５（Ｃ）に示すように、表面に回路１０５を有し、図１５（Ｄ）に示すように、裏面が鏡面化されたものとなる。これに対し、裏面研削処理を行なった後、ストレスリリーフ処理を行なわないで作製された半導体チップ１０４は、図１５（Ａ）に示すように、表面に回路１０５を有し、図１５（Ｂ）に示すように、裏面が研削条痕１０６を有するものとなる。
【０００５】
なお、上記方法以外にもストレスリリーフ処理を実施する手法は存在する。例えばレーザー処理によるストレスリリーフ処理がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３７８９８０２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Annette Teng Cheung, "Dicing die attach films for high volume stacked die application", Electronic Components and Technology Conference, 2006. Proceedings. 56th
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、半導体チップの薄型化が進むと、例えばダイシング工程で発生することが知られているチッピングの大きさを低減することが重要となる。チッピングの大きさが大きくなる要因の一つとして、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿うクラックの成長が挙げられる。
半導体チップを薄型化すべく、半導体ウェハの裏面、即ち、半導体ウェハに含まれる半導体チップの裏面を研削すると、半導体ウェハの裏面には研削条痕が形成される。この場合、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、例えばダイシング工程で半導体チップ１０４に発生するチッピングによって研削条痕１０６に沿ってクラックが成長してしまう場合がある。
【０００９】
また、ストレスリリーフ処理を実施した場合、研削条痕等が除去されるため、クラックの発生を防止できそうであるが、実際には、ストレスリリーフ処理を実施しない場合よりも大きなクラックが発生する場合がある。
これは、次の理由によるものと考えられる。
つまり、基板裏面を鏡面化すると、ダイシングテープと半導体チップとの密着性が低下し、ダイシング時の振動や衝撃がより半導体チップへ伝わってしまうためであると考えられる。
また、基板裏面が鏡面化されたウェハをダイシングするには、研削条痕が存在しているウェハと比較し、必要となるエネルギーが異なり、これが大きなクラックの発生につながる可能性がある。
【００１０】
そこで、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制したい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本半導体チップは、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを要件とする。
本半導体チップの製造方法は、半導体チップの裏面を研削する工程と、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成する溝形成工程とを有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、本半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態の半導体チップの構成を示す模式図であって、（Ａ）はその表面を示しており、（Ｂ）はその裏面を示している。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる裏面研削処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの表面を示ており、（Ｂ）、（Ｃ）は断面を示しており、（Ｄ）はウェハの裏面を示している。
【図３】本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれるチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はそのチップの断面を示しており、（Ｄ）はそのチップの断面を拡大して示している。
【図５】本実施形態の半導体チップの製造方法のレーザ処理工程において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図６】本実施形態の半導体チップの製造方法のレーザ処理工程におけるレーザスポットの走査方法を説明するための模式図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれるダイシング工程及びピックアップ工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本実施形態の変形例の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれる一のチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はウェハに含まれる他のチップの裏面を拡大して示している。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はクラックの成長方向を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）はクラックの成長方向を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１１】本実施形態の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１２】本実施形態の他の変形例の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の他の変形例の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれるチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はそのチップの断面を示しており、（Ｄ）はそのチップの断面を拡大して示している。
【図１４】（Ａ）は一般的なストレスリリーフ処理工程を説明するための模式的断面図であり、（Ｂ）はストレスリリーフ処理を行なった後のウェハの裏面を示している。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は一般的な裏面研削処理を行ない、その後、ストレスリリーフ処理を行なわないで作製されたチップを示す模式図であって、（Ａ）はチップの表面を示しており、（Ｂ）はチップの裏面を示している。また、（Ｃ）、（Ｄ）は一般的な裏面研削処理を行ない、その後、ストレスリリーフ処理を行なって作製されたチップを示す模式図であって、（Ｃ）はチップの表面を示しており、（Ｄ）はチップの裏面を示している。
【図１６】ダイシング工程で研削条痕（ソーマーク）に沿って生じるチッピング（クラック）を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの断面を示しており、（Ｂ）はチップの裏面を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体チップ及びその製造方法について、図１〜図７を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体チップは、図１に示すように、その裏面、即ち、半導体基板の裏面（背面）１Ｂに研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が形成されている半導体チップ１であって、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を備える。この溝４が形成されている部分は、研削条痕２及び破砕層３が除去されて平坦化（研削面平坦化；鏡面化）されている。また、半導体チップ１の表面１Ａには半導体素子等を含む回路５（回路パターン；パターン層）が形成されている。このため、半導体チップ１の表面を、回路面、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。
【００１５】
なお、図１では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状の半導体チップ（チップ）１を例に挙げて示している。つまり、図１では、半導体チップ１の裏面に形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、半導体チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層３は、これらの研削条痕２の下方の全面に形成されている［図４（Ｄ）参照］。
【００１６】
本実施形態では、四角形状の半導体チップ１の４つの辺（エッジ）のそれぞれの近傍（外周部近傍）でこれらの研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が切断されるように、溝４が、半導体チップ１の４つの辺の内側に、これらの４つの辺に沿って四角形状（矩形状）に形成されている。つまり、溝４は、半導体チップ１の４つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成されている。
【００１７】
また、本実施形態では、複数の四角形状の溝４Ａ、４Ｂが形成されており、半導体チップ１の４つの辺に沿って四角形状に形成された溝４Ａの内側に、この溝４Ａに沿って四角形状に別の溝４Ｂが形成されている。つまり、本実施形態では、半導体チップ１の４つの辺に沿って２条の溝４Ａ、４Ｂが設けられている。この場合、半導体チップ１の裏面１Ｂの外側から内側へ向けて、研削条痕２及び破砕層３がある領域と、平坦化された領域とが交互に存在することになる［図４（Ｄ）参照］。
【００１８】
なお、ここでは、２条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、１条の溝を設けるだけでも良いし、複数条（多条）の溝を設けるようにしても良い。
また、研削条痕２は、後述するように、バックグラインド研磨によって生じるものであるため、単に研磨痕ともいう。また、溝４は、後述するように、レーザを照射して研削条痕２及び破砕層３を溶融させて除去することによって形成されるため、溶融痕、あるいは、レーザ加工痕ともいう。また、破砕層３をマイクロクラック又はダメージ層ともいう。
【００１９】
以下、本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について、図２〜図７を参照しながら、具体的に説明する。
はじめに、図２（Ａ）に示すように、半導体チップ１に分離する前の半導体ウェハ（ウェハ）１０の表面１０Ａは、分離予定線であるストリート１１によって画定され、行列状に配列された複数のチップ１を備える。各チップ１には、半導体素子等を含む回路５（回路パターン；パターン層）が形成されている。このため、ウェハ１０の表面１０Ａを、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。また、チップ１を、チップ領域、回路形成領域、素子形成領域、あるいは、有効領域ともいう。また、ストリート１１を、スクライブ領域ともいう。
【００２０】
まず、図２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、ウェハプロセスを経て表面１０Ａに回路５が形成されたウェハ１０に対して、ウェハ１０を薄くするために、裏面研削処理を施す。なお、この工程を裏面研削処理工程という。
つまり、まず、図２（Ｂ）に示すように、ウェハ１０の表面１０Ａ側、即ち、ウェハプロセスで形成された回路５側に、ローラ８を用いて表面保護テープ６を貼り付ける。これにより、裏面研削時にウェハ１の回路形成面１０Ａが表面保護テープ６によって保護される。つまり、裏面研削時には、ウェハ１０の裏面１０Ｂ側を処理するためにウェハ１０を吸着テーブル７上に保持することになるが、この際に、ウェハ１０の回路形成面１０Ａが吸着テーブル７に接触しないように表面保護テープ６によって保護するようにしている。なお、表面保護テープ６をＢＧテープともいう。また、中着テーブル７をチャックテーブル（Ｃ／Ｔ）ともいう。
【００２１】
次に、図２（Ｃ）に示すように、ウェハ１０を表裏反転させ、ウェハ１０の裏面１０Ｂを上にした状態で裏面研削装置の吸着テーブル７上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面を研削して、ウェハ１０の厚さを所望の厚さにする。ここでは、ウェハ１０を表裏反転させてバックグラインド装置の吸着テーブル７上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂにバックグラインドホイール（ＢＧホイール）９に備えられる研削砥石（バックグラインド砥石；ＢＧ砥石）９Ａを接触させて、ウェハ１０の裏面１０Ｂをバックグラインド研磨し、ウェハ１０の厚さを所望の厚さにする。例えば、ＢＧホイール９と吸着テーブル７の双方とも回転させながら、ウェハ１０の裏面１０ＢにＢＧ砥石９Ａを接触させることで、摩擦によってウェハ１０の裏面１０Ｂを研削することができる。なお、この工程をバックグラインド工程という。また、バックグラインド研磨を、機械式裏面研磨又は裏面研削ともいう。
【００２２】
なお、裏面研削装置では、裏面研削時にウェハ１０の厚さをモニタすることができるようになっている。例えば、触芯を吸着テーブル７とウェハ１０のそれぞれの表面上に接触させておき、その差でウェハ１０の厚さをモニタすることができる。また、裏面研削装置では、設定する条件によって、裏面研削処理中の条件の切り替えが可能であり、モータ回転数、ＢＧホイール９の下降スピード等を変更することが可能である。
【００２３】
このような裏面研削処理を施すと、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、研削面には、図２（Ｄ）に示すように、風車状の研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が形成される。ここで、研削条痕２の高さ（凹凸）は約０．１μｍ程度である。また、破砕層３の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップから破砕層３の最大深さまでは約１μｍ程度である。
次に、図３、図４に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂを上にし、表面１０Ａをテーブル１２側へ向けた状態でレーザ照射装置１４（図５参照）のテーブル１２上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面に形成された研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３（図４参照）を切断する溝４を形成する。この工程を溝形成工程という。なお、テーブル１２をチャックテーブルともいう。
【００２４】
なお、図４では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１を例に挙げて示している。つまり、図４では、チップ１の裏面に形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層３は、これらの研削条痕２の下方の全面に形成されている。
【００２５】
ここでは、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成するために、研削条痕２及び破砕層３が形成されたウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、各チップ１の裏面１Ｂに対して、研削条痕２を横切るようにレーザを照射し、研削条痕２及び破砕層３を溶融させて除去するレーザ処理（レーザ加工）を施す。つまり、研削条痕２を横切るようにレーザを照射し、研削条痕２及び破砕層３を除去して平坦化（鏡面化）することによって、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成する。このため、レーザ加工領域（レーザ照射領域；レーザ溶融領域）、即ち、レーザのカットラインによって溝４が規定される。つまり、レーザの加工レイアウトによって溝４を形成する部分が決まる。この工程をレーザ処理工程、レーザ照射工程、又は、研削条痕及び破砕層除去工程という。
【００２６】
本実施形態では、図４に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、四角形状の各チップ１の裏面１Ｂの４つの辺のそれぞれの近傍（外周部近傍）で、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３が切断されるように、溝４を、チップ１の４つの辺の内側に、これらの４つの辺に沿って四角形状（矩形状）に形成する。つまり、溝４を、チップ１の４つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ１の４つの辺のそれぞれに沿うライン状、即ち、４つの辺に沿う四角形状のカットラインとなる。このように、溝４によって研削条痕２及び破砕層３が切断されているため、後述のダイシング工程においてチップ１の外周部でチッピングが生じ、研削条痕２に沿って（特に凸部の根元の部分に沿って、即ち、薄くなっていて弱い凹部に凸部に沿って）クラックが成長してしまうのを抑制することができる。つまり、研削条痕２に沿って発生するクラックの成長を溝４で止めることができる。これにより、クラックの大きさを小さくすることができる。
【００２７】
さらに、本実施形態では、複数の四角形状の溝４Ａ、４Ｂを形成する。つまり、チップ１の４つの辺に沿って四角形状に形成された溝４Ａの内側に、この溝４Ａに沿って四角形状に別の溝４Ｂを形成する。このように、本実施形態では、チップ１の４つの辺に沿って２条の溝４Ａ、４Ｂを形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ１の４つの辺に沿う２条のカットラインとなる。また、チップ１の裏面１Ｂの外側から内側へ向けて、研削条痕２及び破砕層３がある領域（レーザ未加工領域）と、平坦化された領域（レーザ加工領域）とが交互に存在することになる。これにより、後述のダイシング工程においてチップ１の外周部でチッピングが生じ、研削条痕２に沿ってクラックが成長する場合に、外側の溝４Ａでクラックの成長を止めることができなかったとしても、内側の溝４Ｂでクラックの成長を止めることが可能となる。このように、溝４の数を増やすことで、クラックの成長を抑制する効果が高まる。
【００２８】
なお、ここでは、２条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、１条の溝を設けるだけでも良いし、複数条（多条）の溝を設けるようにしても良い。
このように、本実施形態では、ストレスリリーフ処理を実施せずに、研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを抑制するために、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成しており、各チップ１の溝４が形成されている部分以外の領域には研削条痕２及び破砕層３が残されている。このため、ストレスリリーフ処理を実施した場合のようにダイシング工程で大きなクラックが発生する可能性を低減できる。ストレスリリーフ処理を実施する場合のように薬品や研磨材などを用いる必要がないため、コストを抑えることも可能となる。
【００２９】
特に、各チップ１の外周部は、レーザ処理が施されずに、研削条痕２及び破砕層３が残されている。つまり、後述のダイシング工程においてダイシングされるダイシングライン近傍の研削条痕２及び破砕層３は残されている。これにより、後述のダイシング工程において、ダイシングライン近傍で各チップ１とダイシングテープ１３との密着性は低下しないため、安定したダイシングを行なえる。このように、上述のようにして各チップ１の裏面１Ｂに溝４を形成したとしても、ダイシングの品質が低下することはない。また、ストレスリリーフを実施する場合と比較すると、ダイシングテープ１３と各チップ１との密着性が低下しないため、ダイシング時の衝撃によってチップ１がダイシングテープ１３から剥がれてしまい歩留まりが低下してしまうこともない。例えば、小サイズのチップ１を作製する場合、ダイシングの衝撃によってチップ１がダイシングテープ１３から剥がれてしまい、歩留まりが低下してしまうという課題があるが、このような場合にも、歩留まりが低下しないようにすることができる。
【００３０】
また、溝４が形成されている部分は、研削条痕２及び破砕層３が除去されて平坦化されており、裏面粗さ（面粗さ）が低減された部分ができるため、チップ１の機械強度、即ち、チップ抗折強度を向上させることができる。
このようなレーザ処理工程では、例えば図５に示すようなレーザ照射装置１４を用いて、研削条痕２及び破砕層３が形成されたウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂに対してレーザを照射すれば良い。本実施形態では、レーザ照射装置１４はレーザスポットＬＳを走査させる機構を有しており、ウェハ１０の裏面１０Ｂの所望の箇所にレーザを照射することができるようになっている。なお、レーザ照射装置１４を、レーザ照射機あるいはレーザ加工装置ともいう。
【００３１】
この走査機構を含むレーザ照射装置１４は、レーザ発振器（レーザ発生装置）１５と、シャッタ１６と、Ｘ方向ガルバノミラー１７と、Ｙ方向ガルバノミラー１８と、レンズ１９とを備える。そして、レーザ発振器１５から出射されたレーザ（レーザ光）は、シャッタ１６を通過し、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８で反射され、レンズ１９を通過して、ウェハ１０の裏面１０Ｂに対して照射されるようになっている。
【００３２】
ここで、レーザは、例えば半導体励起ＹＶＯ４レーザの第２高調波など、ウェハ１０を構成しているシリコンを透過しない波長（例えば５３２ｎｍ）を持つレーザを用いるのが好ましい。
特に、本実施形態のレーザ照射装置１４では、レーザスポットＬＳをウェハ１０の裏面１０Ｂ上でＸ方向へ走査させるＸ方向ガルバノミラー１７と、レーザスポットＬＳをウェハ１０の裏面１０Ｂ上でＹ方向へ走査させるＹ方向ガルバノミラー１８とを用いて、ウェハ１０の裏面１０Ｂ上のレーザ照射位置を制御できるようになっている。ここでは、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８を独立して回転させることで、ウェハ１０の裏面１０Ｂ上でレーザスポットＬＳをＸ方向及びＹ方向に走査させることができるようになっている。また、本レーザ照射装置１４では、シャッタ１６の開閉によって、ウェハ１０の裏面１０Ｂに対するレーザ照射の有無を制御できるようになっている。
【００３３】
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置１４を用いて、図６に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂの四角形状の溝４を形成する部分にレーザが照射されるように、レーザスポットＬＳを走査させる。これにより、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂの溝４を形成する領域にレーザを照射し、それ以外の領域にレーザを照射せずに研削条痕２及び破砕層３を残すことができる。なお、図６中、実線の矢印はレーザ走査方向を示している。
【００３４】
ここで、レーザスポットＬＳのスポット径φを例えば約５〜約１００μｍとし、レーザスポットＬＳが互いに重なり合うように照射するのが好ましい。
また、本実施形態では、上述のように、研削条痕２及び破砕層３を除去して溝４を形成するため、研削条痕２の凹凸が約０．１μｍ程度であり、破砕層３の深さが約１μｍ程度であることを考慮して、溝４の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップからの深さが約１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定している。ここでは、破砕層３を全て除去して溝４を形成すべく、溝４の深さが約１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定しているが、破砕層３を一部除去して溝４を形成する場合には、溝４の深さが約０．１μｍ程度〜約１μｍ程度の範囲となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。ただし、バックグラインドの加工条件によって、破砕層３の深さは異なるものとなる。このため、破砕層３の深さに応じて溝４の深さを決めれば良い。つまり、バックグラインドの加工条件に応じて溝４の深さは異なるものとなる。
【００３５】
このようにレーザスポットＬＳを走査させてレーザを照射するレーザ照射装置７では、マスクが不要であるが、マスクを用いるものと比較して処理時間が長くなるため、少量多品種のチップを製造するのに適している。また、良品チップのみを選択してレーザ照射することができるため、ダイシング後、チップ１の裏面１Ｂを見るだけで良・不良の選別が可能となる。
【００３６】
なお、ここでは、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｘ方向及びＹ方向に走査させるＸＹテーブルを用いても良い。また、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラーと、Ｙ方向に走査させるＹ方向用テーブルとを用いても良いし、Ｙ方向ガルバノミラーと、Ｘ方向に走査させるＸ方向用テーブルとを用いても良い。
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示すように、ダイシング装置のテーブル２３に保持されたダイシングテープ１３上に、ウェハ１０の裏面１０Ｂを下にした状態で、ウェハ１０をマウントし（ウェハマウント工程）、表面保護テープ６を剥離する（表面保護テープ剥離工程）。この工程をマウントリムーブ工程という。なお、テーブル２３をチャックテーブルともいう。
【００３８】
なお、表面保護テープ６を剥離してからダイシングテープ１３にマウントする場合もあるが、ウェハ径が約２００ｍｍ以上に大口径化している今般では、剥離時にウェハにダメージが入る可能性が大きいため、前者の方法が一般的となっている。また、ウェハ径が約２００ｍｍ以上のウェハを製造する場合、一般的にウェハマウント工程、表面保護テープ剥離工程を連続して行なう装置が使われており、この装置ではダイシングテープ１３を保持するフレームリング２０も同時に貼り付けられる。また、約３００ｍｍ以上のウェハを製造する場合には、裏面研削装置も一体化したインライン装置を使用するのが一般的である。
【００３９】
次に、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ダイシングブレード２１によってウェハ１０をダイシングする。これにより、ウェハ１０が個片化されて複数のチップ１が形成される。この工程をダイシング工程という。
次に、図７（Ｃ）に示すように、個片化された複数のチップ１は、フレームリング２０及びダイシングテープ１３に保持された状態で、実装装置（ダイマウント装置）へ搬送される。
【００４０】
そして、実装装置で、ダイシングテープ１３の裏面側からＵＶ照射を行ない（この工程をＵＶ照射工程という）、ダイシングテープ１３の粘着力を低下させ、図７（Ｄ）に示すように、各チップ１を突き上げピン２２によってダイシングテープ１３から剥離し、ピックアップツール（図示せず）によって吸着することによってピックアップする。この工程をピックアップ工程という。そして、ピックアップされた各チップ１は、実装基板まで搬送され、実装基板に実装される。この工程をチップ実装工程という。
【００４１】
したがって、本実施形態にかかる半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。これにより、半導体チップ１の品質を向上させることができ、また、歩留まりを向上させることができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００４２】
例えば、上述の実施形態では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１に四角形状の溝４を形成する場合を例に挙げて説明している。つまり、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて説明している。
しかしながら、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂにおいて、研削条痕２は風車状に形成されるため、ウェハ１０上のチップ１の位置によって、チップ１の裏面１Ｂに形成される研削条痕２の向きは異なるものとなる。
【００４３】
例えば、図８（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、裏面に一の側面から一の側面の反対側の他の側面へ向かう方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１もある。
例えば、図８（Ｂ）に示すように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）に対して平行になっている場合もある。
【００４４】
この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝４を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺）に直交する他の一対の辺（図中、上下の辺；上下の側面）のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成するだけでも良い。
つまり、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長しない。このため、チップ１の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝４は形成しなくても良い。
【００４５】
これに対し、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チップ１の他の一対の辺（図中、上下の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長する。このため、チップ１の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝４を形成する。
【００４６】
また、例えば、図８（Ｃ）に示すように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺；上下の側面）に対して平行になっている場合もある。
この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝４を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺）に直交する他の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成するだけでも良い。
【００４７】
つまり、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長しない。このため、チップ１の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝４は形成しなくても良い。
これに対し、チップ１の他の一対の辺（図中、左右の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長する。このため、チップ１の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝４を形成する。
【００４８】
このように、全てのチップ１において、その４つの辺のそれぞれに沿ってライン状の溝４を形成して、四角形状とする必要はなく、チップ１の裏面１Ｂに形成されている研削条痕２が延びる方向に応じて、ライン状の溝４を形成する位置、即ち、レーザカットラインを決めれば良い。つまり、チップ１の辺に対してソーマーク方向が角度を持つ場合、その辺に沿ってライン状の溝４を形成すれば良い。例えば、研削条痕２の形状を元に、レーザによる加工レシピを作成し、ソーマーク方向に対して角度を持つレーザカットラインのみを選択してレーザ加工を行なうように設定し、即ち、ソーマーク方向に対してレーザカットラインが平行になるレーザカットラインに基づくレーザ加工を行なわないように設定して、ライン状の溝４を形成すれば良い。なお、研削条痕２の形状は研削条件により異なるが、研削条痕２の形状の確認は例えば魔鏡観察により可能である。この場合、ウェハ１０上のチップ１の位置によって、ライン状の溝４を形成する位置が異なるものとなる。
【００４９】
要するに、半導体チップの裏面に、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を設ければ良い。この場合、上述の半導体チップの製造方法の溝形成工程において、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成するようにすれば良い。
また、上述の実施形態及び変形例では、破砕層３がクラック発生の要因となることがあるため、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝４（４Ａ，４Ｂ）を、研削条痕２だけでなく、さらに破砕層３も切断する溝としているが、これに限られるものではない。なお、図１１（Ａ）、（Ｂ）では、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）に対して平行になっている場合を例に挙げて示しているが、上述の実施形態のように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の各辺に対して約４５度になっている場合も同様である。
【００５０】
例えば、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝４（４Ａ，４Ｂ）を、研削条痕２を切断する溝４としても良い。つまり、レーザを照射することで、研削条痕２のみを除去して平坦化することで溝４を形成しても良い。このように、破砕層３を深さ方向に除去せずに、研削条痕２のみを除去して平坦化することで溝４を形成した場合であっても、研削条痕２が切断され、その方向性が途切れるため、研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを溝４（レーザ加工箇所）で止めることが可能である。また、研削条痕２が平坦化されるため、チップ１の機械強度を向上させることもできる。この場合、研削条痕２の凹凸が約０．１μｍ程度であることを考慮して、溝４の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップからの深さが約０．１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。
【００５１】
ただし、上述の実施形態のように、クラックの発生要因となりうる破砕層３まで除去することで、研削条痕２のみを除去する場合よりもクラックの成長を止める効果が高まる。
また、上述の実施形態では、複数のチップ１のそれぞれに別個に四角形状の溝４を形成しているが、これに限られるものではない。つまり、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すようなレーザ加工レイアウト（レーザカットライン）にしているが、これに限られるものではない。
【００５２】
例えば図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、複数のチップ１に対して連続的にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成することで、複数のチップ１のそれぞれに井形状の溝４を形成しても良い。つまり、図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示すようなレーザ加工レイアウト（レーザカットライン）にしても良い。これにより、１度のレーザ走査で複数のチップ１に対して溝４を形成することが可能となり、製造のタクトアップが可能である。
【００５３】
また、例えば、上述の実施形態では、レーザ処理工程において、レーザスポットＬＳを走査させるレーザ照射装置１４を用いているが、これに限られるものではない。例えば，マスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置を用いても良い。この場合、マスクは、溝パターンがレーザを通過させ、それ以外の領域がレーザを遮るものとすれば良い。このような構成を備えるレーザ照射装置を用いて、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域にレーザが照射されずに、溝を形成する部分にレーザが照射されるように、マスクを介してレーザを照射する。この場合、レーザはマスクを介してウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面に照射されるため、マスクに形成された溝パターンが、ウェハの裏面に転写されて溝が形成されることになる。これにより、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域、即ち、研削条痕及び破砕層を残す領域にレーザを照射しないで、溝を形成する部分にレーザを照射することができる。このようにマスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置では、マスクが必要であるが、ウェハの裏面に対して一括でレーザを照射することができるため、処理時間は短くすることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 半導体チップ
１Ａ 半導体チップの表面
１Ｂ 半導体チップの裏面
２ 研削条痕
３ 破砕層
４，４Ａ，４Ｂ 溝
５ 回路
６ 表面保護テープ
７ テーブル
８ ローラ
９ バックグラインドホイール
９Ａ バックグラインド砥石
１０ ウェハ
１０Ａ ウェハの表面
１０Ｂ ウェハの裏面
１１ ストリート
１２ テーブル
１３ ダイシングテープ
１４ レーザ照射装置
１５ レーザ発振器
１６ シャッタ
１７ Ｘ方向ガルバノミラー
１８ Ｙ方向ガルバノミラー
１９ レンズ
２０ フレームリング
２１ ダイシングブレード
２２ 突き上げピン
２３ テーブル
ＬＳ レーザスポット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの高機能化、小型化、薄型化が進んでおり、更なる半導体チップの薄型化が求められている。半導体チップの薄型化は、半導体チップの裏面を研削することによって行なわれる。
このような半導体チップの薄型化に伴い、半導体チップの機械強度、即ち、チップ抗折強度が低下する。このため、半導体チップの機械強度を上げるために、半導体ウェハの裏面、即ち、半導体ウェハに含まれる半導体チップの裏面を研削した後に、研削条痕（ソーマーク）等を除去して鏡面化（平坦化）するストレスリリーフ処理を実施する場合がある。
【０００３】
なお、ストレスリリーフ処理には、乾式研磨、湿式研磨、エッチング方式などがある。例えば、乾式研磨によるストレスリリーフ処理では、ウェハの裏面を研削した後に、図１４（Ａ）に示すように、表面にテープ１０３が貼り付けられ、テーブル１０２上に保持されたウェハ１００の裏面に、ストレスリリーフ用砥石１０１Ａを備えるストレスリリーフ用ホイール１０１を回転させながら接触させて研磨を行なう。これにより、図１４（Ｂ）に示すように、ウェハ１００の裏面の研削条痕等は除去され、ウェハ１００の裏面は鏡面化する。
【０００４】
このようにして、裏面研削処理を行なった後、ストレスリリーフ処理を行なって作製された半導体チップ１０４は、図１５（Ｃ）に示すように、表面に回路１０５を有し、図１５（Ｄ）に示すように、裏面が鏡面化されたものとなる。これに対し、裏面研削処理を行なった後、ストレスリリーフ処理を行なわないで作製された半導体チップ１０４は、図１５（Ａ）に示すように、表面に回路１０５を有し、図１５（Ｂ）に示すように、裏面が研削条痕１０６を有するものとなる。
【０００５】
なお、上記方法以外にもストレスリリーフ処理を実施する手法は存在する。例えばレーザー処理によるストレスリリーフ処理がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３７８９８０２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Annette Teng Cheung, "Dicing die attach films for high volume stacked die application", Electronic Components and Technology Conference, 2006. Proceedings. 56th
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、半導体チップの薄型化が進むと、例えばダイシング工程で発生することが知られているチッピングの大きさを低減することが重要となる。チッピングの大きさが大きくなる要因の一つとして、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿うクラックの成長が挙げられる。
半導体チップを薄型化すべく、半導体ウェハの裏面、即ち、半導体ウェハに含まれる半導体チップの裏面を研削すると、半導体ウェハの裏面には研削条痕が形成される。この場合、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、例えばダイシング工程で半導体チップ１０４に発生するチッピングによって研削条痕１０６に沿ってクラックが成長してしまう場合がある。
【０００９】
また、ストレスリリーフ処理を実施した場合、研削条痕等が除去されるため、クラックの発生を防止できそうであるが、実際には、ストレスリリーフ処理を実施しない場合よりも大きなクラックが発生する場合がある。
これは、次の理由によるものと考えられる。
つまり、基板裏面を鏡面化すると、ダイシングテープと半導体チップとの密着性が低下し、ダイシング時の振動や衝撃がより半導体チップへ伝わってしまうためであると考えられる。
また、基板裏面が鏡面化されたウェハをダイシングするには、研削条痕が存在しているウェハと比較し、必要となるエネルギーが異なり、これが大きなクラックの発生につながる可能性がある。
【００１０】
そこで、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制したい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本半導体チップは、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを要件とする。
本半導体チップの製造方法は、半導体チップの裏面を研削する工程と、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成する溝形成工程とを有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、本半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態の半導体チップの構成を示す模式図であって、（Ａ）はその表面を示しており、（Ｂ）はその裏面を示している。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる裏面研削処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの表面を示ており、（Ｂ）、（Ｃ）は断面を示しており、（Ｄ）はウェハの裏面を示している。
【図３】本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれるチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はそのチップの断面を示しており、（Ｄ）はそのチップの断面を拡大して示している。
【図５】本実施形態の半導体チップの製造方法のレーザ処理工程において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図６】本実施形態の半導体チップの製造方法のレーザ処理工程におけるレーザスポットの走査方法を説明するための模式図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体チップの製造方法に含まれるダイシング工程及びピックアップ工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本実施形態の変形例の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれる一のチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はウェハに含まれる他のチップの裏面を拡大して示している。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はクラックの成長方向を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）はクラックの成長方向を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１１】本実施形態の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１２】本実施形態の他の変形例の半導体チップの構成及びその製造方法を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの裏面を示しており、（Ｂ）はその一部を拡大して示している。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の他の変形例の半導体チップの製造方法に含まれる溝形成工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハの裏面を示しており、（Ｂ）はウェハに含まれるチップの裏面を拡大して示しており、（Ｃ）はそのチップの断面を示しており、（Ｄ）はそのチップの断面を拡大して示している。
【図１４】（Ａ）は一般的なストレスリリーフ処理工程を説明するための模式的断面図であり、（Ｂ）はストレスリリーフ処理を行なった後のウェハの裏面を示している。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は一般的な裏面研削処理を行ない、その後、ストレスリリーフ処理を行なわないで作製されたチップを示す模式図であって、（Ａ）はチップの表面を示しており、（Ｂ）はチップの裏面を示している。また、（Ｃ）、（Ｄ）は一般的な裏面研削処理を行ない、その後、ストレスリリーフ処理を行なって作製されたチップを示す模式図であって、（Ｃ）はチップの表面を示しており、（Ｄ）はチップの裏面を示している。
【図１６】ダイシング工程で研削条痕（ソーマーク）に沿って生じるチッピング（クラック）を説明するための模式図であって、（Ａ）はチップの断面を示しており、（Ｂ）はチップの裏面を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体チップ及びその製造方法について、図１〜図７を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体チップは、図１に示すように、その裏面、即ち、半導体基板の裏面（背面）１Ｂに研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が形成されている半導体チップ１であって、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を備える。この溝４が形成されている部分は、研削条痕２及び破砕層３が除去されて平坦化（研削面平坦化；鏡面化）されている。また、半導体チップ１の表面１Ａには半導体素子等を含む回路５（回路パターン；パターン層）が形成されている。このため、半導体チップ１の表面を、回路面、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。
【００１５】
なお、図１では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状の半導体チップ（チップ）１を例に挙げて示している。つまり、図１では、半導体チップ１の裏面に形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、半導体チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層３は、これらの研削条痕２の下方の全面に形成されている［図４（Ｄ）参照］。
【００１６】
本実施形態では、四角形状の半導体チップ１の４つの辺（エッジ）のそれぞれの近傍（外周部近傍）でこれらの研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が切断されるように、溝４が、半導体チップ１の４つの辺の内側に、これらの４つの辺に沿って四角形状（矩形状）に形成されている。つまり、溝４は、半導体チップ１の４つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成されている。
【００１７】
また、本実施形態では、複数の四角形状の溝４Ａ、４Ｂが形成されており、半導体チップ１の４つの辺に沿って四角形状に形成された溝４Ａの内側に、この溝４Ａに沿って四角形状に別の溝４Ｂが形成されている。つまり、本実施形態では、半導体チップ１の４つの辺に沿って２条の溝４Ａ、４Ｂが設けられている。この場合、半導体チップ１の裏面１Ｂの外側から内側へ向けて、研削条痕２及び破砕層３がある領域と、平坦化された領域とが交互に存在することになる［図４（Ｄ）参照］。
【００１８】
なお、ここでは、２条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、１条の溝を設けるだけでも良いし、複数条（多条）の溝を設けるようにしても良い。
また、研削条痕２は、後述するように、バックグラインド研磨によって生じるものであるため、単に研磨痕ともいう。また、溝４は、後述するように、レーザを照射して研削条痕２及び破砕層３を溶融させて除去することによって形成されるため、溶融痕、あるいは、レーザ加工痕ともいう。また、破砕層３をマイクロクラック又はダメージ層ともいう。
【００１９】
以下、本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について、図２〜図７を参照しながら、具体的に説明する。
はじめに、図２（Ａ）に示すように、半導体チップ１に分離する前の半導体ウェハ（ウェハ）１０の表面１０Ａは、分離予定線であるストリート１１によって画定され、行列状に配列された複数のチップ１を備える。各チップ１には、半導体素子等を含む回路５（回路パターン；パターン層）が形成されている。このため、ウェハ１０の表面１０Ａを、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。また、チップ１を、チップ領域、回路形成領域、素子形成領域、あるいは、有効領域ともいう。また、ストリート１１を、スクライブ領域ともいう。
【００２０】
まず、図２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、ウェハプロセスを経て表面１０Ａに回路５が形成されたウェハ１０に対して、ウェハ１０を薄くするために、裏面研削処理を施す。なお、この工程を裏面研削処理工程という。
つまり、まず、図２（Ｂ）に示すように、ウェハ１０の表面１０Ａ側、即ち、ウェハプロセスで形成された回路５側に、ローラ８を用いて表面保護テープ６を貼り付ける。これにより、裏面研削時にウェハ１の回路形成面１０Ａが表面保護テープ６によって保護される。つまり、裏面研削時には、ウェハ１０の裏面１０Ｂ側を処理するためにウェハ１０を吸着テーブル７上に保持することになるが、この際に、ウェハ１０の回路形成面１０Ａが吸着テーブル７に接触しないように表面保護テープ６によって保護するようにしている。なお、表面保護テープ６をＢＧテープともいう。また、中着テーブル７をチャックテーブル（Ｃ／Ｔ）ともいう。
【００２１】
次に、図２（Ｃ）に示すように、ウェハ１０を表裏反転させ、ウェハ１０の裏面１０Ｂを上にした状態で裏面研削装置の吸着テーブル７上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面を研削して、ウェハ１０の厚さを所望の厚さにする。ここでは、ウェハ１０を表裏反転させてバックグラインド装置の吸着テーブル７上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂにバックグラインドホイール（ＢＧホイール）９に備えられる研削砥石（バックグラインド砥石；ＢＧ砥石）９Ａを接触させて、ウェハ１０の裏面１０Ｂをバックグラインド研磨し、ウェハ１０の厚さを所望の厚さにする。例えば、ＢＧホイール９と吸着テーブル７の双方とも回転させながら、ウェハ１０の裏面１０ＢにＢＧ砥石９Ａを接触させることで、摩擦によってウェハ１０の裏面１０Ｂを研削することができる。なお、この工程をバックグラインド工程という。また、バックグラインド研磨を、機械式裏面研磨又は裏面研削ともいう。
【００２２】
なお、裏面研削装置では、裏面研削時にウェハ１０の厚さをモニタすることができるようになっている。例えば、触芯を吸着テーブル７とウェハ１０のそれぞれの表面上に接触させておき、その差でウェハ１０の厚さをモニタすることができる。また、裏面研削装置では、設定する条件によって、裏面研削処理中の条件の切り替えが可能であり、モータ回転数、ＢＧホイール９の下降スピード等を変更することが可能である。
【００２３】
このような裏面研削処理を施すと、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、研削面には、図２（Ｄ）に示すように、風車状の研削条痕２及び破砕層３［図４（Ｄ）参照］が形成される。ここで、研削条痕２の高さ（凹凸）は約０．１μｍ程度である。また、破砕層３の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップから破砕層３の最大深さまでは約１μｍ程度である。
次に、図３、図４に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂを上にし、表面１０Ａをテーブル１２側へ向けた状態でレーザ照射装置１４（図５参照）のテーブル１２上に保持し、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面に形成された研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３（図４参照）を切断する溝４を形成する。この工程を溝形成工程という。なお、テーブル１２をチャックテーブルともいう。
【００２４】
なお、図４では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１を例に挙げて示している。つまり、図４では、チップ１の裏面に形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層３は、これらの研削条痕２の下方の全面に形成されている。
【００２５】
ここでは、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成するために、研削条痕２及び破砕層３が形成されたウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、各チップ１の裏面１Ｂに対して、研削条痕２を横切るようにレーザを照射し、研削条痕２及び破砕層３を溶融させて除去するレーザ処理（レーザ加工）を施す。つまり、研削条痕２を横切るようにレーザを照射し、研削条痕２及び破砕層３を除去して平坦化（鏡面化）することによって、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成する。このため、レーザ加工領域（レーザ照射領域；レーザ溶融領域）、即ち、レーザのカットラインによって溝４が規定される。つまり、レーザの加工レイアウトによって溝４を形成する部分が決まる。この工程をレーザ処理工程、レーザ照射工程、又は、研削条痕及び破砕層除去工程という。
【００２６】
本実施形態では、図４に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、四角形状の各チップ１の裏面１Ｂの４つの辺のそれぞれの近傍（外周部近傍）で、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３が切断されるように、溝４を、チップ１の４つの辺の内側に、これらの４つの辺に沿って四角形状（矩形状）に形成する。つまり、溝４を、チップ１の４つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ１の４つの辺のそれぞれに沿うライン状、即ち、４つの辺に沿う四角形状のカットラインとなる。このように、溝４によって研削条痕２及び破砕層３が切断されているため、後述のダイシング工程においてチップ１の外周部でチッピングが生じ、研削条痕２に沿って（特に凸部の根元の部分に沿って、即ち、薄くなっていて弱い凹部に凸部に沿って）クラックが成長してしまうのを抑制することができる。つまり、研削条痕２に沿って発生するクラックの成長を溝４で止めることができる。これにより、クラックの大きさを小さくすることができる。
【００２７】
さらに、本実施形態では、複数の四角形状の溝４Ａ、４Ｂを形成する。つまり、チップ１の４つの辺に沿って四角形状に形成された溝４Ａの内側に、この溝４Ａに沿って四角形状に別の溝４Ｂを形成する。このように、本実施形態では、チップ１の４つの辺に沿って２条の溝４Ａ、４Ｂを形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ１の４つの辺に沿う２条のカットラインとなる。また、チップ１の裏面１Ｂの外側から内側へ向けて、研削条痕２及び破砕層３がある領域（レーザ未加工領域）と、平坦化された領域（レーザ加工領域）とが交互に存在することになる。これにより、後述のダイシング工程においてチップ１の外周部でチッピングが生じ、研削条痕２に沿ってクラックが成長する場合に、外側の溝４Ａでクラックの成長を止めることができなかったとしても、内側の溝４Ｂでクラックの成長を止めることが可能となる。このように、溝４の数を増やすことで、クラックの成長を抑制する効果が高まる。
【００２８】
なお、ここでは、２条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、１条の溝を設けるだけでも良いし、複数条（多条）の溝を設けるようにしても良い。
このように、本実施形態では、ストレスリリーフ処理を実施せずに、研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを抑制するために、研削条痕２を横切り、研削条痕２及び破砕層３を切断する溝４を形成しており、各チップ１の溝４が形成されている部分以外の領域には研削条痕２及び破砕層３が残されている。このため、ストレスリリーフ処理を実施した場合のようにダイシング工程で大きなクラックが発生する可能性を低減できる。ストレスリリーフ処理を実施する場合のように薬品や研磨材などを用いる必要がないため、コストを抑えることも可能となる。
【００２９】
特に、各チップ１の外周部は、レーザ処理が施されずに、研削条痕２及び破砕層３が残されている。つまり、後述のダイシング工程においてダイシングされるダイシングライン近傍の研削条痕２及び破砕層３は残されている。これにより、後述のダイシング工程において、ダイシングライン近傍で各チップ１とダイシングテープ１３との密着性は低下しないため、安定したダイシングを行なえる。このように、上述のようにして各チップ１の裏面１Ｂに溝４を形成したとしても、ダイシングの品質が低下することはない。また、ストレスリリーフを実施する場合と比較すると、ダイシングテープ１３と各チップ１との密着性が低下しないため、ダイシング時の衝撃によってチップ１がダイシングテープ１３から剥がれてしまい歩留まりが低下してしまうこともない。例えば、小サイズのチップ１を作製する場合、ダイシングの衝撃によってチップ１がダイシングテープ１３から剥がれてしまい、歩留まりが低下してしまうという課題があるが、このような場合にも、歩留まりが低下しないようにすることができる。
【００３０】
また、溝４が形成されている部分は、研削条痕２及び破砕層３が除去されて平坦化されており、裏面粗さ（面粗さ）が低減された部分ができるため、チップ１の機械強度、即ち、チップ抗折強度を向上させることができる。
このようなレーザ処理工程では、例えば図５に示すようなレーザ照射装置１４を用いて、研削条痕２及び破砕層３が形成されたウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂに対してレーザを照射すれば良い。本実施形態では、レーザ照射装置１４はレーザスポットＬＳを走査させる機構を有しており、ウェハ１０の裏面１０Ｂの所望の箇所にレーザを照射することができるようになっている。なお、レーザ照射装置１４を、レーザ照射機あるいはレーザ加工装置ともいう。
【００３１】
この走査機構を含むレーザ照射装置１４は、レーザ発振器（レーザ発生装置）１５と、シャッタ１６と、Ｘ方向ガルバノミラー１７と、Ｙ方向ガルバノミラー１８と、レンズ１９とを備える。そして、レーザ発振器１５から出射されたレーザ（レーザ光）は、シャッタ１６を通過し、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８で反射され、レンズ１９を通過して、ウェハ１０の裏面１０Ｂに対して照射されるようになっている。
【００３２】
ここで、レーザは、例えば半導体励起ＹＶＯ４レーザの第２高調波など、ウェハ１０を構成しているシリコンを透過しない波長（例えば５３２ｎｍ）を持つレーザを用いるのが好ましい。
特に、本実施形態のレーザ照射装置１４では、レーザスポットＬＳをウェハ１０の裏面１０Ｂ上でＸ方向へ走査させるＸ方向ガルバノミラー１７と、レーザスポットＬＳをウェハ１０の裏面１０Ｂ上でＹ方向へ走査させるＹ方向ガルバノミラー１８とを用いて、ウェハ１０の裏面１０Ｂ上のレーザ照射位置を制御できるようになっている。ここでは、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８を独立して回転させることで、ウェハ１０の裏面１０Ｂ上でレーザスポットＬＳをＸ方向及びＹ方向に走査させることができるようになっている。また、本レーザ照射装置１４では、シャッタ１６の開閉によって、ウェハ１０の裏面１０Ｂに対するレーザ照射の有無を制御できるようになっている。
【００３３】
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置１４を用いて、図６に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂの四角形状の溝４を形成する部分にレーザが照射されるように、レーザスポットＬＳを走査させる。これにより、ウェハ１０の裏面１０Ｂ、即ち、ウェハ１０に含まれる半導体チップ１の裏面１Ｂの溝４を形成する領域にレーザを照射し、それ以外の領域にレーザを照射せずに研削条痕２及び破砕層３を残すことができる。なお、図６中、実線の矢印はレーザ走査方向を示している。
【００３４】
ここで、レーザスポットＬＳのスポット径φを例えば約５〜約１００μｍとし、レーザスポットＬＳが互いに重なり合うように照射するのが好ましい。
また、本実施形態では、上述のように、研削条痕２及び破砕層３を除去して溝４を形成するため、研削条痕２の凹凸が約０．１μｍ程度であり、破砕層３の深さが約１μｍ程度であることを考慮して、溝４の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップからの深さが約１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定している。ここでは、破砕層３を全て除去して溝４を形成すべく、溝４の深さが約１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定しているが、破砕層３を一部除去して溝４を形成する場合には、溝４の深さが約０．１μｍ程度〜約１μｍ程度の範囲となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。ただし、バックグラインドの加工条件によって、破砕層３の深さは異なるものとなる。このため、破砕層３の深さに応じて溝４の深さを決めれば良い。つまり、バックグラインドの加工条件に応じて溝４の深さは異なるものとなる。
【００３５】
このようにレーザスポットＬＳを走査させてレーザを照射するレーザ照射装置７では、マスクが不要であるが、マスクを用いるものと比較して処理時間が長くなるため、少量多品種のチップを製造するのに適している。また、良品チップのみを選択してレーザ照射することができるため、ダイシング後、チップ１の裏面１Ｂを見るだけで良・不良の選別が可能となる。
【００３６】
なお、ここでは、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラー１７及びＹ方向ガルバノミラー１８を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｘ方向及びＹ方向に走査させるＸＹテーブルを用いても良い。また、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラーと、Ｙ方向に走査させるＹ方向用テーブルとを用いても良いし、Ｙ方向ガルバノミラーと、Ｘ方向に走査させるＸ方向用テーブルとを用いても良い。
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示すように、ダイシング装置のテーブル２３に保持されたダイシングテープ１３上に、ウェハ１０の裏面１０Ｂを下にした状態で、ウェハ１０をマウントし（ウェハマウント工程）、表面保護テープ６を剥離する（表面保護テープ剥離工程）。この工程をマウントリムーブ工程という。なお、テーブル２３をチャックテーブルともいう。
【００３８】
なお、表面保護テープ６を剥離してからダイシングテープ１３にマウントする場合もあるが、ウェハ径が約２００ｍｍ以上に大口径化している今般では、剥離時にウェハにダメージが入る可能性が大きいため、前者の方法が一般的となっている。また、ウェハ径が約２００ｍｍ以上のウェハを製造する場合、一般的にウェハマウント工程、表面保護テープ剥離工程を連続して行なう装置が使われており、この装置ではダイシングテープ１３を保持するフレームリング２０も同時に貼り付けられる。また、約３００ｍｍ以上のウェハを製造する場合には、裏面研削装置も一体化したインライン装置を使用するのが一般的である。
【００３９】
次に、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ダイシングブレード２１によってウェハ１０をダイシングする。これにより、ウェハ１０が個片化されて複数のチップ１が形成される。この工程をダイシング工程という。
次に、図７（Ｃ）に示すように、個片化された複数のチップ１は、フレームリング２０及びダイシングテープ１３に保持された状態で、実装装置（ダイマウント装置）へ搬送される。
【００４０】
そして、実装装置で、ダイシングテープ１３の裏面側からＵＶ照射を行ない（この工程をＵＶ照射工程という）、ダイシングテープ１３の粘着力を低下させ、図７（Ｄ）に示すように、各チップ１を突き上げピン２２によってダイシングテープ１３から剥離し、ピックアップツール（図示せず）によって吸着することによってピックアップする。この工程をピックアップ工程という。そして、ピックアップされた各チップ１は、実装基板まで搬送され、実装基板に実装される。この工程をチップ実装工程という。
【００４１】
したがって、本実施形態にかかる半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。これにより、半導体チップ１の品質を向上させることができ、また、歩留まりを向上させることができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００４２】
例えば、上述の実施形態では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１に四角形状の溝４を形成する場合を例に挙げて説明している。つまり、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びる方向（ソーマーク方向）が、チップ１の各辺に対して約４５度になっているものを例に挙げて説明している。
しかしながら、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ウェハ１０の裏面１０Ｂにおいて、研削条痕２は風車状に形成されるため、ウェハ１０上のチップ１の位置によって、チップ１の裏面１Ｂに形成される研削条痕２の向きは異なるものとなる。
【００４３】
例えば、図８（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、裏面に一の側面から一の側面の反対側の他の側面へ向かう方向に平行に延びる複数の研削条痕２が形成されている四角形状のチップ１もある。
例えば、図８（Ｂ）に示すように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）に対して平行になっている場合もある。
【００４４】
この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝４を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺）に直交する他の一対の辺（図中、上下の辺；上下の側面）のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成するだけでも良い。
つまり、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長しない。このため、チップ１の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝４は形成しなくても良い。
【００４５】
これに対し、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チップ１の他の一対の辺（図中、上下の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長する。このため、チップ１の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝４を形成する。
【００４６】
また、例えば、図８（Ｃ）に示すように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺；上下の側面）に対して平行になっている場合もある。
この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝４を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺）に直交する他の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成するだけでも良い。
【００４７】
つまり、チップ１の一対の辺（図中、上下の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長しない。このため、チップ１の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝４は形成しなくても良い。
これに対し、チップ１の他の一対の辺（図中、左右の辺）の近傍で発生し、研削条痕２に沿って成長するクラックは、研削条痕２が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ１の内部へ向けて成長する。このため、チップ１の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝４を形成する。
【００４８】
このように、全てのチップ１において、その４つの辺のそれぞれに沿ってライン状の溝４を形成して、四角形状とする必要はなく、チップ１の裏面１Ｂに形成されている研削条痕２が延びる方向に応じて、ライン状の溝４を形成する位置、即ち、レーザカットラインを決めれば良い。つまり、チップ１の辺に対してソーマーク方向が角度を持つ場合、その辺に沿ってライン状の溝４を形成すれば良い。例えば、研削条痕２の形状を元に、レーザによる加工レシピを作成し、ソーマーク方向に対して角度を持つレーザカットラインのみを選択してレーザ加工を行なうように設定し、即ち、ソーマーク方向に対してレーザカットラインが平行になるレーザカットラインに基づくレーザ加工を行なわないように設定して、ライン状の溝４を形成すれば良い。なお、研削条痕２の形状は研削条件により異なるが、研削条痕２の形状の確認は例えば魔鏡観察により可能である。この場合、ウェハ１０上のチップ１の位置によって、ライン状の溝４を形成する位置が異なるものとなる。
【００４９】
要するに、半導体チップの裏面に、少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を設ければ良い。この場合、上述の半導体チップの製造方法の溝形成工程において、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成するようにすれば良い。
また、上述の実施形態及び変形例では、破砕層３がクラック発生の要因となることがあるため、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝４（４Ａ，４Ｂ）を、研削条痕２だけでなく、さらに破砕層３も切断する溝としているが、これに限られるものではない。なお、図１１（Ａ）、（Ｂ）では、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の一対の辺（図中、左右の辺；左右の側面）に対して平行になっている場合を例に挙げて示しているが、上述の実施形態のように、チップ１の裏面１Ｂに形成された研削条痕２が延びるソーマーク方向が、チップ１の各辺に対して約４５度になっている場合も同様である。
【００５０】
例えば、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝４（４Ａ，４Ｂ）を、研削条痕２を切断する溝４としても良い。つまり、レーザを照射することで、研削条痕２のみを除去して平坦化することで溝４を形成しても良い。このように、破砕層３を深さ方向に除去せずに、研削条痕２のみを除去して平坦化することで溝４を形成した場合であっても、研削条痕２が切断され、その方向性が途切れるため、研削条痕２に沿ってクラックが成長するのを溝４（レーザ加工箇所）で止めることが可能である。また、研削条痕２が平坦化されるため、チップ１の機械強度を向上させることもできる。この場合、研削条痕２の凹凸が約０．１μｍ程度であることを考慮して、溝４の深さ、即ち、研削条痕２の凸部のトップからの深さが約０．１μｍ程度となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。
【００５１】
ただし、上述の実施形態のように、クラックの発生要因となりうる破砕層３まで除去することで、研削条痕２のみを除去する場合よりもクラックの成長を止める効果が高まる。
また、上述の実施形態では、複数のチップ１のそれぞれに別個に四角形状の溝４を形成しているが、これに限られるものではない。つまり、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すようなレーザ加工レイアウト（レーザカットライン）にしているが、これに限られるものではない。
【００５２】
例えば図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、複数のチップ１に対して連続的にライン状の溝４（４Ａ，４Ｂ）を形成することで、複数のチップ１のそれぞれに井形状の溝４を形成しても良い。つまり、図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示すようなレーザ加工レイアウト（レーザカットライン）にしても良い。これにより、１度のレーザ走査で複数のチップ１に対して溝４を形成することが可能となり、製造のタクトアップが可能である。
【００５３】
また、例えば、上述の実施形態では、レーザ処理工程において、レーザスポットＬＳを走査させるレーザ照射装置１４を用いているが、これに限られるものではない。例えば，マスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置を用いても良い。この場合、マスクは、溝パターンがレーザを通過させ、それ以外の領域がレーザを遮るものとすれば良い。このような構成を備えるレーザ照射装置を用いて、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域にレーザが照射されずに、溝を形成する部分にレーザが照射されるように、マスクを介してレーザを照射する。この場合、レーザはマスクを介してウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面に照射されるため、マスクに形成された溝パターンが、ウェハの裏面に転写されて溝が形成されることになる。これにより、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域、即ち、研削条痕及び破砕層を残す領域にレーザを照射しないで、溝を形成する部分にレーザを照射することができる。このようにマスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置では、マスクが必要であるが、ウェハの裏面に対して一括でレーザを照射することができるため、処理時間は短くすることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 半導体チップ
１Ａ 半導体チップの表面
１Ｂ 半導体チップの裏面
２ 研削条痕
３ 破砕層
４，４Ａ，４Ｂ 溝
５ 回路
６ 表面保護テープ
７ テーブル
８ ローラ
９ バックグラインドホイール
９Ａ バックグラインド砥石
１０ ウェハ
１０Ａ ウェハの表面
１０Ｂ ウェハの裏面
１１ ストリート
１２ テーブル
１３ ダイシングテープ
１４ レーザ照射装置
１５ レーザ発振器
１６ シャッタ
１７ Ｘ方向ガルバノミラー
１８ Ｙ方向ガルバノミラー
１９ レンズ
２０ フレームリング
２１ ダイシングブレード
２２ 突き上げピン
２３ テーブル
ＬＳ レーザスポット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記溝は、前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
半導体チップの裏面を研削する工程と、
前記半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成する溝形成工程とを有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記溝形成工程において、さらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝を形成することを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記溝形成工程において、前記研削条痕を横切るようにレーザを照射して前記研削条痕を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記溝形成工程において、前記レーザ照射によってさらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１】
少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記溝は、前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
半導体チップの裏面を研削する工程と、
前記半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する２つの辺に沿ってそれぞれ１本ずつ形成する溝形成工程とを有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記溝形成工程において、さらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝を形成することを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記溝形成工程において、前記研削条痕を横切るようにレーザを照射して前記研削条痕を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記溝形成工程において、前記レーザ照射によってさらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−３５０３８（Ｐ２０１３−３５０３８Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７３７５９（Ｐ２０１１−１７３７５９）
【出願日】平成２３年８月９日（２０１１．８．９）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月９日（２０１１．８．９）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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