【課題】 高精度なチップへと切り出しが可能な水晶振動子の製造方法を提供することである。
【解決手段】 水晶振動子の製造方法であって、所定厚みの水晶板を準備する水晶板準備ステップと、準備した該水晶板の厚みと所望の周波数を発振するための水晶振動子チップの体積とに基づいて、切り出すべき水晶振動子チップの寸法を算出する寸法算出ステップと、該寸法算出ステップで算出した寸法に基づいて、該水晶板に対して透過性を有する波長のレーザビームをその集光点を該水晶板の内部に位置付けて照射して該水晶板内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、該水晶板に外力を付与して個々の水晶振動子チップへと分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにし、また、基板に形成された素子へのダメージを抑える。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を脆性材料基板に照射して分断予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、パルスレーザ光を基板に照射するとともに、分断予定ラインに沿って走査し、基板の表面及び裏面から離れた内部に、分断予定ラインに沿った改質層を形成する工程である。第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿って改質領域７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンデバイスをチップの状態で扱う際に、割れや欠けによってシリコンデバイスが損なわれることを抑制することができるシリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンデバイスの製造方法は、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、多角形の角部を形成する角部形成工程と、デバイスマザー基板をシリコンデバイスに分離する分離工程と、を有する。シリコンデバイスの多角形の角部の少なくとも１個は、多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接して辺を接続する角部曲線部とで形成されており、角部形成工程において角部曲線部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａの両側に設定された２本の予備ライン５ｐのそれぞれに沿って、予備改質領域７ｐをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。このとき、切断の起点となる改質領域７ａに比べて予備改質領域７ｐからＳｉＣ基板１２に亀裂が発生し難くなるようにする。予備ライン５ｐに沿って予備改質領域７ｐを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】
レーザを用いた薄膜のスクライブにおいて、加工スポット間の重畳部でエネルギが過剰になることを防ぎ、下地へのダメージを発生させないようにすると共に、膜残りが発生しないようにスクライブ領域を加工することを可能にする。
【解決手段】
試料の表面に形成された薄膜にパルスレーザ光を試料の表面に対して相対的に走査しながら照射することで試料の表面から薄膜を部分的に除去加工する薄膜レーザパターニング方法及び装置において、パルスレーザを相対的に走査する方向に対して非対称なトップハット形状の強度分布を有するように成形し、この成形したパルスレーザの照射領域を一部重複させながら照射して相対的に走査することによりこの相対的に走査して照射した領域の薄膜を除去加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。レーザ光の集光点の位置は、シリコンカーバイドの表面から上方１００μｍ〜表面から内部１００μｍの範囲内となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザビームを使って、半導体基板の上又は内部の導電性のあるリンクを加工する。
【解決手段】２又は３以上のＮについて、スループットの利益を得るためにＮ組のレーザパルスを使う。前記リンクは、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列５１０、５２０をなして配置される。前記Ｎ組のレーザパルスは選択された構造の上に投射するまでＮ本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬する。得られたレーザビームスポットのパターンは、Ｎ本の別個の列内のリンクか、同一の列内の別個のリンクか、同一のリンクかの上に、部分的に重複するか完全に重複するかのいずれかである。得られたレーザスポットは、互いからの前記列の長手方向のオフセットと、前記列の長手方向と垂直な方向のオフセットとの一方又は両方を有する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが５０μｍ〜２００μｍの基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域を含み且つ切断の起点となる改質領域７を基板１の内部にのみ形成し、基板１の表面３及び裏面２１には溝及びスクライブラインを形成することなく改質領域７から発生させた割れを表面３及び裏面２１に到達させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを当該割れによって切断する。 （もっと読む）

【課題】ワーク内部にレーザー光線を集光して改質層を形成する加工装置において、厚さが規格外のワークが搬入されたことを加工前に検出する。
【解決手段】ワーク１を保持手段４０に搬入して保持した状態で、光学式の測定手段７０により、ワーク１の上面１ａの高さ位置を測定する第一の測定工程と基準面に設定した保護テープ１０の粘着面１０ａの高さ位置を測定する第二の測定工程とを行い、第一の測定工程と第二の測定工程とによって得られた値の差分によってワーク１の上面１ａから基準面までの距離を検出し、該距離に基づいて、搬入されたワーク１の厚さが規格外であるか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する基板の内部にレーザー光線を照射し改質層を形成して基板を分割するにあたり、基板の内部にレーザー光線を十分に集光する。
【解決手段】貫通電極４を有する基板１の表面１ａをエッチングによって除去し、貫通電極４の上面４ａを基板１の表面１ａから突出させる電極頭出し工程と、基板１の内部に、分割予定ライン２に沿って基板１を透過する波長のレーザー光線Ｌを集光して改質層５を形成する改質層形成工程と、電極頭出し工程と改質層形成工程との後に、改質層５に外力を加えることによって分割予定ライン２に沿って基板１を分割する分割工程とを経て、基板１を分割する方法において、電極頭出し工程を改質層形成工程の後に行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に触れることなく加工処理することができるウェーハテーブル及びレーザダイシング装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷは、裏面に透明なダイシング用テープＴが貼着されて、ダイシング用フレームＦにマウントされる。ダイシング用フレームＦにマウントされたウェーハＷは、裏面を吸引されて、透明なウェーハテーブル２０に保持される。レーザ光は、透明なウェーハテーブル２０及び透明なダイシング用テープＴを通してウェーハＷの裏面に入射される。これにより、ウェーハＷの表面に触れることなくウェーハＷを保持して、ウェーハＷの裏面にレーザ光を入射することができ、ウェーハＷの表面に形成された素子等を破壊することなく、レーザダイシングすることができる。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】レーザーが接着テープに照射されたり、板状物に完全切断溝が形成されてレーザーが接着テープに照射されても、板状物が貼着された接着テープに貫通穴が形成されない板状物の加工方法を提供する。
【解決手段】板状物２の分割予定ライン２１に沿ってレーザーを照射し分割溝を形成する板状物の加工方法であって、ポリオレフィンフイルムを基材とし表面に接着層が敷設された３００〜４００ｎｍの波長域での全光線透過率が５０％以上であるとともにヘーズが７０％以上の接着テープ４を開口部に設けた環状フレームの接着テープに板状物を貼着する工程と、該板状物をレーザー加工装置のチャックテーブル５１に接着テープを介して保持し、３００〜４００ｎｍの波長のレーザーを照射しつつ加工送りし、板状物に設定された分割予定ラインに沿ってレーザーを照射し、レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠陥を低減する。また、歩留まり高く欠陥の少ない半導体基板を作製する。また、歩留まり高く半導体装置を作製する。
【解決手段】支持基板に酸化絶縁層を介して半導体層を設け、該半導体層の端部における、支持基板及び酸化絶縁層の密着性を高めた後、半導体層の表面の絶縁層を除去し、半導体層にレーザ光を照射して、平坦化された半導体層を得る。半導体層の端部において、支持基板及び酸化絶縁層の密着性を高めるために、半導体層の表面から、レーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物１２の表面に界面活性剤膜１１を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑１５が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜１１は、好ましくは後で、この界面活性剤膜１１上に被着した切削屑１５１といっしょに除去される。 （もっと読む）

【解決手段】 先ず、シリコンインゴット２の外周面２Ｂにスクライバ４Ａによって円周方向溝２Ｄを形成する。次に、第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２を重畳させて端面２Ａ側から円周方向溝２Ｄに照射し、その後、両レーザ光Ｌ１、Ｌ２を割断予定面２Ｅに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第１のレーザ光Ｌ１によって割断予定面２Ｅとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域２Ｆに改質され、そこに第２のレーザ光Ｌ２が照射される。そのため、円周方向溝２Ｄに生じたクラック２０が半径方向に進展してシリコンウェハ２Ｓが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット２から所定厚さｔのシリコンウェハ２Ｓを切り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】クロック信号Ｓ１に同期したパルスレーザビームＰＬ４を出射し、ステージ２０をクロック信号Ｓ１に同期させて移動することにより、被加工基板ＷとパルスレーザビームＰＬ４とを相対的に移動させ、被加工基板ＷへのパルスレーザビームＰＬ４の照射と非照射を、クロック信号Ｓ１に同期して、パルスレーザビームＰＬ４の通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板Ｗに基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、被加工基板Ｗの位置とパルスピッカー１４の動作開始位置が同期し、パルスレーザビームＰＬ４の照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において略直線的に連続するよう形成する。 （もっと読む）