【課題】プラズマ処理装置用の電極板に形状精度の良好なガス噴出用の通気孔を形成する。
【解決手段】プラズマ処理装置用の電極板１０に厚さ方向に貫通する通気孔１１を形成する電極板１０の通気孔形成方法であって、電極板１０の表面１０ａを中心線平均粗さＲａ０．２μｍ〜３０μｍとする粗面化工程と、電極板１０の粗面化された表面１０ａに波長２００ｎｍ〜６００ｎｍのレーザ光２０を照射して通気孔１１を形成する通気孔形成工程とを有し、レーザ光２０の焦点スポット２１を電極板１０の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリア２２を形成し、この照射エリア２２を電極板１０の面方向に円運動させながら、レーザ光２０の焦点スポットを電極板１０の厚さ方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】加工形状の精度が向上し、加工形状の自由度が向上するレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物である基板Ｗに凹部を形成する際に、基板Ｗの内部に第１のレーザ光である改質用レーザ光Ｌ１の集光点Ｌ_Ｓ１を走査して、レーザ加工領域Ｒ１の境界となる改質層Ｗｒを凹部の底部に対応する位置に形成する（改質層形成工程）。次いで、基板Ｗの表面Ｗａに第２のレーザ光である加工用レーザ光を集光照射して改質層Ｗｒにより区切られたレーザ加工領域Ｒ１を除去加工することで凹部を形成する（除去加工工程）。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】２つのレーザ光による加工跡が均一になるように２つのレーザ光の強度を調整することができ、２つのレーザスポットの位置が設定された値になるように調整できるレーザ加工装置及びレーザ加工方法の提供。
【解決手段】レーザ光源と、固定手段と、回転手段と、照射位置移動手段と、レーザ光の偏光方向を出射されたレーザ光の光軸に対して変化させる偏光方向変化手段と、偏光方向変化手段により偏光方向が変化されたレーザ光を２つのレーザ光に分離させる偏光ビームスプリッタと、２つのレーザ光の光軸を平行からずらして合成する光学系と、光学系で合成された２つのレーザ光を集光させる対物レンズと、加工対象物に形成された加工跡に非加工強度のレーザ光を照射したときの反射光の特性を加工跡の特性として検出する特性取得手段とを有するレーザ加工装置である。 （もっと読む）

【課題】高性能なフィルターを低コストで容易に製造する。
【解決手段】フィルター２０は、複数の孔６が形成されたシリコン単結晶を有し、孔６の開口部が、シリコン単結晶の（１１０）面に形成され、貫通孔６を形成する面６ｂ１，６ｂ２，６ｂ３，６ｂ４が、シリコン単結晶の（１１１）面である。 （もっと読む）

レーザ（５０）を使用して、点単位の所定の幾何形状を形成するように回転式切削工具（１０）の切削端（１８）から材料を除去して、回転式切削工具（１０）の切刃（２０、２２）およびこれに隣接する曲面（Ｓ）領域を形成する方法が開示される。切削端（１８）の表面（Ｓ）に垂直な方向の成分（Ｃ_Ｎ）を有する角度（θ）で回転式切削工具（１０）の切削端（１８）に向かってレーザビーム（Ｌ）を出すことにより、比較的複雑な表面および刃形状を形成することができる。レーザビーム（Ｌ）は、切削端（１８）の表面（Ｓ）を複数のパスで横断して出されて材料を除去し、所望の切刃（２０、２２）およびこれに隣接する３次元曲面形状（Ｓ）を形成する。
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【課題】簡単に基板を局所的に薄型化することである。
【解決手段】基板の加工方法は、基板に凹部を形成する基板の加工方法であって、基板は、レーザー光の照射により変質された領域のエッチング速度が変質されない領域よりも大きい材料で構成されており、基板にレーザー光を照射して材料を変質させた変質部を形成する変質部形成工程（ステップＳ３）と、基板の表面からウェットエッチングを進行させて変質部を除去して基板に凹部を形成するエッチング工程（ステップＳ４）と、を有する。 （もっと読む）

薄物部品（２、１４）の第１面（１６）のマイクロ変形方法であって、前記薄物部品は、前記第１面、前記第１面の反対側の第２面（４、１８）、及び前記第１面に接続する周辺部（２０）によって区切られており、前記第１面の上の最大測定可能距離（Ｄ）が前記第１及び前記第２面の間の距離（Ｅ）の約５倍を超え、好ましくは８倍を超え、前記第２面（４、１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な加工が適用され、当該薄物部品に機械的な力を加えることなく、前記第１面（１６）に固定される静的マイクロ変形を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アナモフィックビーム照射システムを用いて可変非点焦点ビームスポットを形成する。
【解決手段】可変非点焦点ビームスポットは、例えばＬＥＤウェハーのような半導体ウェハーを描画するようなカッティング用途に用いることができる。アナモフィックビーム照射システムは意図的に非点収差を導入して２個の主経線例えば、垂直と水平に分離された焦点を生成する光学コンポーネント群を備える。非点焦点は、尖らされたリーディング・トレーリングエッジから成る非対称だがシャープに合焦されたビームスポットとなる。非点焦点の調整によって、圧縮された焦点ビームスポットのアスペクト比を変え、レーザー出力パワーに影響を与えることなく、ターゲットでのエネルギー密度の調整を可能としている。適当に最適化されたエネルギー及びパワー密度でのウェハーの描画によって、描画速度を増大する一方、過剰な熱及び傍らの材料のダメージを最小にする。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを向上することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板にイオンを添加して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ベース基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際に、複数の凹凸部をボンド基板とベース基板との位置合わせの指標として用いると共に、複数の凹凸部の一を含む領域に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、電気的絶縁性である又は半導体である基板中に、ホール又は凹部又はくぼみを作り出す方法及び、この方法により作り出された、基板中のホール又は凹部又はくぼみに関する。本発明はまた、前記方法により作り出された基板中のホール又は凹部又はくぼみの配列に関する。本発明はまた、本発明に係る方法を実行するためのデバイスに関する。
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【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光２２を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２に溝（３２ａ、３２ｂ）を形成する工程と、溝（３２ａ、３２ｂ）を基点に基板１０を剥離する工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第１の基板上に第１の導電型化合物半導体層、活性層及び第２の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第１の基板の温度が室温より高い第１の温度で、前記エピ層に前記第１の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第２の基板をボンディングさせ、前記第１の基板の温度が室温より高くて前記第１の温度以下の第２の温度で、前記第１の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第１の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の主面に半導体素子用結晶が形成された成長基板にレーザ光を照射して前記半導体素子用結晶または前記成長基板の内部の所定位置に前記レーザ光を集光し、前記第１の主面に対して平行な方向に前記レーザ光を移動し、前記半導体素子用結晶を含む薄層を前記成長基板から剥離する工程を備え、前記レーザ光の波長は、前記レーザ光を内部に集光させる前記半導体素子用結晶または前記成長基板の吸収端波長よりも長いことを特徴とする半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板を吸着テーブルによる簡単な手段で保持させるものでありながら、基板の分断予定ラインを浮き上がらせてレーザビームを照射させることにより効果的に分断することのできる方法並びに装置を提供する。
【解決手段】 多数の小孔を有する支持テーブル１上に脆性材料基板Ｗを載置し、基板の分断予定ライン近傍を除く領域は、小孔３により吸引して基板Ｗを支持テーブル１に密着保持させ、基板Ｗの分断予定ライン近傍の領域は、小孔３により圧縮空気を噴出して基板を浮上させ、この浮上させた分断予定ラインに沿ってレーザビームを移動させながら照射することにより基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】鋳鉄をエキシマレーザによりアブレーション加工して表層部の黒鉛を分解除去し、その部分に陥没部を無数に形成させ摺動面を形成する方法は、装置価額が高価なエキシマレーザを使用しなければならず、汎用性が乏しい。また、黒鉛ブロック、窒化ケイ素部品などの難切削材の加工は切削工具による切削・除去加工が困難であり、その加工速度が非常に制限される。
【解決手段】本発明は、球状黒鉛鋳鉄や可鍛鋳鉄などの表面をより波長の長いレーザで加熱しつつ、反応ガスをノズルで供給し、表層部の黒鉛を炭素と酸素又は二酸化炭素（ＣＯ２）との反応させ、ガス化して除去し、陥没部を多数形成させる。この処理表面が摺動部品の摺動特性を改善できる。またカーボンブラックや窒化ケイ素などの難切削材料の切削・成形加工を反応ガスを用いて溝掘り加工、彫刻加工などの除去・成形加工をするレーザ反応加工を解決手段として提案している。 （もっと読む）

【課題】 切断対象となる加工対象物の材料に左右されず、その加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１２の主面が（１００）面となっているため、溶融処理領域１３を起点として発生した亀裂１７は、シリコン基板１２の劈開方向（シリコン基板１２の主面と直交する方向）に伸展する。このとき、加工対象物１Ａの裏面１ｂと分断用加工対象物１０Ａの表面１０ａとが陽極接合によって接合されているため、亀裂１７は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物１Ａの表面１ａに到達する。しかも、分断用加工対象物１０Ａに応力を生じさせる際には、亀裂１７が分断用加工対象物１０Ａの裏面１０ｂに到達しているため、亀裂１７は、加工対象物１Ａ側に容易に伸展する。 （もっと読む）

基板平面（１４）内に配置した基板を処理するための光ビームを生成する光学システムであって、光ビームは、光ビームの伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第１次元（Ｘ）内のビーム長（Ｌ）と第１次元（Ｘ）及び光伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第２次元（Ｙ）内の光ビーム幅（Ｂ）とを有する、光学システムは、第１次元及び第２次元の少なくとも一方における光ビームを相互に重畳して基板平面（１４）に入射する複数の光路（２４ａ〜２４ｃ）に分割する少なくとも１つの混合光学構成体（１８）を備える。少なくとも１つのコヒーレンスに影響する光学構成体が、光ビームのビーム経路内に存在し、少なくとも１つの他の光路からの１つの光路の少なくとも１つの光路間隔に関する光のコヒーレンス度を少なくとも低減するよう光ビームに作用する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ領域と可視光領域の両領域の光を透過する被加工物の表面および内部に短時間かつ高効率で微細加工を行うことのできるレーザー加工方法とレーザー加工装置とを提供することを目的とする。
【解決手段】レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 （もっと読む）

本発明はガラス及び半導体ウェハなどの基板を加工する方法及び装置に関する。本方法は、基板を局所的に溶融し得る、所定の持続時間、パルス周波数及び焦点スポット径を有する複数の連続する集束レーザパルスをレーザ源から基板に照射するステップ、構造的に変化された領域が基板に形成されるように前記レーザ源と前記基板を所定の速度で相対的に移動させるステップを備える。本発明によれば、パルス持続時間は２０〜１００ｐｓの範囲内であり、パルス周波数は１ＭＨｚ以上であり、移動速度は連続するパルスの間隔が焦点スポット径の１／５未満になるように調整される。本発明は、例えば通常透明である材料の効率的なダイシング、スクライビング及び溶接に使用できる。 （もっと読む）