【課題】本発明は、薄膜電極セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板と、セラミック基板の表面に形成されたエッチング防止金属層と、エッチング防止金属層上に形成された薄膜電極パターンと、薄膜電極パターン上に形成されたメッキ層と、を含み、薄膜電極パターンの各エッジ部は前記エッチング防止金属層と接することを特徴とする。薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板の表面に陰刻形状のエッチング防止金属層を形成することにより、セラミック基板の表面と薄膜電極パターンとの間、及び薄膜電極パターンの間でエッチング液によって発生するアンダーカットを防止できる。また、薄膜電極パターンのエッジ部のセラミック基板表面の金属層に対する接着力が向上されることができ、薄膜電極パターン全体の固着力を向上させることができるため、薄膜電極パターンの耐久性及び信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅ−Ｎｉ系の金属材料からなる導体層と樹脂層との密着性を向上させる。
【解決手段】基板１００は、表面層がＦｅ−Ｎｉ系の金属材料からなる導体層と、導体層の表面のうち少なくとも一部に形成された表面被覆膜１２と、表面被覆膜１２と接するように設けられている樹脂層２０と、を備えている。表面被覆膜１２は、導体層の表面のうち少なくとも一部に付着したスズ膜と、スズ膜を表面装飾する有機シラン化合物からなる。これにより、Ｆｅ−Ｎｉ系の金属材料からなる導体層と樹脂層との密着性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストに紫外線を照射するフォトリソグラフィー工程において、配線パターンへのハレーションを防止することができ、その製造工程を簡略化できるフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を提供する。
【解決手段】樹脂基板に貼り合わせる圧延銅箔１１の表面に紫外線反射防止膜１２を形成し、その紫外線反射防止膜１２上にフォトレジスト１３を形成し、そのフォトレジスト１３に紫外線ＵＶを照射して配線パターン１３ｐを形成するためのフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔１０において、紫外線に対する反射率が銅よりも低い金属膜を、紫外線反射防止膜１２として用いたものである。 （もっと読む）

【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を回避し充分なピール強度を有した電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔の表面にベンゾトリアゾール処理を施したのち、その金属箔表面上に電気抵抗層を形成する。電気抵抗層は、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、鉄、インジウム、亜鉛、タンタル、スズ、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群の中から選択された金属から形成される。また、電気抵抗層付き金属箔は別の一実施形態において、金属箔上に配置された熱可塑性樹脂層を更に備える。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、前記表面処理層がＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上を含み、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上の元素、及び、酸素の深さ方向の濃度分布を測定したとき、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Ｘｎｍ、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ｙｎｍが、Ｙ≦Ｘを満たす積層体。 （もっと読む）

【課題】作業性が良好で、耐熱性、耐湿性、耐候性に優れ、かつ半導体素子と各種基材との接合において信頼性の高い物理的、電気的接合が可能な導電性ペースト、及びそのような導電性ペーストを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、（Ａ）可溶性ポリイミド樹脂、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）比表面積（ＳＡ）０．３〜１．３ｍ^２／ｇ、タップ密度（ＴＤ）３．０〜６．０ｇ／ｃｍ^３のフレーク状銀粉を含有する。半導体装置は、そのような導電性ペーストにより、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】 光学式外観検査方法により、配線パターンの良否判別の高精度化、高感度化に応えることが可能な導体配線を形成できる導電性ペースト、及び当該導電性ペーストを用いて形成された配線パターンの良否を検査する方法を提供する。
【解決手段】 導電性粒子、バインダー樹脂、及び蛍光物質を含有する導電性ペーストで、前記蛍光物質は、沸点が２００℃以下の蛍光物質、特にｃｉｓ−スチルベンが好ましい。本発明の導電性ペーストを用いて形成される配線パターン又は導体配線の検査方法であって、前記蛍光物質の励起波長を含む光を前記配線パターン又は導体配線が形成された基板に照射し、その反射光によりパターン又は配線部の存在を検出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）２５℃において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、レオメーターを使用して連続的にシェアレートを変えて繰り返し３０℃で測定した粘度が、シェアレート１０．０ｓｅｃ^-1のとき１００〜２００Ｐａ・ｓであり、かつ、シェアレート１００．０ｓｅｃ^-1のとき１０〜４０Ｐａ・ｓであることを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】製造に真空設備を必要とせず、また有機物接着剤を使用することなく、且つ導電層（銅箔層）を十分に薄くすることを可能とするプリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁性の基材１１と、該絶縁性の基材１１の上に積層される第１導電層１２と、該第１導電層１２の上に積層される第２導電層１３とを有し、前記第１導電層１２が金属粒子を含む導電性インクの塗布層として構成され、前記第２導電層１３がめっき層として構成されていることを特徴とするプリント配線板用基板である。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法を用いた加工においても、微細配線加工性に優れたメタライジング法による２層金属化ポリイミドフィルムの提供と、この微細配線加工性に優れた２層金属化ポリイミドフィルムを基材に用いたプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくＮｉを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜される銅薄膜層と、銅薄膜層の表面に電気めっき法で形成された銅めっき被膜を備える金属化ポリイミドフィルムにおいて、その銅めっき被膜が、銅薄膜層との界面から膜厚２．５μｍの範囲では、結晶が（１１１）面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが０．５μｍ〜１．５μｍの範囲で、硫黄を３０重量ｐｐｍ〜２５０重量ｐｐｍ含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を施した銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板において、銅箔回路エッチング後に液晶ポリマー樹脂表面上の粗化粒子残渣のない、銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板であって、当該銅箔は液晶ポリマーとの接着面に、銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層とが形成されており、該一次粒子層の平均粒子径が０．２５−０．４５μｍであり、該二次粒子層の平均粒子径が０．０５−０．２５μｍである銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの導電性粒子を含有しながら、幅広い印刷方法に適用可能な優れた印刷適性を有する導電性ペーストを提供する。
【解決手段】平均粒径が５〜３００ｎｍの導電性粒子と、イソボルニル基を有する化合物からなる溶剤とを含み、下記式で表されるチキソ比が１．０〜４．０の範囲であることを特徴とする導電性ペーストである。
［剪断速度１０ｓ^−１での粘度値］／［剪断速度１００ｓ^−１での粘度値］ （もっと読む）

【課題】電子部品が搭載されるランドを有する配線基板において、ランドの微細化に適した構成を実現する。
【解決手段】内部に内部配線１１を有する基材１２と、基材１２の一面１３に設けられ、電子部品３０と接続される導電性のランド１４とを備える配線基板１０において、基材１２の一面１３上には、ランド１４よりも面積の大きい表面配線層１５が設けられており、この表面配線層１５上にランド１４が直接積層されており、表面配線層１５は、ランド１４の直下より外れた部位にて内部配線１１と電気的に接続されることにより、ランド１４は、表面配線層１５を介して内部配線１１と電気的に接続されており、基材１２の一面１３上には、電気絶縁性の樹脂層２０が設けられており、ランド１４の上面１４ａが樹脂層２０より露出した状態でランド１４および表面配線層１５は樹脂層２０に封止されている。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を含む導電層を有すものであって高温放置後の剥離強度の低下が小さいプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】このプリント配線板用基板は、絶縁性基材１０と、この絶縁性基材１０に金属粒子２２Ａを積層して形成された第１導電層と、この第１導電層に積層された第２導電層とを含む。第１導電層の金属粒子２２Ａは、この金属粒子２２Ａの酸化を抑制する酸化抑制剤３０により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】低コストでＡｇのマイグレーションを防止することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２の表面１２ａに設けられた導電膜１０は、（ａ）基板１２の表面１２ａに形成された、Ａｇを主成分とする第１層１４と、（ｂ）第１層１４の少なくとも一部を覆い、モル比率（Ａｇ／Ｓｎ）が８０／２０以下、かつ２０／８０以上の範囲内であるＡｇ／Ｓｎ合金を主成分とする第２層１６とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、
前記表面処理層が、Ａｕ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれか１種を含み、
前記表面処理層側の２０ｎｍの深さまでの表層の２価のＣｕの酸化物の原子数の割合である（２価のＣｕの酸化物の原子数）／｛（１価のＣｕの酸化物の原子数）＋（単体のＣｕの原子数）｝（％）が８０％以下である積層体。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩化第二銅水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温５０℃で且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ａｇ／ＡｇＣｌ電極を用い、前記表面処理層側から測定範囲１ｃｍ×１ｃｍで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記メッキ銅層の自然電位より３０ｍＶ以上高く、且つ、測定開始から１００秒以内で前記測定開始時の自然電位の２０％以下まで低下する積層体。 （もっと読む）