プリント回路基板の無電解表面処理めっき層及びその製造方法
【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の高密度化に伴ってプリント回路基板（ＰＣＢ）の表面処理に関する技術が多様化している。ＰＣＢ製品は、薄板化、高密度化されており、このような時代の要求に応じて、最近、ＰＣＢの表面処理工程は、工程を単純化し、ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）などの問題点を解決するために、電解Ｎｉ／Ａｕの表面処理からテールレス（Ｔａｉｌｌｅｓｓ）を容易に具現することができる無電解表面処理に変化している。
【０００３】
特に、既存の無電解Ｎｉ／Ａｕ（以下、ＥＮＩＧとする）と、最近注目されている無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ（以下、ＥＮＥＰＩＧとする）は、優れたはんだ接続信頼性及びワイヤボンディング信頼性を有するため、パッケージ基板だけでなく様々な分野において用いられている。しかし、電子部品の高密度化のために配線が微細化されるにつれて、従来回路基板の表面処理技術の問題点が現れ始めた。
【０００４】
一方、ダイ（ｄｉｅ）及びメインボード（ｍａｉｎ ｂｏａｒｄ）などの各種デバイスを連結する方法は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ−ｂｏｎｄｉｎｇ）方式とはんだ接合（ｓｏｌｄｅｒ ｊｏｉｎｔ）方式の二つに大別される。
【０００５】
添付の図１ａと図１ｂは、従来のワイヤボンディング方式を用いてめっき層とデバイスを連結する場合の断面図と上面図をそれぞれ示している。これを参照すると、まず、プリント回路基板のうち銅層１０を除く部分に高分子樹脂層２０を形成して、以降にめっきに対するレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）の機能を行うようにし、前記銅層１０を保護するために、無電解めっき法を用いためっき層３０として無電解Ｎｉ層３１／Ｐｄ層３２／Ａｕ層３３を形成する。また、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理を施しためっき層３０を形成した後、金ワイヤ（Ａｕ ｗｉｒｅ）などを用いて前記金属層を相互連結（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）させる。
【０００６】
前記ＥＮＩＧ、あるいはＥＮＥＰＩＧのめっき層３０を含む基板において、前記ＥＮＩＧの場合、Ｎｉ層が少なくとも３μｍの厚さを有し、Ａｕ層が０．０５〜０．５μｍの厚さを有し、前記ＥＮＥＰＩＧの場合、図２で確認できるように、Ｎｉ層が少なくとも３μｍの厚さを有し、Ｐｄ層が０．０５〜０．３μｍの厚さを有し、Ａｕ層が０．０５〜０．５μｍの厚さを有する。
【０００７】
即ち、Ｎｉ層は、通常３μｍ以上、具体的には３〜７μｍの最も厚い厚さを有する。これは、無電解Ｎｉ層がバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）として作用して下に配置された銅（ｃｏｐｐｅｒ）の拡散を抑制するために、欠陷のない被膜性能を有する必要があるためである。
【０００８】
しかし、前記Ｎｉ層の厚さが厚いと、周波数が高くなるほど表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電流が表面に流入されて、内層のＣｕ配線の代わりに最外層のＮｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕに電流の集中する現象が発生する。しかし、Ｎｉ層は、Ｃｕより電気抵抗が高いため、電気特性に劣るという短所が存在し、これに対する解決策が必要である。
【０００９】
また、このような膜厚では、パターン間の間隔（Ｓｐａｃｅ）を２５μｍ以下にすることを目標とする次世代技術に対応することができない。その理由は、パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）の間が狭くなると、Ｎｉが非理想的にパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）の間で成長して電気的ブリッジ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｂｒｉｄｇｅ）を誘発するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６２８０８２８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記従来技術のように表面処理が施されためっき層と外部のデバイスをワイヤボンディング方式を用いて連結することにおいて、前記めっき層に含まれたニッケル層の厚さが厚いことにより発生する様々な問題を解決して表皮効果による電流の流れの不均一性の問題を解決することができるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は、銅層を保護するために、表面にめっき層を形成するプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
さらに、本発明は、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の課題を解決するための一実施形態によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００１５】
前記無電解表面処理めっき層は、ワイヤボンディング方式を用いて外部デバイスと連結することに好ましく適用されることができる。
【００１６】
前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されることが好ましい。
【００１７】
前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化防止のために用いられることができる。
【００１８】
また、本発明は、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することを特徴とする。
【００１９】
周波数帯域が増加するにつれて電流が伝導体の表面に沿って流れる表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により、電流が既存のＥＮＥＰＩＧ層を使用する際に電気比抵抗の高いニッケル層に流れて電気的抵抗値が増加する。しかし、前記無電解表面処理めっき層を含む本発明のプリント回路基板の場合、前記無電解表面処理めっき層内のニッケルめっき層の厚さを大幅に減少させることにより、高周波数帯域における電気抵抗値の増加を緩和して電気的信号を改善することができる。
【００２０】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層に形成されためっき層間の間隔（ｓｐａｃｅ）は２５μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の他の課題を解決するための一実施形態によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法は、ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜が順次に構成された無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００２２】
前記無電解ニッケルめっき被膜は、８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されるように形成することが好ましい。
【００２３】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、無電解ニッケルめっきを施す際にＮｉめっき液のｐＨを相対的に減少させることで前記範囲に調節することができる。即ち、一般的に用いられる無電解ニッケルめっき液によりｐＨの調節範囲に少しずつ差が発生し得るが、広く使用されている上村工業社（Ｕｅｍｕｒａ社）製のＮＰＲ−４薬品の場合、ｐＨ４．５以下に管理したり硫黄化合物添加剤の濃度を適切に減少させることにより前記範囲に調節することができる。
【００２４】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、ニッケルめっき液に有機化合物添加剤を添加して前記範囲に調節することができる。
【００２５】
前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型あるいは置換型に形成されることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特に、ニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化することにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。
【００２７】
また、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、ニッケルめっき被膜の厚さを画期的に減少させることにより、前記無電解表面処理めっき層を外部のデバイスとワイヤボンディング方式を用いて連結する際に、高周波帯域における電流が表面に沿って流れる表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電流が電気抵抗の高いニッケル層に流れ電気抵抗が高くなり、電気的信号特性が低下される現象を減少させることができる。即ち、ニッケルめっき被膜の厚さを画期的に減少させることにより、高周波帯域において電気的比抵抗の低いＣｕ層に電流がより多く流れるようにすることで、電気的特性を向上させることができる。
【００２８】
また、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、Ｎｉめっき被膜が薄い厚さを有することにより、２５μｍ以下のパターン間隔（ｐａｔｔｅｒｎ ｓｐａｃｅ）を有する銅めっき層上に無電解ニッケルめっきを施す際に、パターン間隔の間で希望しない非理想的なＮｉめっきの発生による電気的ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１ａ】従来のワイヤボンディング方式を用いてデバイスを連結する場合の断面図である。
【図１ｂ】従来のワイヤボンディング方式を用いてデバイスを連結する場合の上面図である。
【図２】従来のＣｕ層上に形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明の一実施形態による無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の構造を示したものである。
【図４】Ｃｕ層上に形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の走査型電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明をより詳細に説明すると以下のとおりである。
【００３１】
本明細書で用いられる用語は、特定の実施例を説明するために用いられ、本発明を限定しようとするものではない。本明細書に用いられたように、単数型は文脈上異なる場合を明白に指摘するものでない限り、複数型を含むことができる。また、本明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせが存在することを特定するものであり、一つ以上の他の形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせの存在または付加を排除するものではない。
【００３２】
本発明は、接続端子上に無電解めっき方式により形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層に関する。
【００３３】
添付の図３では、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の構造を示している。これを参照すると、プリント回路基板のうち銅層１１０を除く部分に高分子樹脂層１２０を形成し、以降のめっきに対してレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）の機能を行い、前記銅層１１０を保護するために無電解めっき法を用いためっき層１３０として、無電解Ｎｉめっき被膜１３１／Ｐｄめっき被膜１３２／Ａｕめっき被膜１３３を形成する。
【００３４】
本発明では従来方式の短所を克服するために、前記ニッケルめっき被膜１３１の厚さを減少させて、問題となった周波数が増加する際に発生する抵抗増加を最大限に抑制することができるようにした。
【００３５】
本発明による無電解表面処理めっき層のニッケルめっき被膜１３１は、０．０２〜１μｍの厚さに形成されることが好ましい。前記ニッケルめっき被膜の厚さが１μｍを超える場合、電気抵抗の高いＮｉ層の厚さが相対的に厚いため、高周波帯域における電気的特性が向上する効果が少なく、また、０．０２μｍ未満に形成される場合、耐食性低下などの問題があるため好ましくない。
【００３６】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜１３１を形成した後、前記ニッケルめっき被膜上に無電解パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜１３２をめっきする。前記無電解Ｐｄめっき被膜１３２は、電気化学的にアクティブな（ａｃｔｉｖｅ）Ｎｉ層がイマージョン（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）Ａｕあるいは無電解Ａｕをめっきする際にＡｕと反応して腐食される現象を抑制する機能を行うものであって、本発明による前記無電解パラジウムめっき被膜は０．０１〜０．３μｍの厚さを有することが好ましい。前記無電解パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜の厚さが０．３μｍを超える場合、コストが高くなる問題があるため好ましくない。
【００３７】
最後に、本発明による無電解表面処理めっき層は、前記無電解パラジウムめっき被膜１３２を形成した後、前記無電解パラジウムめっき被膜上に無電解金（Ａｕ）めっき被膜１３３をめっきする。前記無電解Ａｕめっき被膜１３３は、酸化を防止してワイヤボンディング性を維持する機能を行うものであって、本発明による前記無電解金めっき被膜は、０．０１〜０．５μｍの厚さを有することが好ましい。前記無電解Ａｕめっき被膜の厚さが０．５μｍを超える場合、コストが上昇する問題があるため好ましくない。
【００３８】
前記のように形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層１３０は、金ワイヤ（Ａｕ ｗｉｒｅ）などを用いてワイヤボンディング方式により外部装置に連結されることができる。
【００３９】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜１３１内にはリン（Ｐ）が８ｗｔ％以上含有されることが好ましく、また、９〜１１ｗｔ％含有されることがさらに好ましい。前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化を防止するためのものであって、比較的高いｗｔ％のリンが無電解ニッケルめっき被膜に含まれるとき、無電解ニッケルめっき被膜の酸化を効果的に防止することができる。
【００４０】
本発明の一実施形態によると、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することができる。
【００４１】
本発明による無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板は、周波数帯域が増加しても前記無電解表面処理めっき層の電気抵抗値が増加しないという特徴を有する。前記無電解表面処理めっき層を形成するニッケル層の厚さを最小限にすることにより、周波数帯域が増加しても電流が表面処理めっき層に流入する問題を根本的に解決することができる。従って、従来技術における表皮効果により、電流の流れが表面層にのみ集中する問題を解決して均一に電流が流れる効果を有する。
【００４２】
また、本発明によるプリント回路基板は、無電解表面処理めっき層で形成されためっき層間の間隔（ｓｐａｃｅ）を２５μｍ以下に形成することが好ましい。
【００４３】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法を説明する。プリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法は、ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜を順次に形成することにより、無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００４４】
本発明による無電解表面処理めっき層を構成するニッケル、パラジウム、及び金めっき液は、当業界において通常使用されるものであれば特に限定されず使用することができる。また、具体的なめっき方法も通常のレベルのものであり、特に限定されない。
【００４５】
但し、本発明の無電解表面処理めっき層は、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜の厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍの範囲を有するようにめっきする条件が必要である。
【００４６】
特に、前記ニッケルめっき液は、一般的に、次亜リン酸塩（ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）を使用し、析出被膜内にリンを含む。前記リン（Ｐ）は、Ｎｉめっき被膜の酸化防止に効果的に作用することができる。従って、本発明による無電解ニッケルめっき被膜内には、８ｗｔ％以上、好ましくは９〜１１ｗｔ％のリン（Ｐ）が含有されるように形成する必要がある。
【００４７】
本発明による無電解ニッケルめっき被膜が、前記のようなリン含量を有するようにするためには、２つの方法を使用することができる。第一の方法は、前記無電解ニッケルめっき液のｐＨを減少させる方法である。前記ニッケルめっき液のｐＨは、広く使用される上村工業社（Ｕｅｍｕｒａ社）製のＮＰＲ−４薬品である場合、４．５〜４．７の範囲を有するが、本発明では、４．２〜４．４に減少させてリン含量が比較的高いレベルを維持するようにした。
【００４８】
第二の方法は、前記無電解ニッケルめっき液に添加された硫黄化合物添加剤の含量を減少させて無電解ニッケル被膜内のリン含量を前記範囲内で調節する方法である。即ち、チオ尿素（Ｔｈｉｏｕｒｅａ）のような硫黄化合物の濃度などを減少させて調節することにより、無電解めっき被膜が希望するレベルのリン含量を有することができる。
【００４９】
本発明の実施例によると、前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型に形成されることができ、また置換型のイマージョン（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）金めっき被膜層を形成することができる。万が一、前記無電解金めっき被膜が一般的な置換型に形成される場合には、微細に形成された無電解Ｎｉめっき被膜、無電解Ｐｄめっき被膜に腐食孔を形成して銅（ｃｏｐｐｅｒ）拡散防止能力を低下させるという問題点がある。しかし、置換／還元型に無電解金めっき被膜を形成する場合、反応初期にすぐ置換反応を起こし、Ｎｉめっき被膜とＰｄめっき被膜に対する攻撃がないため、結果、微細な構造のめっき層を得ることができるという長所があるため好ましい。しかし、比較的に薬品管理が容易で安価な置換型のＡｕを使用してもよい。
【００５０】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。しかし、これらの実施例は例示に過ぎず、本発明の範囲はこれら実施例により限定されない。
【００５１】
[実施例１]
１）無電解Ｎｉめっき
前処理工程を経た基板を、めっき被膜内に１０ｗｔ％のリンが含まれるようにする無電解Ｎｉめっき液（ｐＨ４．２〜４．４、ＮＰＲ-４：上村工業社製）に６５℃で１分間浸漬した後、２分間洗浄して、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっき被膜を得た。
【００５２】
２）無電解Ｐｄめっき
前記無電解Ｎｉめっきが施された基板を、無電解 Ｐｄめっき液であるＸＴＰ（ｐＨ７．２、上村工業社製）に、５０℃で１０分間浸漬した後、２分間洗浄して厚さ０．１μｍの無電解パラジウムめっき被膜を得た。
【００５３】
３）無電解Ａｕめっき
めっきが施された前記無電解ニッケルとパラジウムの基板を、無電解金めっき液（ＧｏＢｒｉｇｈｔ ＴＳＢ-７２、上村工業社製）に８０℃で５分間浸漬して、２分間洗浄した後、１５０℃の送風乾燥機により５分間乾燥させて、厚さ０．１μｍの無電解金めっき被膜が形成された無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層を得た。
【００５４】
４）ワイヤボンディング
前記無電解ニッケル／パラジウム／金表面処理めっき層と外部デバイスを金ワイヤを用いて連結した。
【００５５】
[比較例１]
厚さ５μｍの無電解ニッケルめっき被膜を形成することを除き、前記実施例１と同一の過程により無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層を得た。
【００５６】
[実験例]
前記実施例と比較例により得られた無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層の断面写真を走査型電子顕微鏡で観察し、その結果をそれぞれ添付の図２と図４に示した。
【００５７】
添付の図２を参照すると、従来のニッケル／パラジウム／金めっき層の場合、前記ニッケルめっき被膜の厚さが非常に厚いということが分かる。この場合、高周波帯域において電流が主に表面に沿って流れながら前記めっき層のニッケル層に流入して内層の銅配線の代わりにニッケル層に主に電流が流れる表皮効果（Ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電気抵抗が増加するという問題がある。
【００５８】
しかし、本発明により製造された無電解ニッケル／パラジウム／金の表面処理めっき層の断面写真を示した添付の図４を参照すると、前記ニッケルめっき被膜の厚さがパラジウムめっき被膜や金めっき被膜の厚さとほぼ類似したレベルに形成されたことが分かる。従って、従来のニッケルめっき被膜の厚さが厚いため高周波帯域において電気抵抗が増加する問題を解決できるという効果を有する。これにより、このような無電解ニッケル／パラジウム／金の表面処理めっき層を含むプリント回路基板の電気的特性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０、１１０ Ｃｕ層
２０、１２０ 高分子樹脂層
３１、１３１ Ｎｉ層
３２、１３２ Ｐｄ層
３３、１３３ Ａｕ層
３０、１３０ 無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の高密度化に伴ってプリント回路基板（ＰＣＢ）の表面処理に関する技術が多様化している。ＰＣＢ製品は、薄板化、高密度化されており、このような時代の要求に応じて、最近、ＰＣＢの表面処理工程は、工程を単純化し、ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）などの問題点を解決するために、電解Ｎｉ／Ａｕの表面処理からテールレス（Ｔａｉｌｌｅｓｓ）を容易に具現することができる無電解表面処理に変化している。
【０００３】
特に、既存の無電解Ｎｉ／Ａｕ（以下、ＥＮＩＧとする）と、最近注目されている無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ（以下、ＥＮＥＰＩＧとする）は、優れたはんだ接続信頼性及びワイヤボンディング信頼性を有するため、パッケージ基板だけでなく様々な分野において用いられている。しかし、電子部品の高密度化のために配線が微細化されるにつれて、従来回路基板の表面処理技術の問題点が現れ始めた。
【０００４】
一方、ダイ（ｄｉｅ）及びメインボード（ｍａｉｎ ｂｏａｒｄ）などの各種デバイスを連結する方法は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ−ｂｏｎｄｉｎｇ）方式とはんだ接合（ｓｏｌｄｅｒ ｊｏｉｎｔ）方式の二つに大別される。
【０００５】
添付の図１ａと図１ｂは、従来のワイヤボンディング方式を用いてめっき層とデバイスを連結する場合の断面図と上面図をそれぞれ示している。これを参照すると、まず、プリント回路基板のうち銅層１０を除く部分に高分子樹脂層２０を形成して、以降にめっきに対するレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）の機能を行うようにし、前記銅層１０を保護するために、無電解めっき法を用いためっき層３０として無電解Ｎｉ層３１／Ｐｄ層３２／Ａｕ層３３を形成する。また、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理を施しためっき層３０を形成した後、金ワイヤ（Ａｕ ｗｉｒｅ）などを用いて前記金属層を相互連結（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）させる。
【０００６】
前記ＥＮＩＧ、あるいはＥＮＥＰＩＧのめっき層３０を含む基板において、前記ＥＮＩＧの場合、Ｎｉ層が少なくとも３μｍの厚さを有し、Ａｕ層が０．０５〜０．５μｍの厚さを有し、前記ＥＮＥＰＩＧの場合、図２で確認できるように、Ｎｉ層が少なくとも３μｍの厚さを有し、Ｐｄ層が０．０５〜０．３μｍの厚さを有し、Ａｕ層が０．０５〜０．５μｍの厚さを有する。
【０００７】
即ち、Ｎｉ層は、通常３μｍ以上、具体的には３〜７μｍの最も厚い厚さを有する。これは、無電解Ｎｉ層がバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）として作用して下に配置された銅（ｃｏｐｐｅｒ）の拡散を抑制するために、欠陷のない被膜性能を有する必要があるためである。
【０００８】
しかし、前記Ｎｉ層の厚さが厚いと、周波数が高くなるほど表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電流が表面に流入されて、内層のＣｕ配線の代わりに最外層のＮｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕに電流の集中する現象が発生する。しかし、Ｎｉ層は、Ｃｕより電気抵抗が高いため、電気特性に劣るという短所が存在し、これに対する解決策が必要である。
【０００９】
また、このような膜厚では、パターン間の間隔（Ｓｐａｃｅ）を２５μｍ以下にすることを目標とする次世代技術に対応することができない。その理由は、パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）の間が狭くなると、Ｎｉが非理想的にパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）の間で成長して電気的ブリッジ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｂｒｉｄｇｅ）を誘発するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６２８０８２８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記従来技術のように表面処理が施されためっき層と外部のデバイスをワイヤボンディング方式を用いて連結することにおいて、前記めっき層に含まれたニッケル層の厚さが厚いことにより発生する様々な問題を解決して表皮効果による電流の流れの不均一性の問題を解決することができるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は、銅層を保護するために、表面にめっき層を形成するプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
さらに、本発明は、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の課題を解決するための一実施形態によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００１５】
前記無電解表面処理めっき層は、ワイヤボンディング方式を用いて外部デバイスと連結することに好ましく適用されることができる。
【００１６】
前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されることが好ましい。
【００１７】
前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化防止のために用いられることができる。
【００１８】
また、本発明は、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することを特徴とする。
【００１９】
周波数帯域が増加するにつれて電流が伝導体の表面に沿って流れる表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により、電流が既存のＥＮＥＰＩＧ層を使用する際に電気比抵抗の高いニッケル層に流れて電気的抵抗値が増加する。しかし、前記無電解表面処理めっき層を含む本発明のプリント回路基板の場合、前記無電解表面処理めっき層内のニッケルめっき層の厚さを大幅に減少させることにより、高周波数帯域における電気抵抗値の増加を緩和して電気的信号を改善することができる。
【００２０】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層に形成されためっき層間の間隔（ｓｐａｃｅ）は２５μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の他の課題を解決するための一実施形態によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法は、ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜が順次に構成された無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００２２】
前記無電解ニッケルめっき被膜は、８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されるように形成することが好ましい。
【００２３】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、無電解ニッケルめっきを施す際にＮｉめっき液のｐＨを相対的に減少させることで前記範囲に調節することができる。即ち、一般的に用いられる無電解ニッケルめっき液によりｐＨの調節範囲に少しずつ差が発生し得るが、広く使用されている上村工業社（Ｕｅｍｕｒａ社）製のＮＰＲ−４薬品の場合、ｐＨ４．５以下に管理したり硫黄化合物添加剤の濃度を適切に減少させることにより前記範囲に調節することができる。
【００２４】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、ニッケルめっき液に有機化合物添加剤を添加して前記範囲に調節することができる。
【００２５】
前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型あるいは置換型に形成されることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特に、ニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化することにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。
【００２７】
また、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、ニッケルめっき被膜の厚さを画期的に減少させることにより、前記無電解表面処理めっき層を外部のデバイスとワイヤボンディング方式を用いて連結する際に、高周波帯域における電流が表面に沿って流れる表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電流が電気抵抗の高いニッケル層に流れ電気抵抗が高くなり、電気的信号特性が低下される現象を減少させることができる。即ち、ニッケルめっき被膜の厚さを画期的に減少させることにより、高周波帯域において電気的比抵抗の低いＣｕ層に電流がより多く流れるようにすることで、電気的特性を向上させることができる。
【００２８】
また、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、Ｎｉめっき被膜が薄い厚さを有することにより、２５μｍ以下のパターン間隔（ｐａｔｔｅｒｎ ｓｐａｃｅ）を有する銅めっき層上に無電解ニッケルめっきを施す際に、パターン間隔の間で希望しない非理想的なＮｉめっきの発生による電気的ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１ａ】従来のワイヤボンディング方式を用いてデバイスを連結する場合の断面図である。
【図１ｂ】従来のワイヤボンディング方式を用いてデバイスを連結する場合の上面図である。
【図２】従来のＣｕ層上に形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明の一実施形態による無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の構造を示したものである。
【図４】Ｃｕ層上に形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理金属層の走査型電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明をより詳細に説明すると以下のとおりである。
【００３１】
本明細書で用いられる用語は、特定の実施例を説明するために用いられ、本発明を限定しようとするものではない。本明細書に用いられたように、単数型は文脈上異なる場合を明白に指摘するものでない限り、複数型を含むことができる。また、本明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせが存在することを特定するものであり、一つ以上の他の形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせの存在または付加を排除するものではない。
【００３２】
本発明は、接続端子上に無電解めっき方式により形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層に関する。
【００３３】
添付の図３では、本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の構造を示している。これを参照すると、プリント回路基板のうち銅層１１０を除く部分に高分子樹脂層１２０を形成し、以降のめっきに対してレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）の機能を行い、前記銅層１１０を保護するために無電解めっき法を用いためっき層１３０として、無電解Ｎｉめっき被膜１３１／Ｐｄめっき被膜１３２／Ａｕめっき被膜１３３を形成する。
【００３４】
本発明では従来方式の短所を克服するために、前記ニッケルめっき被膜１３１の厚さを減少させて、問題となった周波数が増加する際に発生する抵抗増加を最大限に抑制することができるようにした。
【００３５】
本発明による無電解表面処理めっき層のニッケルめっき被膜１３１は、０．０２〜１μｍの厚さに形成されることが好ましい。前記ニッケルめっき被膜の厚さが１μｍを超える場合、電気抵抗の高いＮｉ層の厚さが相対的に厚いため、高周波帯域における電気的特性が向上する効果が少なく、また、０．０２μｍ未満に形成される場合、耐食性低下などの問題があるため好ましくない。
【００３６】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜１３１を形成した後、前記ニッケルめっき被膜上に無電解パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜１３２をめっきする。前記無電解Ｐｄめっき被膜１３２は、電気化学的にアクティブな（ａｃｔｉｖｅ）Ｎｉ層がイマージョン（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）Ａｕあるいは無電解Ａｕをめっきする際にＡｕと反応して腐食される現象を抑制する機能を行うものであって、本発明による前記無電解パラジウムめっき被膜は０．０１〜０．３μｍの厚さを有することが好ましい。前記無電解パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜の厚さが０．３μｍを超える場合、コストが高くなる問題があるため好ましくない。
【００３７】
最後に、本発明による無電解表面処理めっき層は、前記無電解パラジウムめっき被膜１３２を形成した後、前記無電解パラジウムめっき被膜上に無電解金（Ａｕ）めっき被膜１３３をめっきする。前記無電解Ａｕめっき被膜１３３は、酸化を防止してワイヤボンディング性を維持する機能を行うものであって、本発明による前記無電解金めっき被膜は、０．０１〜０．５μｍの厚さを有することが好ましい。前記無電解Ａｕめっき被膜の厚さが０．５μｍを超える場合、コストが上昇する問題があるため好ましくない。
【００３８】
前記のように形成された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層１３０は、金ワイヤ（Ａｕ ｗｉｒｅ）などを用いてワイヤボンディング方式により外部装置に連結されることができる。
【００３９】
また、前記無電解ニッケルめっき被膜１３１内にはリン（Ｐ）が８ｗｔ％以上含有されることが好ましく、また、９〜１１ｗｔ％含有されることがさらに好ましい。前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化を防止するためのものであって、比較的高いｗｔ％のリンが無電解ニッケルめっき被膜に含まれるとき、無電解ニッケルめっき被膜の酸化を効果的に防止することができる。
【００４０】
本発明の一実施形態によると、前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板を提供することができる。
【００４１】
本発明による無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板は、周波数帯域が増加しても前記無電解表面処理めっき層の電気抵抗値が増加しないという特徴を有する。前記無電解表面処理めっき層を形成するニッケル層の厚さを最小限にすることにより、周波数帯域が増加しても電流が表面処理めっき層に流入する問題を根本的に解決することができる。従って、従来技術における表皮効果により、電流の流れが表面層にのみ集中する問題を解決して均一に電流が流れる効果を有する。
【００４２】
また、本発明によるプリント回路基板は、無電解表面処理めっき層で形成されためっき層間の間隔（ｓｐａｃｅ）を２５μｍ以下に形成することが好ましい。
【００４３】
本発明によるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法を説明する。プリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法は、ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜を順次に形成することにより、無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００４４】
本発明による無電解表面処理めっき層を構成するニッケル、パラジウム、及び金めっき液は、当業界において通常使用されるものであれば特に限定されず使用することができる。また、具体的なめっき方法も通常のレベルのものであり、特に限定されない。
【００４５】
但し、本発明の無電解表面処理めっき層は、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜の厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍの範囲を有するようにめっきする条件が必要である。
【００４６】
特に、前記ニッケルめっき液は、一般的に、次亜リン酸塩（ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）を使用し、析出被膜内にリンを含む。前記リン（Ｐ）は、Ｎｉめっき被膜の酸化防止に効果的に作用することができる。従って、本発明による無電解ニッケルめっき被膜内には、８ｗｔ％以上、好ましくは９〜１１ｗｔ％のリン（Ｐ）が含有されるように形成する必要がある。
【００４７】
本発明による無電解ニッケルめっき被膜が、前記のようなリン含量を有するようにするためには、２つの方法を使用することができる。第一の方法は、前記無電解ニッケルめっき液のｐＨを減少させる方法である。前記ニッケルめっき液のｐＨは、広く使用される上村工業社（Ｕｅｍｕｒａ社）製のＮＰＲ−４薬品である場合、４．５〜４．７の範囲を有するが、本発明では、４．２〜４．４に減少させてリン含量が比較的高いレベルを維持するようにした。
【００４８】
第二の方法は、前記無電解ニッケルめっき液に添加された硫黄化合物添加剤の含量を減少させて無電解ニッケル被膜内のリン含量を前記範囲内で調節する方法である。即ち、チオ尿素（Ｔｈｉｏｕｒｅａ）のような硫黄化合物の濃度などを減少させて調節することにより、無電解めっき被膜が希望するレベルのリン含量を有することができる。
【００４９】
本発明の実施例によると、前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型に形成されることができ、また置換型のイマージョン（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）金めっき被膜層を形成することができる。万が一、前記無電解金めっき被膜が一般的な置換型に形成される場合には、微細に形成された無電解Ｎｉめっき被膜、無電解Ｐｄめっき被膜に腐食孔を形成して銅（ｃｏｐｐｅｒ）拡散防止能力を低下させるという問題点がある。しかし、置換／還元型に無電解金めっき被膜を形成する場合、反応初期にすぐ置換反応を起こし、Ｎｉめっき被膜とＰｄめっき被膜に対する攻撃がないため、結果、微細な構造のめっき層を得ることができるという長所があるため好ましい。しかし、比較的に薬品管理が容易で安価な置換型のＡｕを使用してもよい。
【００５０】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。しかし、これらの実施例は例示に過ぎず、本発明の範囲はこれら実施例により限定されない。
【００５１】
[実施例１]
１）無電解Ｎｉめっき
前処理工程を経た基板を、めっき被膜内に１０ｗｔ％のリンが含まれるようにする無電解Ｎｉめっき液（ｐＨ４．２〜４．４、ＮＰＲ-４：上村工業社製）に６５℃で１分間浸漬した後、２分間洗浄して、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっき被膜を得た。
【００５２】
２）無電解Ｐｄめっき
前記無電解Ｎｉめっきが施された基板を、無電解 Ｐｄめっき液であるＸＴＰ（ｐＨ７．２、上村工業社製）に、５０℃で１０分間浸漬した後、２分間洗浄して厚さ０．１μｍの無電解パラジウムめっき被膜を得た。
【００５３】
３）無電解Ａｕめっき
めっきが施された前記無電解ニッケルとパラジウムの基板を、無電解金めっき液（ＧｏＢｒｉｇｈｔ ＴＳＢ-７２、上村工業社製）に８０℃で５分間浸漬して、２分間洗浄した後、１５０℃の送風乾燥機により５分間乾燥させて、厚さ０．１μｍの無電解金めっき被膜が形成された無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層を得た。
【００５４】
４）ワイヤボンディング
前記無電解ニッケル／パラジウム／金表面処理めっき層と外部デバイスを金ワイヤを用いて連結した。
【００５５】
[比較例１]
厚さ５μｍの無電解ニッケルめっき被膜を形成することを除き、前記実施例１と同一の過程により無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層を得た。
【００５６】
[実験例]
前記実施例と比較例により得られた無電解ニッケル／パラジウム／金めっき層の断面写真を走査型電子顕微鏡で観察し、その結果をそれぞれ添付の図２と図４に示した。
【００５７】
添付の図２を参照すると、従来のニッケル／パラジウム／金めっき層の場合、前記ニッケルめっき被膜の厚さが非常に厚いということが分かる。この場合、高周波帯域において電流が主に表面に沿って流れながら前記めっき層のニッケル層に流入して内層の銅配線の代わりにニッケル層に主に電流が流れる表皮効果（Ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）により電気抵抗が増加するという問題がある。
【００５８】
しかし、本発明により製造された無電解ニッケル／パラジウム／金の表面処理めっき層の断面写真を示した添付の図４を参照すると、前記ニッケルめっき被膜の厚さがパラジウムめっき被膜や金めっき被膜の厚さとほぼ類似したレベルに形成されたことが分かる。従って、従来のニッケルめっき被膜の厚さが厚いため高周波帯域において電気抵抗が増加する問題を解決できるという効果を有する。これにより、このような無電解ニッケル／パラジウム／金の表面処理めっき層を含むプリント回路基板の電気的特性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０、１１０ Ｃｕ層
２０、１２０ 高分子樹脂層
３１、１３１ Ｎｉ層
３２、１３２ Ｐｄ層
３３、１３３ Ａｕ層
３０、１３０ 無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、
前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項２】
前記無電解表面処理めっき層は、ワイヤボンディング方式を用いて外部デバイスと連結されるものである請求項１に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項３】
前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される請求項１に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項４】
前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化防止のためのものである請求項３に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項５】
請求項１に記載の無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板。
【請求項６】
前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板は、周波数帯域が増加しても前記無電解表面処理めっき層の電気抵抗値が増加しないものである請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記プリント回路基板の無電解表面処理めっき層に形成されためっき層間の間隔が２５μｍ以下である請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜が順次に構成された無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、
前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項９】
前記無電解ニッケルめっき被膜は、８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されるように形成するものである請求項８に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１０】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、Ｎｉめっき液のｐＨを減少させることにより調節されるものである請求項９に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１１】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、ニッケルめっき液に硫黄化合物添加剤を添加して調節されるものである請求項９に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１２】
前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型に形成されるものである請求項８に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１】
無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、
前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項２】
前記無電解表面処理めっき層は、ワイヤボンディング方式を用いて外部デバイスと連結されるものである請求項１に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項３】
前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される請求項１に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項４】
前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化防止のためのものである請求項３に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。
【請求項５】
請求項１に記載の無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板。
【請求項６】
前記無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板は、周波数帯域が増加しても前記無電解表面処理めっき層の電気抵抗値が増加しないものである請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記プリント回路基板の無電解表面処理めっき層に形成されためっき層間の間隔が２５μｍ以下である請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜が順次に構成された無電解表面処理めっき層を形成する段階を含み、
前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項９】
前記無電解ニッケルめっき被膜は、８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有されるように形成するものである請求項８に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１０】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、Ｎｉめっき液のｐＨを減少させることにより調節されるものである請求項９に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１１】
前記無電解ニッケルめっき被膜のリン含量は、ニッケルめっき液に硫黄化合物添加剤を添加して調節されるものである請求項９に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【請求項１２】
前記無電解金めっき被膜は、置換／還元型に形成されるものである請求項８に記載のプリント回路基板の無電解表面処理めっき層の形成方法。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−１２７４０（Ｐ２０１３−１２７４０Ａ）
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１４２８３４（Ｐ２０１２−１４２８３４）
【出願日】平成２４年６月２６日（２０１２．６．２６）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月２６日（２０１２．６．２６）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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