【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）

【課題】表面を十分に平坦化することが可能な金属箔の平坦化方法を提供する。
【解決手段】金属箔１１の表面側の一部を硬化させて硬化層１４を形成する工程と、切削作用を有する研磨器具を使用して研磨することにより、硬化層１４の上部を除去する工程と、残存する硬化層１４を研磨により除去して、表面を平坦化する工程とを含んで、金属箔１１の平坦化を行う。 （もっと読む）

【課題】第１に、導体断面積を大きくとることができ、第２に、しかも高周波特性に優れており、効率が向上し、第３に、もって小型化が可能となり、第４に、しかもこれらが簡単容易に、コスト面に優れて実現される、高伝導化プリント基板およびその製造方法を提案する。
【解決手段】この高伝導化プリント基板１は、中空導体構造よりなり、絶縁基材２の外表面にパターニングされた銅箔パターン４と、銅箔パターン４を被覆する導体被膜９と、銅箔パターン４と導体被膜９間に形成された発泡中空層７とを、少なくとも有している。そして、銅箔パターン４と導体被膜９とで、導体部１０が、形成されている。なお代表例では、発泡中空層７は、発泡インク等の発泡剤５の発泡により形成され、導体被膜９は、半田被膜よりなる。 （もっと読む）

【課題】低ＥＳＬ化を図ることができると共に、回路基板への実装の際にショートが発生することを抑制できる電子部品及び基板モジュールを提供することである。
【解決手段】積層体１１は、コンデンサを形成している容量導体１８，１９及び内部導体３２を内蔵している。外部電極１２ａ，１２ｂはそれぞれ、容量導体１８，１９に引き出し導体２０，２１を介して接続されている。内部導体３２は、容量導体１８，１９に対向している。外部電極１３，１４は、引き出し導体２２，２３を介して容量導体１８に接続されている。外部電極１５，１６は、引き出し導体２４，２５を介して容量導体１９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路などの高周波伝送線路の通過損失が低減され、かつ生産性にすぐれた高周波回路基板を得る。さらには、このマイクロストリップ線路を用いた、低雑音増幅器が低雑音化され、送信用増幅器が高飽和出力化され、電圧可変発振器を低位相雑音化する。
【解決手段】絶縁体基板の表面に金属導体で形成された伝送線路と、この伝送線路の表面にリフローはんだで形成されたはんだ層とを備える。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】高い周波数帯域、特にＧＨｚ帯域で優れた特性を有するナノ粒子複合材料を提供する。
【解決手段】
本発明のナノ粒子複合材料は、平均粒径が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下でＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属を含有する金属ナノ粒子を含有した、平均高さ２０ｎｍ以上２μｍ以下で平均アスペクト比が５以上の形状のナノ粒子集合体から構成される事を特徴とする。
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【課題】エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる表面粗化銅箔を提供する。前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層し、エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる回路基板を提供する。
【解決手段】未処理銅箔の少なくとも一方の表面に金属銅によるパルス陰極電解粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による平滑メッキ処理が施された二次処理面、金属ニッケルによる処理が施された三次処理面、金属亜鉛による処理が施された四次処理面が順に設けられている表面粗化銅箔である。前記四次処理面の上に必要により防錆層、保護層を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路チップと電子回路基板とが簡単な構造で良好に無線通信することができる電子回路装置を提供する。
【解決手段】軸心方向が略平行に位置している電子回路基板１００の無線アンテナ配線１１０と電子回路チップ２００の無線アンテナ配線２１０とが電磁結合するので、この電磁結合により電子回路基板１００と電子回路チップ２００とが無線通信することができる。このため、従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路基板１００と電子回路チップ２００とが簡単な構造で良好に無線通信することができる。 （もっと読む）

【課題】表面付近の電気抵抗が小さく、高周波回路用導体として用いた場合に伝送損失を小さくすることのできる高周波回路用銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔の少なくとも片面を粗化処理した高周波用銅箔であって、この高周波用銅箔と樹脂基材とを粗化処理面が樹脂基材と接するようにして積層成形して銅張積層板とし、ハーフエッチングにより高周波用銅箔を重量換算厚さで３μｍ厚の銅層としたときの銅層の抵抗率が２．２×１０^-8Ωｍ以下である高周波用銅箔。 （もっと読む）

異種金属組成物間の電気的接続における界面の影響を最小限にするために、遷移ビアおよび遷移配線導体を形成するための組成物が、開示される。この組成物は、（ａ）（ｉ）２０〜４５重量％の金および８０〜５５重量％の銀と、（ｉｉ）１００重量％の銀−金の固溶体合金とからなる群から選択される無機成分、および（ｂ）有機媒体を含む。この組成物は、（ｃ）組成物の重量に対して１〜５重量％の、Ｃｕ、Ｃｏ、ＭｇおよびＡｌからなる群から選択される金属の酸化物または混合酸化物、および／または、主として高融点酸化物を含む高粘度ガラスをさらに含む。この組成物は、ビア充填での多層膜組成物として使用され得る。遷移ビアおよび遷移配線導体を形成するために、この組成物を使用して、ＬＴＣＣの回路およびデバイスなどの多層膜回路がさらに形成され得る。
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【課題】表皮効果による高周波電流の損失を抑制することが可能な配線材、電子デバイス及びコンデンサを提供する。
【解決手段】本開示の配線材１は、任意の箔状の導体１１の端部における表面及び裏面に一対の分岐用の箔状の導体１２，１３が接続された分岐構造Ｂ１を備え、分岐構造が、少なくとも２つ連続して設けられている。 （もっと読む）

非ハロゲン化ジアミノジフェニルスルホン硬化剤を有する誘電体材料を提供する。 （もっと読む）

一般的に、ビア（１０６）のインピーダンスは自身に接続された信号線（１０２、１２８）よりも低い。ノイズおよび反射信号が原因でインピーダンス不整合が生じると、回路を、所望の周波数よりも大幅に低い周波数で動作させる必要が生じることがある。ある実施の形態は、回路内のインピーダンス不整合を回避し、スプリットリング共振器（１０４、１１２、１２０、１２６）をビア（１０６）の各端部に追加してビア（１０６）のインピーダンスをより高くすることにより、当該技術における進歩を遂げる。
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【課題】静電容量素子を内蔵する実装基板において実装基板の大きさを制限し小型化する。
【解決手段】樹脂基板（１０，１３，１６）に貫通開口部（スルーホールＴＨ）が形成されており、樹脂基板の貫通開口部の内壁を被覆するように下部電極２０が形成されており、下部電極の上層に誘電体膜２１が形成されており、誘電体膜の上層に上部電極２３が形成されており、樹脂基板上に配線（３１，３２）が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】高周波特性、耐熱性に優れる樹脂基板との高耐熱密着性を兼ね備える銅箔を提供することである。
【解決手段】本発明の高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔は、未処理銅箔の一方の表面に金属銅による一次粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による二次粗化処理が施された二次粗化面、金属亜鉛による三次処理が施された三次処理面が順に設けられている。
本発明の回路基板は前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層してなる基板である。
本発明の銅張積層基板の製造方法は、前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔と、耐熱性を有する樹脂基板とを熱圧接し、前記粗化処理した金属銅と前記金属亜鉛からなる三次処理面を合金化（して真鍮と）するものである。 （もっと読む）

【課題】高速伝送に良好に用いることができる交流結合用コンデンサを提供することである。
【解決手段】本発明の交流結合用コンデンサ１は、高速伝送に用いる交流結合用コンデンサである。同一配線層７内に、信号成分に含まれる第１直流電圧が供給される第１配線４と、信号成分に含まれる第２直流電圧が供給される第２配線５とを、近接して配置しており、第１配線４と第２配線５との間の基板６を誘電体とする。特に、本発明の交流結合用コンデンサ１は、１０Ｇｂｐｓ以上の高速伝送に用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】静電気によるセンサ信号処理ＩＣの破壊が起き難く、小型・低コストのセンサ信号処理回路基板を提供する。
【解決手段】センサとマイコン２０の間に介在させる制御回路１１が設けられたセンサ信号処理ＩＣ１０と、該センサ信号処理ＩＣ１０の出力端子Ｔｏと接地配線の間に挿入されるコンデンサＣとが、回路基板１０１に表面実装されてなるセンサ信号処理回路基板１００であって、回路基板１０１が、２層以上の内部導体層３３〜３６を有してなる多層回路基板であり、接地配線とセンサ信号処理ＩＣ１０の出力端子Ｔｏの間で、内部導体層３３，３４を層間接続して形成されたループ状をなすインダクタＭ１が、コンデンサＣに直列に挿入されてなるセンサ信号処理回路基板１００とする。 （もっと読む）

【課題】実装される電子回路が発生させる高周波ノイズを低減しうる回路基板を提供する。
【解決手段】高周波ノイズの発生源を有する電子回路が実装されたメイン基板１０であって、当該メイン基板１０は、電子回路の近傍に形成され、電子回路とは電気的に非接続であるループ状の閉経路を有する導体と、を備える。これによって、ループ状の閉経路を有する導体は高周波ノイズに応じて電磁誘導を起こして磁界が発生し、導体から発生する磁界と電子回路から発生する磁界とが打ち消しあい、結果的に高周波ノイズを低減することができる。 （もっと読む）