【課題】成膜用ワークを、その成膜面に成形痕あるいは取出痕が付かないように成形して取り出し、高均質の薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】射出成形により成形した成膜用ワーク（Ｗ１）を取り出すとき、成膜用ワークの成膜面（Ｍ１）が可動側金型（５）に残るように型を開き、型を開くことにより露出した非成膜部（Ｍ’１）を吸着して前記可動側金型（５）から取り出す。このとき、成膜用ワーク（Ｗ１）の縁部と、該縁部が付着している可動側金型（５）のパーティング面（Ｐ）との間に圧縮空気（２４、２４）を吹き付け、真空吸着力を破壊して剥離する。 （もっと読む）

【課題】ドットパターンを有する領域と，ドットパターンを有しない領域と，を備えるモールドを高精度で作成可能とする。
【解決手段】実施形態のモールドの製造方法は，第１の高分子に親和な基板上に，第２の高分子に対して親和な第１の層を形成する工程と，第１の層に，第１，第２の開口を形成する工程と，第２の開口内にレジストを充填，硬化する工程と，ブロックコポリマーを含む第２の層を形成，自己組織化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録を行うには、磁性体を充填する細孔を微細にする必要があり、その微細な加工を短時間で行い、製造コストの低減ならびにスループットの向上を図る。
【解決手段】加工速度が早い加工装置により、基板に比較的大きな凹パターンを形成した後、その凹パターン内に薄膜を形成することにより、微細で均一なパターンを低コストかつ高スループットのプロセスによって、形成できる。この基板内に磁性体を埋め込むことで、パターンドメディアが形成される。また、この基板をインプリントモールド原版またはインプリントモールドとして用いることにより、磁気特性に優れた磁性層を有するパターンドメディアの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学部品など、ナノレベルでの精度を必要とする金型成形において、従来のような形状の改良や離型剤をスプレー塗布するような方法では、離型剤膜厚にばらつきが生じるため、精度が悪くなる。さらに、成型品に離型剤が付着すると不都合な場合もある。しかしながら、離型剤を使用しない金型は、未だ実用化されていない。
【課題を解決するための手段】
本発明の金型は、ナノレベルで膜厚が均一で、且つ表面エネルギーを制御した撥水撥油性のフッ化炭素系化学吸着膜を、離型膜として金型表面に形成したものである。このことにより、ナノメートルレベルの超微細形状を有していても、成型物の流動性や入り込み性に優れ、高精度の成形を行えるようになる。さらに離型剤塗布が不要となり、離型剤が成型品に付着するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、分解性酸化物材料、分解性窒化物材料、分解性炭化物材料、分解性炭酸化物材料、分解性硫化物材料、分解性セレン化物材料のいずれかを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造に用いられるインプリント方法において、製造するデバイス
特性の悪化又は微細パターンの加工不良を防止することができるテンプレート及びパター
ン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
凹部及び凸部を有するパターンが形成された透光性基板と、凹部の底面及び凸部の上面に
形成された金属を含有する遮光膜と、遮光膜上に形成された金属拡散防止保護膜と、を備
えたことを特徴とするテンプレートを用いて、パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、凸状部分の高さバラツキが抑制されたレジストパターンを形成できるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、化学的成膜処理により保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備え、前記保護膜生成工程（Ｓ５）では、前記凹凸パターンの隣り合う凸状部分に形成される前記保護膜同士が接触して連続膜となるように当該保護膜を成長させるとともに、前記連続膜の膜表面側における段差の高さが前記凸状部分の高さバラツキの高低差より小さくなるように当該保護膜の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】モールドに付着した異物の除去において、より低コストかつ効率的に異物を除去することを可能とする。
【解決手段】モールド１上の位置であって異物Ｆの存在を表す異物付着位置Ｐ_１を検出して、この異物付着位置Ｐ_１に関する付着位置情報を取得し、基板２上の位置であって凹凸パターン１３と基板２の組成物配置面とが対向した状態で所定の位置合わせが行われたとき異物付着位置Ｐ１に対応する位置である異物対応位置Ｑ１に関する対応位置情報を、付着位置情報に基づいて作成し、硬化性組成物からなる少なくとも１つの液滴Ｄａを異物対応位置Ｑ１に配置し、上記所定の位置合わせを行いながら、凹凸パターン１３を組成物配置面に押し付け、硬化性組成物を硬化せしめ、モールド１を硬化性組成物から剥離する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第１工程（Ｓ２）と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第２工程（Ｓ３〜Ｓ５）と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第３工程（Ｓ６）と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第４工程（Ｓ８）と、を含み、第４工程（Ｓ８）においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンの形成に好適なインプリントモールド及びその作製方法、インプリントモールドを用いて製造されるパターン形成体を提供する。
【解決手段】インプリントモールドは、凹凸パターンが形成されている領域が、その周囲の面よりも高いメサ構造に形成される。このインプリントモールドの作製方法は、パターニングを行う領域の最外周を、所望のパターン領域の最外周よりも２μｍ以上外側に設定する。パターン形成体は、前記インプリントモールドの凹凸パターンを基材上の被転写層に転写して形成される。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いメチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント用のメサ型のモールドの洗浄においてモールドの破損を抑制する。
【解決手段】ナノインプリントに使用したレジストの残渣が付着した状態のナノインプリントモールドに施される洗浄方法において、平板状の支持部１１と、該支持部の一面にありかつ該一面から所定の高さを有するメサ部１２を有するモールド１が凹凸パターン領域Ｒ１上にフッ素化合物を含有する離型層１４を備えた状態で、上記モールド１を洗浄液に浸漬して超音波洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎを有するビットパターンドメディアを製造でき、パターン欠陥の発生を抑制でき、製造を比較的短時間で行えるインプリントモールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ビットパターンドメディアにおいて磁性体領域の元となるドット状の凸部が基板の主表面に形成されており、前記ドット状の凸部が前記基板の主表面において所定の方向に一定周期で形成されているインプリントモールドにおいて、前記ドット状の凸部は、前記基板の主表面を削って形成された、複数の連続的な平面視ライン状の溝が交わってなる格子状の溝部に囲まれることによって形成され、前記一定周期において、前記ライン状の溝の幅は、前記ドット状の凸部の幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】熱分解後の酸化銅（Ｉ）の再酸化を抑制可能な熱反応型レジスト材料を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターンが得られるレジスト付き基体の製造方法、レジストパターン付き基体の製造方法、パターン付き基体の製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】基体上に化学増幅レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト塗布工程後、レジスト塗布基体に対してベークを行うパターン露光前ベーク工程と、を有し、前記パターン露光前ベーク工程後に形成されることになるパターン未露光のレジスト層に対して現像剤による減膜処理を行うとすると前記レジスト層の残膜率が９５％以上となる時間及び温度条件にて、前記パターン露光前ベーク工程を行う。 （もっと読む）

【課題】目標とする形状に変形させるのに有利な原版を提供する。
【解決手段】転写されるパターンを有する原版であって、この原版は、負の実効ポアソン比を有する。又は、この原版は、石英板の実効ポアソン比より小さい実効ポアソン比を有する。 （もっと読む）

【課題】中間スタンパを用いるインプリント法において、アライメント精度が向上した中間スタンパの製造方法並びに凹凸パターンの精確な形成方法を提供すること。
【解決手段】光硬化性転写シートを用いて中間スタンパを製造する方法であって、前記光硬化性転写シートの光硬化性転写層を、中間スタンパの基板となる硬質板の表面に、剥離シートのない表面が硬質板の表面と対向するように貼り付ける工程、前記硬質板から前記光硬化性転写シートの剥離シートを除去することにより、前記硬質板の表面に光硬化性転写層を形成する工程、金型の表面を、前記硬質板に形成された光硬化性転写層の表面に押圧し、前記表面が凹凸パターン表面に沿って密着した積層体を形成する工程、及び、次いで前記積層体の光硬化性転写層の紫外線照射及び金型の除去により中間スタンパを得る工程、を含むことを特徴とする中間スタンパの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多数のインプリント用型を容易に得ることができる型の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な転写パターンＭＡが形成されたマスター型Ｍ０を用い、微細な転写パターンＭＢが形成されている一次型Ｍ１を金属で生成する一次型生成工程Ｓ１と、基材３にスピンオンガラス５を設けてスピンオンガラス設置済基材７を生成するスピンオンガラス基材生成工程Ｓ３と、スピンオンガラス設置済基材を、一次型で押圧して、スピンオンガラス設置済基材に設けられているスピンオンガラスに、一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するスピンオンガラス転写工程Ｓ５と、微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラス設置済基材を用い、微細な転写パターンＭＣが形成されている二次型Ｍ２を生成する二次型生成工程Ｓ７とを有する。 （もっと読む）