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【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、60体積%以上99.7体積%以下のSiAlONを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、FeSi化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記の結合材は、Si34およびAl23をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、10%以上95%未満の結合材の粒子径の長径が5μm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】高い耐摩耗性および高い耐欠損性を有する、酸窒化アルミニウムを含む焼結体を提供する。
【解決手段】焼結体は、酸窒化アルミニウムを含む硬質部と、第6族元素〜第10族元素から選択される少なくとも1種の金属からなる結合部と、を含み、焼結体における前記硬質部の含有量が40体積%以上90体積%以下である、焼結体である。 (もっと読む)


【課題】高い硬度と高い靭性を有する焼結体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結体は、工具用の焼結体であって、酸窒化アルミニウムと、第5族元素〜第10族元素の遷移金属、該遷移金属の窒化物、炭化物、およびホウ化物から選択される少なくとも1種を含む結合材と、ウィスカーと、を含み、焼結体における酸窒化アルミニウムの含有量が20体積%以上80体積%以下である、焼結体である。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、60体積%以上99.7体積%以下のSiAlONを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、FeNiCo化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記結合材は、FeSi化合物、Si34、およびAl23をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、10%以上95%未満の結合材の粒子径の長径が5μm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、60体積%以上99.7体積%以下のSiAlONを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、TiAl化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記の結合材は、TiSi化合物、TiN、Si34、およびAl23をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、10%以上95%未満の結合材の粒子径の長径が5μm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】低コストで炭化ホウ素プリフォームにケイ素を含浸でき、ケイ素含浸中にクラックの発生を防止できる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素10の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素10の粒子表面に炭素成分20をコーティングしたプリフォームを作製する工程と、前記作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程と、を含む。これにより、プリフォーム中の炭化ホウ素10の粒子表面が炭素成分20でコーティングされ、金属ケイ素の含浸時に直接に炭化ホウ素10がケイ素に触れることを防止できる。また、表面にコーティングされた炭素成分20がケイ素と反応して炭化ケイ素30になるため、炭化ホウ素10の粒子表面が炭化ケイ素30に覆われ、炭化ホウ素10の粒子が保護される。 (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び/または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び/または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び/または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相10と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相20とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 (もっと読む)


【課題】高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を持ち、難焼結性を改善し、他の特性も同時に向上させる、WC基W−Mo−SiC系複合セラミックス及びその製造方法。
【解決手段】W1−xMoC(x=0.05〜0.25)固溶体及び5〜30mol%のSiCからなる相を備え、高ヤング率、高硬度の特性を有することを特徴とするWC基W−Mo−Si−C系複合セラミックス。WCの持つ特性すなわち、高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるWC基W−Mo−SiC系複合セラミックスを製造出来る。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】金属Siの窒化過程において、金属Siの噴出を抑制する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Siを窒化する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、金属Si、焼結助剤、および、加熱することによって気孔を形成する造孔剤を含む混合物の圧紛体を加熱して、上記圧紛体中の金属Si間に気孔を形成する造孔工程と、上記造孔工程にて得られた、気孔が形成された金属Siおよび焼結助剤を含む多孔体を、窒素雰囲気下にて焼成して反応焼結体を得る窒化工程と、窒化工程での反応焼結体を焼成した窒化温度を超える温度にて反応焼結体を焼成して緻密化し、最終焼結体を得る緻密化工程と、を含む (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性セラミックス焼結体は、ドーパントを含む半導体セラミックスの第一相10と、非導電性セラミックスの第二相20とを具備し、第二相が第一相に取り囲まれて散在している海島構造を有する。上記構成において、第一相は、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が高く、第二相を被覆しているD高濃度相11と、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が低いD低濃度相12とからなるものとすることができる。 (もっと読む)


【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維31からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜32を形成することで被膜付き繊維集合体3を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料2を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維4とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型,加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い熱電性を備えるMg−Si系のp型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】MgSiと、下記一般式(1):MgX・・・・(1)[式(1)中、Xはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。]で表わされる化合物(I)と、下記一般式(2):XMgSi・・・(2)[式(2)中、Xは式(1)中のXと同義である。]で表わされる化合物(II)とからなり、前記MgSiと前記化合物(I)と前記化合物(II)との合計量(合計量a)に対する前記MgSiの含有モル比(MgSi量/合計量a)が0.005〜0.2であり、前記化合物(I)の含有モル比(化合物(I)量/合計量a)が0.65〜0.99であり、前記化合物(II)の含有モル比(化合物(II)量/合計量a)が0.005〜0.15である焼結体を含有することを特徴とするp型熱電変換材料。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Y元素を0.14〜1.5質量%含有し、窒化アルミニウム(101面)のX線回折強度IAlNに対するAl(201面)のX線回折強度IAlの比(IAl/IAlN)が0.002〜0.06であり、且つY(222面)のX線回折強度IYの窒化アルミニウム(101面)のX線回折強度IAlNに対する比(IY/IAlN)が0.008〜0.06であり、熱伝導率が240W/m・K以上、三点曲げ強度が200MPa以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 (もっと読む)


【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶1と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相2とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔3を有し、開気孔3の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第1の柱状結晶1aよりも径の太い第2の柱状結晶1bが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔3の内面の粒界相2の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相2と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 (もっと読む)


【課題】溶解材料の含浸時に十分に炭化ホウ素とケイ素との反応を抑制し、クラックの発生を防止できる。
【解決手段】本発明の複合材料の製造方法は、炭化ホウ素の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように、炭化ホウ素含有材料を溶融金属ケイ素に混合し事前溶解させ、1420℃以上1500℃以下で事前溶解材料を、炭化ホウ素のプリフォームに含浸させる。このように、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように事前溶解材料を生成し、低温の1420℃以上1500℃以下でプリフォームへの含浸させるため含浸時に炭化ホウ素と金属ケイ素との反応が生じにくい。その結果、反応生成物によるクラックを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのBET比表面積比(=金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のBET比表面積/炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積)が20〜80で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が1〜10%であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積が1〜10m/gであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも1種からなること、が好ましい。 (もっと読む)


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