【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】フランジ付き金属物品を作製する方法を提供すること。
【解決手段】本発明はフランジ付き金属物品を作製する方法を提供する。その方法は、（ａ）第１のろう付け化合物を金属物品の第１の部分に付着するステップと、（ｂ）金属物品の第１の部分をある長さの拘束用金属部材で巻くステップと、（ｃ）金属物品、拘束用金属部材および第１のろう付け化合物の組立体を第１のろう付け化合物の固相線温度を超える温度、典型的には約３００℃から約２５００℃の範囲の温度まで加熱して、フランジ付き金属物品を製造するステップとを含み、その方法では金属物品が熱膨張係数ＣＴＥ１を有し、拘束用金属部材が熱膨張係数ＣＴＥ２を有し、ＣＴＥ１がＣＴＥ２よりも大きい。本発明はさらに、高膨張金属と低膨張脆弱材料の間の熱膨張の不一致を最小化する金属フランジを提供する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】タービンブレード作製用等の部品のセラミック部分と非セラミック部分とが強固に機械的に結合されている部品の、製造工程を提供する。
【解決手段】セラミック基材料から成り、セラミック材料以外の材料で形成される細部機構を有する部品３０の製造工程では、第１の補助部品４４と、少なくとも１つの軸外の幾何学的機構３４、３６を有することで第１の補助部品４４よりも複雑な形状を有する少なくとも１つの第２の補助部品４６と、を含む部品を製造する。第１の補助部品は、セラミック基材料で形成される。第２の補助部品とその軸外の幾何学的機構とは、金属材料で別途に形成され、強固な機械的結合を生じるように第１の補助部品に結合される。部品は、例えばガスタービンエアフォイル部品である。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を含むハイブリッドタービンエアフォイル部品であって、これらの部品の細部機構は、セラミック材料以外の材料で形成されるものの、部品のセラミック部分と非セラミック部分とが強固に機械的に結合されている部品を提供する。
【解決手段】この部品は、セラミック基材料で形成される第１の補助部品４４と、金属材料で形成される第２の補助部品４６とを含む。第１の補助部品は、エアフォイル部分３８とナブとを含み、第２の補助部品は、別途に形成され、第１の補助部品のナブの周りにおいて金属材料を鋳込むことにより第１の補助部品に結合される。第２の補助部品は、少なくとも１つの軸外の幾何学的機構を有するブレードチップシュラウド部分を含むことから、第１の補助部品よりも複雑な形状を有する。 （もっと読む）

【課題】十分な接合率および接合強度が得られ、スパッタリング中に熱の影響を受けても割れの発生を著しく低減できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材２０の内周面に、または円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材の内周面と円筒形支持基材１０の外周面の両方に、ニッケルまたは銅からなる第１の下地層３０を形成し、その第１の下地層の上に、スズからなる第２の下地層４０を形成し、次いで、そのターゲット材を円筒形支持基材の外側に配置し、両者を接合材で接合し、ターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】軟質のアルミニウムと他の材料とのろう付品の製造に際し、冷熱サイクルに対して接合界面の応力が緩和されて割れにくいろう付品を簡単な工程で製造する。
【解決手段】Ａｌ純度が９９．９質量％以上のアルミニウム基材（10）の少なくとも一つの面の表面に、コールドスプレーによって平均粒径２５μｍ以下のＳｉ粒子（11）を衝突させてＳｉ付着量が３〜１０ｇ／ｍ^２のＳｉ層（12）を形成し、さらに、物理蒸着によりＭｇ付着量が０．３ｇ／ｍ^２以上のＭｇ皮膜（13）を形成することによりろう付用材料（15）を作製し、前記ろう付用材料（15）と他の材料（16）とを組み付けて真空ろう付する。 （もっと読む）

【課題】強磁場中で望ましくない干渉を引き起こす可能性のある強磁性特性を全く有しない強磁場中で使用するための筐体用の金属被覆及び低コストで信頼性の高いＳＡＷフィルタチップを取り付けるのに適する密閉マイクロ空洞を提供する。
【解決手段】セラミック１０用の金属被覆３０は、金属を有する基底層１２と、パラジウムを含み、層厚さが０．１〜５μｍの間にある接着層１４と、非強磁性材質のはんだづけ可能層１６と酸化保護層２０とを含み、接着層１４の材質がはんだづけ可能層１６の材質と異なる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末ＰＩＴを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてＴａＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く結合強度が高いカーボンスチールとジルコニアセラミックとの接合方法及びこの方法で得た接合部品を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、カーボンスチール、ジルコニアセラミック及びチタン箔の接合されるべき界面を磨き上げてから洗浄して乾燥させる工程と、チタン箔がカーボンスチールとジルコニアセラミックとの間に挟まれるように、これらを石墨金型内に設置する工程と、石墨金型を放電プラズマ焼結装置の炉内に設置して、直流パルス電源を起動して、垂直圧力が１０〜５０ＭＰａで、加熱レートが５０〜６００℃／ｍｉｎで、焼結温度が８００〜１１００℃で、加熱時間が１０〜５０分間で、炉の真空度が６〜１０ＭＰａである条件下でカーボンスチール及びジルコニアセラミックにパルス電流を印加して、両者を焼結する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に複数の金属板回路板をした場合でも、セラミックス基板を分割することなくその反りを矯正する手段を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に、金属溶湯Ｍを接触させた後に冷却して固化させることによりセラミックス基板に複数の凸部が形成された金属板を接合した金属セラミックス接合体１を所定の曲率Ｒを有するポンチ２１とダイス２０で挟み込んで押圧し、その後、金属セラミックス接合体をエッチング処理して当該金属セラミックス接合体の各凸部に所定の回路パターンを形成すると共に凸部以外の箇所を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができるし、製造コストの低減を図ることができ、更に、放熱特性を向上させることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】打ち抜き加工により形成された導体パターン部材をセラミックス基板に確実に接合するとともに、ろう材がパターン面に付着するのを防止する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、金属板の打ち抜き加工により形成された導体パターン部材１２の裏面１２ａがろう付けされてなるパワーモジュール用基板１０であって、導体パターン部材１２の表面１２ｂと側面１２ｃとの稜線部に、側面１２ｃから表面１２ｂに沿う方向に突出するフランジ状突起１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐熱衝撃性などに優れた信頼性の高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方および他方の表面に金属回路板１４および金属板１６がそれぞれ接合されたセラミックス回路基板１０において、セラミックス回路基板１０が金属回路板１４側に凹状に反っているときのセラミックス回路基板１０の反り量を正（＋）の反り量とすると、セラミックス回路基板の初期の反り量が＋０．０７８〜＋０．２２５ｍｍ、セラミックス回路基板１０の３５０℃に加熱したときの反り量が＋０．０１５〜＋０．０４８ｍｍであり、その後に室温に戻したときの反り量が＋０．１７６〜＋０．４０５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）