【課題】 半導体ウエハなどの被保持体の絶縁破壊を抑制し、かつパーティクルの付着を特に抑制できる保持用治具および吸着装置を提供すること。
【解決手段】 半導電性を有するセラミックスからなる支持体１６に吸気路２を形成した保持用治具２０であって、吸気路２の表面４は支持体１６における他の表面６より表面抵抗値が小さい領域を有している保持用治具２０とする。また、この保持用治具２０を備え、この保持用治具２０の吸気路２の吸気により、支持体１６の外表面６に対して表面抵抗値が小さい被保持体を吸着可能とした吸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、回路面へのろう材の付着を防止しながら、セラミックス基板を破損せずに余剰のろう材の除去が可能であるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材４２を介在させて前記セラミックス基板４１と前記金属板４３，４４とを積層した積層体４０を、前記セラミックス基板４１よりも大面積であってこのセラミックス基板４１および前記金属板４３，４４全面を覆う２枚の加圧板４５間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程において、前記セラミックス基板４１の辺部に対して前記金属板４３，４４の角部４３ｂ，４４ｂの先端部がほぼ一致するように、これらセラミックス基板４１および金属板４３，４４が配置される。 （もっと読む）

【課題】絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、同時に確保する。
【解決手段】
セラミック体と金属体との接合体であって、セラミック体の表面に設けられた、Ｐｔを主成分としＴｉを含有するメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられた、Ａｕを主成分として含む金属ロウと、を備え、前記メタライズ層と前記金属ロウとを介して、前記セラミック体と前記金属体とが接合されていることを特徴とする、セラミック体と金属との接合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】使用率を向上させ、Ｉｎ等の半田材の注入を容易にし、半田等の割れやクラック、剥離を著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯ等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲットの、少なくとも一方の端部に、内周に向かってテーパ状及び／又は段状の形状を形状とし、円筒形ターゲットと円筒形基材との間隙にＩｎ等の接合材（半田材）を容易にかつ円滑に注入して接合し、スパッタリングターゲットと成した後、使用効率が高く、割れやクラック、剥離のないことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 セラミックハニカムフィルタとしての耐熱性と、目封止部と隔壁との強度を確保しつつ、低い焼成コストで得ることができるセラミックハニカムフィルタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 隔壁により区画された流路を有するセラミックハニカム構造体の所定の流路に目封止部が形成されたセラミックハニカムフィルタであって、前記セラミックハニカム構造体が少なくともチタン酸アルミニウムの主結晶相と、MgOとSiO₂とを含むガラス相とからなり、前記目封止部がコーディエライトを主結晶相とし、前記セラミックハニカム構造体の隔壁と前記目封止部との境界部に融合部と非融合部が存在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
セラミックス基材の中に高融点金属電極層を内蔵した従来のセラミックサセプターでは、内蔵電極層とＮｉ電極棒の接合部で破断、折損等が起こり易い。折損、剥離、破断すると修復不能で、高価なサセプターでも廃棄されるのが常である。本発明は耐酸化性、機密性に優れ、破断、折損し難い新しい構造のセラミックスサセプター（通電部材）を提供する。
【解決方法】
セラミックス基材の中に、該基材と共に同時焼成された高融点金属からなる通電体を内蔵し、該通電体の電極端子との接合部露出面が該セラミックス部材の空所の中に位置してなると共に、該空所に電極端子が埋め込まれて該端子と該通電体露出面および該端子と該セラミックス基材の隙間をＳｉ基合金の層で埋めてなる構造の通電体を内蔵するセラミック部材において、該Ｓｉ合金の層が、該層と接する該通電体露出面および該セラミックス基材面に融着してなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、プラズマ処理チャンバ内の装置として有用な部品構造に関する。部品構造の一部は、オキシフッ化物含有グレーズ、ガラスセラミックス、及びそれらの組み合わせを用いて共に接合される。接合材料は、ハロゲン含有プラズマに耐性を備えており、望ましい機械的特性を示す。
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【課題】多層セラミック基板の製造方法が開示される。
【解決手段】本多層セラミック基板の製造方法は、結晶化ガラス成分を含有する複数のセラミックグリーンシートが積層されて成り第１及び第２面を有するセラミック積層体と、セラミック積層体の第１及び第２面のうち他のセラミック積層体と接する面として提供される面に形成され、非結晶化ガラス成分を含有する第１接合用セラミックグリーンシートを含む複数のセラミックブロックを備える段階、複数のセラミックブロックを焼成する段階、隣接した複数のセラミックブロックの第１接合用セラミックグリーンシート同士が向い合うよう複数のセラミックブロックを積層する段階、及び第１接合用セラミックグリーンシートの非結晶化ガラス成分を利用して複数のセラミックブロックを接合させる段階を含む。 （もっと読む）

【課題】被接合物を汚染せずに低温の熱処理で被接合物同士を容易に接合でき、半導体プロセスにも良好な適合性を有する接合方法を提供する。
【解決手段】水との相溶性を持たない有機溶媒でポリシラザンを希釈して低粘度化させ（ステップＳ１０）、ポリシラザン希釈液を適宜手法で被接合物の接合面に塗布する（ステップＳ１２）。ポリシラザン希釈液の塗付は、真空で行うのが好ましい。次に、前記被接合物をシリカ転化し難い温度で乾燥し、塗布したポリシラザン希釈液から有機溶媒のみを除去する（ステップＳ１４）。そして、被接合物の接合面に残ったポリシラザンを挟むように、もう一方の被接合物を重ねる（ステップＳ１６）。次に、水蒸気か酸素の存在する環境で加熱してポリシラザンをシリカ転化させると、ＳｉＯ_２を接合層として、被接合物同士が接合される（テップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、近年の過酷な切削条件化に耐え得る強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、８０〜９８体積％の立方晶窒化硼素と結合相とを含有する立方晶窒化硼素焼結体が、０．１〜１０重量％のＴｉと１５〜５０重量％のＣｕとを含有し、かつ残部がＡｇと不可避不純物とからなる接合層を介して工具母材上に直接接合され、該接合層に接する該立方晶窒化硼素焼結体の接合面における該結合相は該立方晶窒化硼素中に不連続状態で存在し、その不連続状態で存在する各々の結合相において、その面積が０．０１〜２μｍ²となる結合相が結合相の全面積の８０％以上を占めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、同時に確保する。
【解決手段】
セラミック体と金属体との接合体であって、セラミック体の表面に設けられた、Ｐｔを主成分としＴｉを含有するメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられた、Ａｕを主成分として含む金属ロウと、を備え、前記メタライズ層と前記金属ロウとを介して、前記セラミック体と前記金属体とが接合されていることを特徴とする、セラミックスと金属との接合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能（部分放電特性含む）を改善した窒化珪素回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さＲａが、Ｒａ＜１μｍ、最大高さＲｙが、Ｒｙ＜１０μｍ、粗さ曲線から求めたスキューネスＲｓｋが、１＞Ｒｓｋ＞０であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が３％以下である窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素系材料製の物品又は構成部材をろう付することによる組立プロセスを提供する。
【解決手段】適度に耐火性の非反応性ろう付によって炭化ケイ素系材料製の少なくとも２つの物品１，２を組立てるプロセスであって、このプロセスでは、前記物品を非反応性のろう付組成物６と接触させ、前記物品及び前記ろう付組成物によって形成された組立品を、耐火性の接合部５を形成するために前記ろう付組成物６を溶融するのに十分なろう付温度まで加熱し、前記非反応性のろう付組成物６が、５６質量％〜７０重量％のケイ素及び４４質量％〜３０質量％のイットリウムから形成される二元合金である、プロセス。 （もっと読む）

【課題】加熱雰囲気内に配置されたガス体受容部材上にガス体供給用セラミック管を確実に接続する接続方法及びこれを用いた装置の提供。
【解決手段】セラミック管（６０）を略鉛直にしてその下方端部をガス体受容部材（５０）上面に対向させて仮配置するステップと、セラミック管（６０）の周囲に沿ってガス体受容部材（５０）上にガラス体（４６）を配置するステップと、ガラス体（４６）上にセラミック管（６０）の下方端部を載置しながらセラミック管（６０）の上方端部近傍を水平面内で移動しながら位置決めして固定するステップと、加熱雰囲気内にガス体受容部材（５０）を配置してガラス体（４６）を溶解させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の異なる材質からなる二種の部材を、簡易な方法によってろう付接合して熱伝達効率の高い接合体を形成する方法およびその接合体を用いた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第１の部材１と、前記第１の部材１と熱膨張係数が異なる第２の部材２との間に、ヤング率が１５０ＧＰａ以下でありかつ融点が１５００Ｋ以下である第３の部材３を、金属ろう材５を介して配設してろう付接合することを特徴とする異材接合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏両面に金属板６，７がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板６に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板３であって、両金属板６，７のうちの少なくとも表面側の金属板６の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、Ｗ等の高融点金属ペーストまたはＣｕやＡｇ−Ｃｕ等にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。
【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび／または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体１とする。 （もっと読む）

高輝度放電ランプは、化学フィルを有するアーク管、該アーク管から延長したキャピラリー、前記キャピラリーを通って前記アーク管に供給された電極、及び前記キャピラリーをシールするフリットシールを含み、このフリットシールは、シリカ（ＳｉＯ₂）０重量％超〜５重量％未満とアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）とジスプロシア（Ｄｙ₂Ｏ₃）及び酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）の内の一方とを含む。このフリットシール材料は、従来のフリットシール材料でシールされたものと比較して、高い作用温度に耐えることができるので、キャピラリーの長さをより短くすることができる。
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【課題】過酷な熱サイクル環境の下でも割れ等の発生のないパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の上に回路層用金属板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用金属板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

複数のジルコン構成部材を接合することによって、大きなジルコン・ブロックを作製する方法、およびこの方法に用いるための接合材が開示されている。本発明は、より大型の静水圧プレス装置を必要とせずに大型のジルコン・ブロックを製造することができる。本発明は、例えば液晶ディスプレイ装置の製造に用いるためのガラスシートの作製におけるフュージョン・ダウンドロー法に用いるための大型のアイソパイプの作製に特に有用である。
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