【課題】低エネルギーで製造可能であるとともに、反り、ろう付け不良の発生を最小限に抑えることが可能なヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びこれを備えたパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、セラミックス基板の表面及び裏面にそれぞれ接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２及び第二の金属板１３と、第二の金属板に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンク４とを備え、第一の金属板及び第二の金属板のそれぞれとセラミックス基板とがＳｉを含有するろう材を用いて接合されるとともに、接合界面にＣｕが添加されており、各金属板にはＳｉ及びＣｕが固溶しており、それぞれの前記接合界面から５０μｍの範囲におけるＳｉ濃度が０．０５〜１ｗｔ％，Ｃｕ濃度が０．０５〜４ｗｔ％の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

セラミックの表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、前記セラミックの金属被覆される表面をアルミニウム又はアルミニウム合金溶融液に含漬する工程と、前記表面を前記溶融液に対して移動させ、又は前記溶融液の中で静止させて、前記アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融液を前記セラミックの金属被覆表面に付着させる工程と、前記セラミックの金属被覆表面を前記溶融液から移動させながら取り出し、前記表面に付着したアルミニウム又はアルミニウム合金液膜を自然冷却させて、前記表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜が接合されたセラミックを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。本発明のセラミックの表面にアルミ薄膜及びアルミ合金薄膜を接合する方法によって、セラミックの表面に厚さ数μｍ〜数十μｍのアルミ又はアルミ合金膜を形成できる。この薄膜は、その内部に酸化膜不純物及び気泡などの微視的欠陥は存在しないため、純アルミの良好な物理と力学性能を持つ。この表面金属被覆層を用いて、セラミック同士及びセラミックとアルミとのろう接が可能となる。セラミックと金属を接合する方法及び装置もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】低温度で製造できると共に、窒化アルミニウムを高密度とすることができ、しかも、半導体モジュール等の発熱体と熱交換器との間に介在されたときに発熱体と熱交換器との間で電気的絶縁性を確保しながらも発熱体から熱交換器への熱抵抗の増大を抑える。
【解決手段】溶融アルミニウム４を窒素ガス雰囲気中でマグネシウム５を助剤として９００から１３００℃までの範囲に昇温して窒化アルミニウム６を溶融アルミニウム４上に直接形成し、アルミニウム４と窒化アルミニウム６とを接合し、Ａｌ−ＡｌＮ複合材料８を製造する。窒化アルミニウム粉末を１９００℃以上の高温度で焼結する工程を行う必要がない分、１９００℃以上の高温度に対して９００から１３００℃までの範囲の低温度で製造できると共に、窒化アルミニウム６を高密度とすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】接合ボイドの発生が少なく且つ耐ヒートサイクル性に優れた金属−セラミックス接合基板およびその金属−セラミックス接合基板に使用するろう材を提供する。
【解決手段】５〜３０質量％のＣｕと、０．５〜３．０質量％の活性金属と、０．０５〜０．３５質量％のＢｉ系ガラス（好ましくは６５質量％以上のＢｉ_２Ｏ_３を含むガラス）と、残部としてＡｇを含む粉体をビヒクルに添加して混練することによって作製したペースト状ろう材をセラミックス基板に塗布した後、ろう材の上に金属板を配置して加熱することによって、ろう材を介して金属板をセラミックス基板に接合して金属−セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】銅板表面にムラが発生することを防止できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板１０上にろう材１２を形成する工程と、前記ろう材の上に、無酸素銅板表面のＸ線回折積分強度比Ｉ（２２０）／Ｉ（２００）が０．５以下である前記無酸素銅板１４を配置する工程と、前記無酸素銅板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板１０に前記無酸素銅板１４を接合する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高温で動作する半導体チップの使用温度に耐える耐熱性を有するとともに接合温度を低くできるろう材の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るろう材の接合方法は、回路板１１と半導体チップ１３との間にＡｇ−Ａｌのろう材１２を配置し、前記ろう材１２を２００℃〜５００℃の温度に加熱することにより、回路板１１と半導体チップ１３を接合するろう材の接合方法であって、前記ろう材１２の金属成分は、Ａｌ粉末が５〜６５ｍａｓｓ％含有され、残部に平均粒子径が５０ｎｍ以下のＡｇ粉末が含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びＣＭＣ物品を接合する方法を提供する。
【解決手段】反応性金属を含有するろう材２０を物品１２間に設け、その後ろう材２０と物品１２を加熱して物品１２内のケイ素と反応性金属とを反応させて、反応性金属のケイ化物相を含有するろう付け部を形成することを伴う。次いで、ろう付け部と物品１２を冷却して、２つの物品１２及びケイ化物相を含有するろう付け部を含む部品を生成させる。本方法は、物品１２の構成成分を熱的に劣化させる温度より低い温度で実施するのが好ましく、ケイ素の融点より低いとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ろう材の形成工程のコストを低減できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板１上にコールドスプレー法によりろう材２を形成する工程と、前記ろう材の上に金属板３を配置する工程と、前記金属板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陶器にガラスを溶着しようとするとガラスが溶けて液状になり、固形のままで溶着する事が不可能であった。この様な不都合を解決すること。
【解決手段】最初に陶器全体に高温用釉薬を塗り高温で焼く。次に高温で焼成済みの陶器に低温用釉薬を陶器のガラスを溶着したい部分に塗り、その低温用釉薬が塗られた部分にガラスを置く。そして再度、ガラスは溶けないが低温用釉薬は溶ける低温で再度焼くことによりこの課題を解決する。 （もっと読む）

多層構造の平板状のセラミック材料と、セラミック材料の少なくとも１つの表面上に具備された金属被覆を備えた金属セラミック基板であって、その金属被覆がセラミック材料とダイレクトボンディング（ＤＣＢ法）または活性はんだによって接合され、そのセラミック材料が少なくとも１つの内側層または窒化シリコンセラミックベース層から成り、およびその際少なくとも１つの金属被覆を備えたセラミック材料表面が少なくとも１つのベース層上に施された酸化セラミック中間層を形成する金属セラミック基板。 （もっと読む）

本発明は、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）において、Ｓｉ、Ｂ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｇｅからなる群より選択される融点を下げる少なくとも１つの成分を含む、少なくとも５０質量％のＮｉ含有量を有するＮｉをベースとするろうからなる少なくとも１つの第１の層（３ａ）と、合計で１〜１５質量％のＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖからなる群より選択される活性な元素の含有量を有する活性ろう材料からなる少なくとも１つの第２の層（４ａ）とを備える、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）に関する。さらに本発明は、このような複ろう部材を製造する方法及びこのような複ろう部材の使用に関する。
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【課題】接合強度及び気密性が高く、空洞部を有する場合でも空洞部の形状精度に優れたＳｉＣ接合体を提供する。
【解決手段】接合層にＳｉとＳｉＣを含むＳｉＣ接合体であって、前記接合層のＳｉＣの含有割合であるＳｉＣ／（Ｓｉ＋ＳｉＣ）が前記接合層の中央部と外周部において、中央部＞外周部の関係を有することを特徴とするＳｉＣ接合体。前記接合層のＳｉＣの含有割合が前記中央部で０．１〜０．５、前記外周部で０〜０．１である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大型の加圧装置を用いることなく容易に接合でき、実用に耐える接合強度が得られるＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金をマトリックスとし、強化材にセラミックスを用いたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士を接合するための接合材であって、芯を構成する芯材と、表層を構成する表層材と、前記芯材と前記表層材との間に形成された中間層と、を含むことを特徴とするＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材。前記芯材の主成分がＺｎであり、前記表層材の主成分がＡｌである。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物型燃料電池のシール材料である大気接合用ろう材及び接合体に関し、特に６００〜８００℃で動作する固体酸化物型燃料電池の構成部品間の燃料ガス及び酸化剤ガスの気密性を保つための大気接合用ろう材、及び該接合用ろう材を含むシール構造を備えた接合体に関する大気中で、金属同士、セラミックス同士、及び金属とセラミックスを簡単にフラックス無しで接合できる大気接合用ろう材を提供する。
【解決手段】主成分であるＡｇと、Ｇｅ，Ｃｒ又はこれらの酸化物と、残部としての不可避不純物からなり、さらに大気中の接合過程でＧｅとＣｒを主とする複合酸化物になることを特徴とする大気接合用ろう材。 （もっと読む）

【課題】高信頼性のセラミックス／金属の接合技術を提供する。
【解決手段】接合部材は、金属製の第１の円筒部１９と、第１の円筒部１９と同軸に軸端面同士で接合され、第１の円筒部１９を形成する金属よりも熱膨張率が小さいセラミックスで形成された第２の円筒部１１と、を有する。第１の円筒部１９と第２の円筒部１１とが互いに接合される各軸端面は、第１の円筒部１９が第２の円筒部１１の外側になるようにテーパ角度θ＝５３〜７０度の傾斜をもったテーパ面である。両円筒部の内径および外径はそれぞれ等しい。両円筒部の接合は、ガラス封着、ロウ付け、接着剤接合のいずれかによる。第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法における結晶成長では、種結晶から黒鉛軸方向への放熱作用により成長が進む。接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分(空気の層が入る部分)がある場合、軸方向への放熱性が悪くなり部分的に成長速度が落ちる。その結果、単結晶成長時に面内で平坦な成長が出来ない問題を引き起こす。また、接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分は、種結晶の脱落の原因となり得る。従って、接着層で均一且つ安定な接着を実現することが、課題となっている。
【解決手段】ＳｉＣの溶液にＳｉＣ種結晶を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させるために用いるＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびＳｉＣ粒子を含む接着剤を用いてＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするＳｉＣ種結晶の接着方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半田またはろう材等を用いて、接合層の厚さが略均一になるように二つの部材を接合する方法および接合層の厚さが略均一な半田またはろう材等の接合材を用いた接合体を提供する。
【解決手段】本発明によって、第１の部材上１０に、第１接合材、複数のセルを有するセル構造体および第２接合材を順に積層し、前記第２接合材上に第２の部材２０を配設して、加圧下において接合することを特徴とする第１の部材１０と第２の部材２０との接合方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】多孔質体どうしを接合した積層構造体において、多孔質体の材質によらず接合性に優れるものを提供すること。
【解決手段】第１の多孔質体１１と、前記第１の多孔質体１１に積層された第２の多孔質体１２と、前記第１の多孔質体１１と前記第２の多孔質体１２との間に介在して両多孔質体間を接合する接合材１３とを有する積層構造体１であって、前記第１の多孔質体１１と前記第２の多孔質体１２との間には、両多孔質体間を連通させる連通部１４が形成され、かつ前記接合材１３の少なくとも表面部が金属材料からなるもの。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハなどの被保持体の絶縁破壊を抑制し、かつパーティクルの付着を特に抑制できる保持用治具および吸着装置を提供すること。
【解決手段】 半導電性を有するセラミックスからなる支持体１６に吸気路２を形成した保持用治具２０であって、吸気路２の表面４は支持体１６における他の表面６より表面抵抗値が小さい領域を有している保持用治具２０とする。また、この保持用治具２０を備え、この保持用治具２０の吸気路２の吸気により、支持体１６の外表面６に対して表面抵抗値が小さい被保持体を吸着可能とした吸着装置とする。 （もっと読む）