【課題】気孔径が大きく、気孔率が高い多孔体を用いた場合であっても、多孔体の機能を確保しつつ十分な接合強度を有する接合体を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ多孔体と金属シリコンの接合層とを含む接合体であって、ＳｉＣ多孔体に浸透した金属シリコンの浸透層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする接合体。前記浸透層のＳｉＣ充填率が５０％以上であり、前記ＳｉＣ多孔体の気孔率が５０％以上であり、前記接合層の厚みが１００μｍ以下である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種類のセラミック材料と少なくとも１種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品を、少なくとも１つの他の部品に接合する方法において、該セラミック複合材料部品の１つ以上の接合表面を処理する工程、及び該処理された１つ以上の表面又は該表面の一部の上に、該セラミック複合材料部品に対してだけでなく少なくとも１つの他の部品に対しても、十分な熱を加えることによって、結合させることのできる材料を配置する工程と、を含む、上記方法に関する。本発明は、セラミック材料と少なくとも１種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品であって、少なくとも１つの他の部品に結合されたセラミック複合材料部品を有する物品において、該セラミック複合材料部品と該他の部品との間の境界面に含まれる、付着層、ろう付け可能な層、及び耐酸化性（ろう付け適合性）層から選ばれた少なくとも１つの層、又はそれらの組合せを有する、上記物品に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】耐熱接合材料としての利用および焼結体の製造に、マイクロ波集積スイッチング回路の基板材料として、および排ガス触媒反応装置用途に適した熱衝撃耐性を有する低い熱膨張率の無鉛ガラス複合材料を提供する。
【解決手段】１．８×１０^-6Ｋ^-1〜２．４×１０^-6Ｋ^-1の線熱膨張率α_(20-300)および６５０℃未満のガラス転移温度Ｔｇを有し、酸化物に基づく重量％で、５〜９重量％のＢ₂Ｏ₃、１〜３重量％のＮａ₂Ｏ、１５〜２２重量％のＡｌ₂Ｏ₃、６１〜６８重量％のＳｉＯ₂、０．２〜０．５重量％のＫ₂Ｏ、５．５〜８．５重量％のＭｇＯを含むガラス複合材料である。 （もっと読む）

【課題】接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が過剰に侵入することを防ぐと共に、十分な接合強度を得る。
【解決手段】ＳｉＣで構成される多孔体と、接合材とを接合させる接合方法であって、前記多孔体を、大気中において第１の温度で熱処理し、前記多孔体内の残留カーボンを除去する工程と、前記第１の温度で熱処理がされた多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体と前記接合材とを接合させる工程と、を少なくとも含む。これにより、ＳｉＣ多孔体と接合材（例えば、金属シリコン）との濡れ性が悪化して、ＳｉＣ多孔体内部への接合材の過剰な侵入を防ぐことができる。 （もっと読む）

【解決手段】ケイ素（Si）、炭化ケイ素（SiC）、およびホウ素（B）からなる（Ａ）成分、６ホウ化ケイ素（SiB_６）及び／または４ホウ化ケイ素（SiB_４）からなる（Ｂ）成分、及びフェノール樹脂からなる（Ｃ）成分を含有する炭化ケイ素セラミックス用の接着剤組成物、及びこれを用いた接着方法。
【効果】本発明に係わる接着剤組成物および接着方法は、炭化ケイ素セラミックス部材を含む被接着部材を容易にかつ強固に接着することができ、また接合剤が被接着部材間から漏出することを防止できるので、接合体の外観を損なうことなく、また接合時における歩留まりを高く維持し、かつ強固に接着させることができる。半導体製造プロセスに使用される炭化ケイ素セラミックス成形体、エンジン部品、ケミカルプラント部品、あるいはエレクトロニクスプラント用品等の製造あるいは修理に好適に利用することができる。 （もっと読む）

板状のメタライズされたセラミックボディを有するコンポーネントの場合、殊に該セラミックボディの両面がメタライズされていると、運転中に発生する熱の放散が困難である。本発明により、少なくとも１つの領域中でその表面（３，４）がメタライズ部（５，６）により覆われているセラミックボディ（２）を有するコンポーネント（１）が提案され、かつ、その際、該セラミックボディ（２）は立体的に構造化されている（７）。
（もっと読む）

少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。
（もっと読む）

セラミック材料はその使用条件に基づいて電位を分離するために金属と物質結合、たとえば接着またははんだ付けにより接合させなくてはならない場合に、熱負荷時に金属とセラミックとの熱膨張係数の違いに基づいて応力が生じる。金属は通常、セラミックよりも膨張率が高いため、セラミックは亀裂を生じるか、あるいははく離することさえある。セラミック層中の亀裂またははく離によって電位平衡に基づいてセラミック中の欠陥を介して短絡が生じる。従って本発明により、高い熱膨張係数を有するセラミックのベース材料に、実質的に該材料よりも低い熱膨張係数を有する少なくとも１の別のセラミック材料の割合を、該組成物から生じる材料の熱膨張係数が、該材料と物質結合により接合される金属材料の熱膨張係数と一致するような量で添加することを提案する。 （もっと読む）

【課題】セラミックスやチタン、アルミニウム、クロムのような表面に強固な酸化膜を有する金属材料においても、フィレットが裾野状に形成され、信頼性が高く強固な接合部が得られるろう付けを連続して行なうことを可能にしたろう付け方法を提供すること。
【解決手段】被ろう付け部材の接合部に金属水素化物粉末を添加したろう材を配置し、炉内を炭素質で構成するとともに、炉内を不活性ガス雰囲気とした連続式加熱炉内に前記被ろう付け部材を搬送し、前記金属水素化物を熱分解させるとともに、ろう材を加熱溶融させて前記被ろう付け部材を接合する。ろう付け後の被ろう付け部材のフィレットは、裾野状に形成される。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス部材が金属−セラミックス複合部材の凹部に隙間のない状態で嵌合されており、かつ、セラミックス部材にはクラックがない嵌合体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス強化材からなるプリフォームに凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部にセラミックス部材を嵌め込む嵌め込み工程と、前記ブリフォームと前記セラミックス部材との隙間にセラミックス強化材粉末を充填する工程と、前記プリフォームの細孔および前記充填したセラミックス強化材粉末の間隙に溶融金属を加圧下で浸透させる浸透工程と、を含むことを特徴とする嵌合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合可能な部材の形状や材質に制約がなく、また濡れ性を向上させるための表面処理の必要がなく、さらには再利用が可能な、高強度、且つ、抵抗発熱しないコンポジット接合材を提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｉｎ合金，及びＳｎ合金のうちのいずれかの金属材料からなるメタル相２内にＩＴＯ（In₂O₃-SnO₂）粉末３を均一に分散させることにより接合材１を形成する。 （もっと読む）

【課題】沿面放電を容易に防止できる絶縁体及び絶縁接合体を提供すること。
【解決手段】絶縁体１は、基体として、絶縁性を有するアルミナ製の円筒状のセラミック部材（アルミナ焼結体）３を備えており、そのアルミナ焼結体３の軸方向の両端に、メタライズ層５と導電層７とが順次積層されたものである。前記メタライズ層５の径方向（軸方向と垂直の方向）における内側及び外側の外縁部１５、１７は、それぞれ全周にわたって、導電層７から幅０．２ｍｍ以上（例えば０．３ｍｍ程度）露出するように形成されている。また、メタライズ層５の抵抗率は、導電層７の抵抗率よりも１．４倍以上大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】
回路基板のベース板として好適な半田濡れ性を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム合金-炭化珪素質複合体の表面にニッケルめっきを施し、さらにその上に、炭素数が１０〜２０の高級脂肪酸をコーティングしてなることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であり、高級脂肪酸のコーティング量が、０．０１〜３．０ｇ／ｍ²であることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体である。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材とライザメタルとを用いて構成したカーボンコンミテ−タにおいて、信頼性の高いカーボンコンミテ−タを提供できるようにする。
【解決手段】コンミテータ６を、カーボン基材で構成されるセグメント１２に導電性材料で構成されるライザメタル１３を一体化して構成したものにおいて、前記ライザメタル１３を、セグメント１２に接合するセグメント接合部１３ａと、コイル５ｃがフュージングされるフュージング部Ｆとを備えて構成するにあたり、カーボン接合部１３ａとフュージング部Ｆとのあいだに凹溝部１３ｄを形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムセラミックス接合基板に搭載される半導体素子やチップ部品の半田付けに際し、半導体素子やチップ部品が所定の場所から位置ズレするのを防止できる金属セラミックス接合回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板にアルミニウム回路板を形成した後、該アルミニウム回路板の表面に半田付け可能なめっき層を形成し、該めっき層にレーザーを照射し、半田の濡れない部分を形成することを特徴とする。また、金属セラミックス接合回路基板は、セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合されたアルミニウム回路板と、該アルミニウム回路板の表面に施されためっき層とより成り、該めっき層の一部がレーザ照射により形成された半田の濡れない部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマによりウェハに成膜またはエッチングを施す際に、セラミック部材と合金部材とを接合するロウ材層がプラズマに晒されて侵食され、最悪の場合、ロウ材層が剥がれるといったダメージを受けることがあった。
【解決手段】 セラミック部材１２と合金部材１６とを互いに対向する主面にそれぞれ形成した第１金属層１３と第２金属層１５との間でロウ材層１４を介して接合してなり、第１金属層１３と第２金属層１５との間におけるロウ材層１４の端面は、厚み方向の中央部の少なくともロウ材層１４の厚みの３分の１の領域が内側に窪んでいるセラミック部材１２と合金部材１６との接合体１である。この接合体１のロウ材層１４の端面におけるプラズマ密度を低下させることができることから、ロウ材層１４の腐食を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フィレットの幅を自由に変更することができ、繰り返しヒートサイクルに対してより高い信頼性の金属−セラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】活性金属含有ろう材１２を介して接合されたセラミックス基板１０と金属板１６とからなる金属−セラミックス接合体の製造方法において、セラミックス基板上の所定の領域に活性金属含有ろう材を塗布し、セラミックス基板上の活性金属含有ろう材を取り囲む領域に、セラミックス基板と反応しない非活性ペースト材１４を塗布した後に、活性金属含有ろう材よび非活性ペースト材の上に金属板を配置して、セラミックス基板と金属板とを接合し、その後、金属板上における活性金属含有ろう材に対応する領域にレジスト１８を塗布して、金属板の不要部分を除去することにより、セラミックス基板上に金属回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子３と、銀箔４または銀よりも縦弾性係数の小さい金属箔４とを、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子と、平均粒子径２０μｍ以上の銀粒子または銀よりも縦弾性係数の小さい金属粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀粒子または金属粒子を該混合粉末全体の１０〜４０％の範囲の体積分率で含むろう材３を、両部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。金属箔４、前記金属粒子は、表面に銀被覆層を備える。一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平板状の炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなり、両主面に平均厚みが１０〜１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体を、（１）応力を掛けながら、温度４００〜５００℃で３０秒間以上加熱処理することにより、クリープ変形させて所定の反り量を付与し、（２）凹型方向の反り付けを行った面を、平面研削加工してアルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させ、（３）温度５００〜５６０℃で１分間以上加熱処理することにより、反り付け時のクリープ変形を除去して、アルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させた面に凸型の反りを形成させることを特徴とするアルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ニッケルボロンを成分とする耐食性に優れるメッキ層によってろう材部が有効に保護され、ろう付強度の低下が抑制されたセラミック接合体を製造すること。
【解決手段】セラミック接合体１００の製造方法であって、セラミック基体１０５に設けられた金属パッド１２１上にろう材と接続端子１３０とを接触させ、該ろう材を溶融させることにより、ろう材部１２４を形成して前記金属パッド１２１と前記接続端子１３０を接合する工程と、少なくとも前記ろう材部１２４の表面を覆うようにニッケルボロンを成分とするメッキ層１２５を６μｍ以上の厚さに形成する工程と、前記メッキ層１２５が形成されたセラミック基体１０５を９００℃以上で熱処理する工程とを具備するもの。 （もっと読む）