【課題】 接合ボイドの発生を抑制することができ且つ位置精度および信頼性が高い多層構造の金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の金属板（１０、１４、１８、２４）がセラミックス基板（１２、１６、２０）を介して接合された多層構造の金属−セラミックス接合基板の製造方法において、鋳型内に複数のセラミックス基板（１２、１６、２０）を互いに離間して配置させ、この鋳型内の各々のセラミックス基板（１２、１６、２０）に接触するように金属溶湯を注湯した後に金属溶湯を冷却して固化させることにより、各々のセラミックス基板（１２、１６、２０）上に金属板（１０、１４、１８、２４）を形成して直接接合する。 （もっと読む）

本発明は、高品質の力学抵抗を有し、異なる物理的性質を有する材料間の熱伝導能力を有する接合を、詳しくは、異なる熱伝導率が接合工程中並びにその産業上の適用中に界面の中に著しい応力を必然的に伴う、セラミック／金属接合又はセラミック／金属複合物を得るために有用な方法に言及する。この提案された方法によって解決された問題は、結合しようとする表面を濡らすことの金属の困難性、及びセラミック又はセラミック合成物の引張り応力に対する総体的に低い力学抵抗である。第１の問題は、表面レベルでセラミックと組み合わせることによって金属で表面を濡らすことができるようにするチタンベースの合金の適用によって解決される。第２の問題は、セラミック又は合成物を機械加工し、長ピッチ多条ねじ山を通じてこの比表面積を増加することによって解決される。
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【課題】高温ヒートサイクルに対する信頼性の高いアルミニウム−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】３点曲げの抗折強度が５００〜６００ＭＰａのセラミックス基板に、ビッカース硬度３５〜４５のアルミニウム合金からなるアルミニウム部材を接合する。セラミックス基板として、高強度窒化アルミニウム、窒化珪素、ジルコニア添加アルミナまたは高純度アルミナからなるセラミックス基板を使用し、アルミニウム合金として、ケイ素およびホウ素を含むアルミニウム合金、または銅を含むアルミニウム合金を使用する。 （もっと読む）

【課題】 接合強度の強い、接合界面近傍にＧｅ濃化領域を有す接合部を介して接合された、シリコン系セラミックスを有する複合材を提供する。
【解決手段】 シリコン系セラミックス部材と接合相手部材が、アルミニウムを主成分としゲルマニウムを０．１重量％〜５０重量％含む接合部で接合された複合材であって、前記接合部は、前記シリコン系セラミックス部材との接合界面近傍に、第１のゲルマニウム濃化領域が形成されていることを特徴とする複合材を提供する。 （もっと読む）

本発明は２つの部品（１０、２０）を互いにロウ付けする方法に関し、この方法は、前記互いに接合する部品の２つの表面（Ｓ１０、Ｓ２０）の間にパッド（３０）を介挿し、前記パッドは、耐火繊維生地により形成され、かつ少なくとも一部がロウ付け組成物（４０）と接触しており、前記ロウ付け組成物（４０）を液化させるために熱処理を行って、その溶融したロウ付け組成物を、毛管作用により、前記パッド（３０）により覆われた前記２つの部品（１０、２０）の間の全ロウ付け領域にわたって分配させるようにすることを特徴とする。
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【課題】反応焼結法による炭化ケイ素部品ユニットの接合において、ずれなどを生じず均一な信頼性のある接合部を得ることができ、炭化ケイ素接合構造体の大型化、複雑形状化を図ることができる炭化ケイ素系接合構造体、炭化ケイ素系接合構造体の製造方法および炭化ケイ素系接合構造体の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の炭化ケイ素系形成体１０の凹形接合面１１に、他方の炭化ケイ素系形成体１０の凸形接合面１２を、接着剤を介して接着させる。これによって、凹形接合面１１と凸形接合面１２とが対応した嵌め合い構造となっているので、位置決めを容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】接触させるための表面がケイ素系組成物で含浸されていることにより封止されているところの耐熱複合材料の部品をろう付けにより取り付けるに際し、ろう付け組成物と部品材料中に存在するケイ素との間の反応もしくは拡散を防止する。
【解決手段】少なくとも、２つの部品（２０，３０）の結合すべき表面（Ｓ２０，Ｓ３０）上に耐火性セラミック材料層（２２，３２）を形成する。この材料は、ろう付け温度においてケイ素と非反応性である。 （もっと読む）

本発明は、ガラスを溶浸したセラミック又は金属複合体で作製された接合又はシールエレメントに関する。該接合又はシールエレメントは、少なくとも１つのコンポーネントを接合又はシールするために働く。該発明は、少なくとも１つのコンポーネントを接合又はシールエレメントで接合又はシールするための方法、及び該接合又はシールエレメントの使用にも関する。
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本発明は、金属とセラミックスとをろう付する際に使用するろう付用活性バインダーを提供する。又、該バインダーが塗布されたろう付用セラミック部品、及び、ろう付されたろう付製品も提供される。金属−セラミックスろう付製品を製造する際に使用される箔状のろう付材も開示されている。 本発明の活性バインダー中には活性金属あるいはその化合物（好ましくは水素化チタン）の粉末が添加混合されており、本発明のろう付用部品では、セラミックスより成る部品の少なくともろう付部位に、活性金属あるいはその化合物の粉末がバインダーを介して固着されている。本発明のろう付製品を製造する際には、上記のろう付用部品のろう付部位と、金属部品のろう付部位とを重ね合せた後、炉中で加熱してろう粉末を溶融させてろう付する。 （もっと読む）

製造速度が速く、ろう付部のろう材組成が均一で接合信頼性が高く、かつ臭気による作業環境の低下などの問題のないろう付方法で金属とセラミックスをろう付したろう付製品を提供する。又、このようなろう付製品を製造する際に使用されるセラミックス部品及び金属部品も開示されている。 本発明のろう付製品は、金属より成る金属部品又はセラミックスより成るセラミックス部品の少なくとも一方のろう付部位にバインダーを塗布した後、活性銀ろう粉末を散布固着し、次いで相手材の接合面と合わせた後、炉中で加熱して活性銀ろう粉末を溶融させてろう付することにより製造される。本発明のろう付部品は、金属又はセラミックスの少なくとも一方のろう付部位にバインダーが塗布され、このバインダー上に活性銀ろう粉末が散布固着されているセラミックス部品及び金属部品である。 （もっと読む）

【課題】 ろう付け接合後のセラミックス基板に発生するクラックの防止と熱伝導性および温度サイクル寿命を改善したセラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 厚みが０．２〜０．９ｍｍのセラミックス基板１１の表面に活性金属を含むろう材１４を介して厚み３ｍｍ以下の金属回路板１２を設け、またセラミックス基板の裏面には活性金属を含むろう材１４を介して金属放熱板１３を設けた接合体であって、この接合体は−１１０℃以下で少なくとも１回の冷却処理を施したものであり、これにより接合体の室温における反り量は５０ｍｍ当り１００μｍ以下である。また、セラミックス基板に加わる残留応力が６５０ＭＰａ以下であるセラミックス回路基板。 （もっと読む）

【課題】 応答性を犠牲にすることなく強度を大幅に向上させると共に、製造工程の自動化を容易に図ることができ生産性を向上するガラス電極の製造方法を提供する。
【解決手段】 支持管２の開放端部２ａに多孔性のセラミック６を挿入し、このセラミック６の前記支持管開放端部２ａからの露出面６ｂ，６ｃの全てを応答ガラス１２が溶融されてなる溶融ガラス７に浸漬した後にこれを引き出すことにより、前記セラミック６の露出面６ｂ，６ｃに応答ガラス膜１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物セラミックスからなる母材と接合相手部材を低い接合温度で接合することができ、しかも良好な接合部が得られる複合材を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウムからなる母材と接合相手部材が、Ｂ_２Ｏ_３等のボロン含有酸化物を含む接合材によって接合されている。母材と接合相手部材との間にボロン含有酸化物との反応相が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム基板にＡｌ又はＡｌ合金の回路及び放熱板が形成された、高信頼性回路基板を、安価かつ安定に提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム基板の一方の面に回路、他方の面に放熱板が形成されてなる回路基板において、上記窒化アルミニウム基板が、熱伝導率１３０W/mK以上で、その表面のＣuＫαによるＸ線ピーク強度比が、３≦Ｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃／ＡｌＮ≦１８、２Ｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃／ＡｌＮ≦３のものであり、上記回路及び放熱板の材質が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金であり、しかも上記窒化アルミニウム基板と上記回路及び放熱板との接合が、Ａｌ、Ｓｉ及びＭｇを含む金属粉末ペーストの熱処理によって行われているものであることを特徴とする回路基板。 （もっと読む）

本発明は、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）から形成される成形体（１）、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体（１）をセラミック成形体（２）、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、ＭＭＣ成形体（１）または銅成形体（１）に隣接するセラミック成形体（２）の表面に第１金属（４）が被覆され、これによりセラミック成形体（２）をＭＭＣ成形体または銅成形体（１）に載置する。更に２つの成形体（１、２）をＭＭＣ成形体（１）のマトリックス金属または銅成形体（１）の銅またはセラミック成形体（１）の表面に被覆された第１金属（４）から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 （もっと読む）