【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌの酸化物とＭｇの酸化物とＧａの酸化物とＺｎの酸化物とを、金属成分元素の含有割合が、Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｍｇ：５〜３０原子％、Ｇａ：０．０１〜０．１５原子％、残部：Ｚｎからなるように配合し、前記酸化物を粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、前記混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに用いられる焼結体の板厚が従来より厚くなった場合においても、ノジュールの発生量が少なく、ライフエンドまで安定して成膜することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^２あたり１個以下であり、かつ厚さが１０ｍｍ以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】加工後に熱処理等を行わなくとも形状精度のよいスパッタリングターゲットが得られ、ＤＣスパッタリング法でも連続的に安定放電が可能で、適切な絶縁性を有する透明性膜が得られる酸化亜鉛焼結体を提供する。
【解決手段】亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、ＢＥＴ比表面積が２〜２０ｍ^２／ｇ、粉末かさ密度０．５〜１．８ｇ／ｃｍ^３の酸化亜鉛粉末を成形し、焼成する際に、焼結温度が９００〜１２５０℃、酸素が１０体積％以下の不活性雰囲気下でガス流量パラメータが８０００以上で焼成することにより、亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、２５℃での体積抵抗が１．０×１０^５Ωｃｍ以下の酸化亜鉛焼結体を製造し、それをスパッタリングターゲットとして用いて、ＤＣスパッタリング法により透明性膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】従来の製造方法に比較し所望の物性又は優れた性能を有するセラミックス粉末などを得ることができる、より効果的なマイクロ波加熱を使用した固相反応による粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末を充填してなる粉体層にマイクロ波を照射し固相反応により粉末を製造する方法において、粉体層を流動化させ、かつ流動時の粉体層の充填率が所定の充填率になるように流動化ガスを供給しながらマイクロ波加熱する。流動化ガスを送り粉体層を流動化させることで粉体層の充填率が低下しかつ粉体層が混合され、結果、マイクロ波の吸収効率が高まり粉体層の温度が上昇する。これにより反応が促進され短時間内に所望の物性又は性能を有する粉末を得ることができる。このような製造方法は、酸化インジウムスズなど金属酸化物又は複合酸化物の製造に好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長期に渡って高い分散性を維持することが可能なスラリー組成物を簡便な方法で製造できるスラリー組成物の製造方法に関する。また、該スラリー組成物の製造方法を用いて製造したスラリー組成物を提供する。
【解決手段】無機粉末、ポリビニルアセタール樹脂及び有機溶剤を含有するスラリー組成物の製造方法であって、無機粉末、ポリビニルアセタール樹脂（Ａ）及び無機分散用有機溶剤を添加、混合して無機分散液を作製する工程、ポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）及び樹脂溶液用有機溶剤を添加、混合して樹脂溶液を作製する工程、及び、前記無機分散液に樹脂溶液を添加する工程を有し、前記ポリビニルアセタール樹脂（Ａ）は、重合度が６２０〜１２００、前記ポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）は、重合度が１５００〜４０００であり、かつ、前記無機分散液を作製する工程において、前記ポリビニルアセタール樹脂（Ａ）を無機粉末１００重量部に対して０．１〜２０重量部添加するスラリー組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲットおよび酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、該透明導電膜形成材料は、チタンが原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下、窒素とチタンが原子数比でＮ／Ｔｉ＝０．１〜０．６となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体であり、前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、低原子価酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ＥＡ_ＧＷ_{（１−Ｇ）}Ｏ_Ｊ（但し、Ｍ元素は、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ａ元素は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０＜Ｅ≦１.２、０＜Ｇ≦１、２≦Ｊ≦３）で表記される複合酸化物を含み、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域で透過率の最大値が１０％以上９２％未満であり、膜の表面抵抗が１．０×１０^１０Ω／□以下である透明導電膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物焼結体に含まれる結晶相の種類や量の制御を容易化し得る導電性酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む導電性酸化物焼結体を製造する方法は、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物を調製した後に仮焼することによってＧａ_２ＺｎＯ_４粉体を形成する工程を含む。この仮焼の後には、Ｇａ_２ＺｎＯ_４粉体とＩｎおよびＯを含む粉体とを混合または粉砕混合して第２の混合物を調製し、この第２の混合物の成形体を作製し、そしてこの成形体を焼結する工程をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）