【課題】高温で高い熱電特性を示す新規な熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、（Ｃａ_3-xＢｉ_x）（Ｃｏ_4-yＭ_y）Ｏ₉で表される酸化物を有するものである。ここで、ＭはＧａ，Ｆｅ，Ｔｉ及びＮｂのうちの１つ以上の元素であり、ｘは０＜ｘ≦０．３を満たし、ｙはＭがＧａ，Ｆｅ及びＴｉのうち１つ以上の元素である場合には０＜ｙ≦０．１５を満たし、ＭがＮｂである場合には０＜ｙ＜０．１を満たす。 （もっと読む）

【課題】吸着ノズル等治工具用の黒色ジルコニア強化アルミナセラミックスの提供。
【構成】原料粉末として、アルミナ２５〜７０重量％、ジルコニア２５〜７０重量％、チタニア３〜１５重量％の３成分を基本組成とし、これに焼結助剤とを含み、アルミナの平均結晶粒子径が２μｍ以下、ジルコニアの平均結晶粒子径が１μｍ以下の組織とするとともに、チタンをジルコニア粒子内に選択的に固溶させ、ジルコニアの結晶構造として、立方晶が２０〜７０体積％、単斜晶が３０体積％以下、正方晶２０体積％以上の割合になるように混在させるものである黒色焼結組成物。 （もっと読む）

【課題】所望とする化合物相で構成されたスパッタリング用ターゲットを安定して製造することができるホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を溶解する工程と、前記混合粉末の溶解物を凝固させ、粉砕した凝固粉末を作製する工程と、前記凝固粉末を仮焼する工程と、仮焼した前記混合粉末を焼結する工程とを有する。上記製造方法においては、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を一旦溶解し、その後冷却することで原料粉末の化合物化を促進し、所望とする化合物相を有するホウ酸リチウム粉末及びその焼結体を安定に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯスクラップから高純度のＩＴＯを回収できる酸化インジウムスズの回収方法及びターゲット再生の生産性のよい酸化インジウムスズターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＴＯスクラップを塩酸に溶解させて溶解液を得る工程と、溶解液に水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る工程と、スラリー液を水熱反応させてＩＴＯの水和物を析出させる工程と、水和物を所定温度で乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び下記のＡ群から選択される少なくとも１つの元素（Ａ）を含有し、Ｉｎ、Ｚｎ及びＡの金属元素の組成（原子比）がＩｎ_ｘＺｎ_（1-ｘ）Ａ_ｙで表わされる酸化物からなり、ｘ及びｙが下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
Ａ群：Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ランタノイド
０．６８≦ ｘ ≦０．９５ （１）
０．０００１≦ ｙ ≦０．００４５ （２） （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】高移動度の薄膜トランジスタ、その製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。
領域１
０．５８≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６８
０．１５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２９
領域２
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．０９≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０
領域３
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２７ （もっと読む）

【課題】異常放電やノジュールの発生が少ない、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】２θ＝７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°、５６．５°〜５９．５°、１４．８°〜１６．２°、２２．３°〜２４．３°、３２．２°〜３４．２°、４３．１°〜４６．１°、４６．２°〜４９．２°及び６２．７°〜６６．７°の領域Ａ〜Ｋに回折ピークを有する酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ_４とを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。さらに、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，ＩｎおよびＺｎ：残とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４７．６、０．２２≦Ｉｎ（原子比）／Ｚｎ（原子比）≦４．６８、の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体（電解質）、空気（酸素）と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 （もっと読む）

【課題】金属発熱部分が無く、一体型で取扱性に優れた、しかも誘導加熱（ＩＨ加熱）が可能な、土鍋状の容器並びにその製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
本発明は底部が平坦であり、導電性セラミックス、及び／又は表面をセラミックス化した金属を少なくとも底部に含有するシリカ・アルミナを主とするセラミックスから成る、誘導加熱により加熱することが出来る土鍋状容器であり、該土鍋状容器の製造方法である。 （もっと読む）