【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制することができるＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ焼結体の製造方法は、第１の比表面積を有する第１の酸化インジウム粉末に、第１の酸化スズ粉末を混合することで得られる第１の混合粉末を焼結する工程と、上記第１の混合粉末の焼結体を破砕することで、上記第１の比表面積と同等以上の第２の比表面積を有する破砕粉を作製する工程と、上記破砕粉に、上記第１の比表面積と同等以上の第３の比表面積を有する第２の酸化インジウム粉末と、第２の酸化スズ粉末とを混合することで得られる第２の混合粉末を焼結する工程とを有する。これにより、酸化スズを微細かつ均一に分散させたＩＴＯ焼結体を得ることができ、当該ＩＴＯ焼結体をスパッタリングターゲットに用いた場合に、従来よりもノジュールの発生を大幅に抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な焼結体を安価に製造することができるＩＴＯ焼結体の製造方法及びＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ焼結体の製造方法は、酸化インジウム及び酸化スズを主成分とする焼結片群を容器内で撹拌しながら破砕することで、第１の平均粒子径を有する第１のＩＴＯ粉末を作製する工程を含む。上記第１のＩＴＯ粉末を媒体撹拌ミル又はジェットミルによって破砕することで、上記第１の平均粒子径よりも小さい第２の平均粒子径を有する第２のＩＴＯ粉末が作製される。上記第２のＩＴＯ粉末に酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末を混合し、その混合粉末を粉砕することで、上記第２の平均粒子径よりも小さい第３の平均粒子径を有する第３のＩＴＯ粉末が作製される。上記第３のＩＴＯ粉末を含むスラリーを型に鋳込むことで成形体が作製された後、焼結される。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを成分とする酸化物焼結体にスズを適切濃度添加することで、酸化粒焼結体の密度を高くすることができることを見出し、添加元素としてスズを含有するＩｎ_２Ｏ_３焼結体であって、スズの原子数が、焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率として０．０１〜０．２％添加することにより、相対密度が９８％以上となることを特徴とするスズ含有Ｉｎ_２Ｏ_３焼結体。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】透光性に優れると共に、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板であって、セラミックス粉末を準備する工程と、内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程とを有する製造方法を用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で観察して得られた組織画像の中から任意に２０μｍ×２０μｍの領域を３０個選択し、波長分散型電子線マイクロアナライザーにて各領域におけるＩｎおよびＳｎの質量組成（質量％）を分析し、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）比を求め、この比から換算して得られた３０個のＳｎＯ₂組成の平均である平均
組成ｘと、前記３０個のＳｎＯ₂組成の標準偏差σとが、２≦ｘ／σ≦６の関係を満足す
ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、圧縮強さが大きく、高パワーを負荷してスパッタリングを行っても割れが発生することが少なく、アーキングおよびノジュールの発生も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体酸化物形燃料電池の固体電解質膜として用いられるスカンジア安定化ジルコニアシートを、ウネリの発生を抑制しつつ製造するための方法を提供することを目的とする。また、本発明では、当該方法で用いるスカンジア安定化ジルコニアスラリーとスカンジア安定化ジルコニアグリーンシート、当該方法により製造されたものであり、ウネリが抑制された固体酸化物形燃料電池用スカンジア安定化ジルコニアシート、および当該固体酸化物形燃料電池用スカンジア安定化ジルコニアシートを固体電解質膜として有する固体酸化物形燃料電池を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明に係る固体酸化物形燃料電池用スカンジア安定化ジルコニアシートの製造方法は、安定化ジルコニア粒子を含むスラリーをシート状に成形した後に乾燥し、最大応力が５．０ＭＰａ以上、２０．０ＭＰａ以下で且つ最大応力負荷時の伸び率が５．０％以上、２０．０％未満であるグリーンシートを作製する工程；および、得られたグリーンシートを焼成し、厚さが１００μｍ超、３００μｍ以下のジルコニアシートとする工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が、０．７５〜０．９７の範囲であるとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃ （ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が５μｍ以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】鉄ヒ素系超電導材料において、従来はフッ素置換型や酸素欠損型により超伝導転移温度Ｔｃを向上させていたが、Ｔｃがより高い５０Ｋを超えるような超電導材料及び超電導薄膜を提供することが望まれている。
【解決手段】ＺｒＣｕＳｉＡｓ型の結晶構造を有する鉄ヒ素系超電導材料において、水素を含有させることにより、化学式ＬｎＦｅＡｓＯ_１−ｙＨ_ｘ（ただし、ＬｎはＹ及びランタノイド元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素、ｙは０以上０.５以下、ｘは０．０１以上０．５以下）で表される鉄ヒ素系超電導材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく赤外領域においても透過性に優れ、耐熱性の高い酸化物透明導電膜、その膜を成膜しうるスパッタリングターゲット、そのターゲットに使用しうる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００５〜０．１、Ｍｇ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００１〜０．０５であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子（ａ）と、アルミニウムを含有し平均粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子（ｂ）からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】粒径（一次粒子径）を所定範囲に調製でき、言い換えればＢＥＴ法比表面積を所定範囲に調製でき、それでいて高温でない温度で焼成可能な新たな酸化インジウム粉末を提供する。
【解決手段】Ｆｅ元素を３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有する酸化インジウム粉末を提案する。焼成前にＦｅを添加すると、酸化インジウム粉末の一次粒子径を大きくすることができる。この際、Ｆｅ含有量３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの範囲で有意な効果を得ることができる。 （もっと読む）