【課題】 酸化亜鉛（Ｂ_２Ｏ_３）粉末の使用しない新しい酸化亜鉛系焼結体―ゲットを提供する。
【解決手段】 本発明は酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末と窒化硼素（ＢＮ）粉末とが焼結されてなる酸化亜鉛系焼結体ターゲットである。好ましくは焼結体の窒素（Ｎ）量を０．０１ｍａｓｓ％以下、好ましくは０．００５ｍａｓｓ％以下とする。また、焼結体中の硼素（Ｂ）量は、０．０５〜１ｍａｓｓ％とすることが望ましい。
本発明のターゲットは、例えば酸化亜鉛粉末と窒化硼素粉末との混合し、温度範囲１０００〜１２００℃の窒素雰囲気で焼結することより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、光透過性に優れる複合酸化物結晶質膜を提供すること。
【解決手段】主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。
【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が２．６〜４７．２ａｔ％であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が２．７〜１４．５ａｔ％であることを特徴とする導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着法に用いられる酸化物焼結体タブレットを歩留まりよく安定して量産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】原料粉を湿式混合しかつ噴霧乾燥して造粒粉を製造する第一工程と、造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第二工程と、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第三工程と、成形体用粉末を金型中で加圧成形して成形体を製造する第四工程と、成形体を焼成して酸化物焼結体タブレットを製造する方法であって、第二工程の造粒粉に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して第三工程で得られる成形体用粉末のタップ密度が理論密度の２５％以上４５％以下となるように調整し、かつ第四工程において上記タップ密度に調整された金型中の成形体用粉末に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して所定形状の成形体を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト構造を有する酸化物半導体において、高い電気伝導度かつ低い熱伝導率を有する熱発電材料を提供する。
【解決手段】組成式Ａ_１-ｘ□_ｘ/3Ｌ_２ｘ/3ＢＯ_３、組成式Ａ_１-ｘＬａ_２ｘ/３□_ｘ/３ＢＯ_３又は、組成式Ｌ_１-ｘ-ｙＡ_ｘ□_ｙＢＯ_３のいずれかで表されるペロブスカイト構造を有する酸化物半導体から構成される熱発電材料である。ただし、□は格子欠陥を表し、ＬはＬａ又はＬｎである。ＬａまたはＬｎをＡサイトにドーピングすることにより電気伝導度の向上が図ることができ、また、Ａサイトに格子欠陥を有することにより、格子振動による熱伝導率の低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】極めて大きい性能指数の値を示すことのできる熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＧａおよびＩｎを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。Ａｌをさらに含有する複合酸化物からなることを特徴とする前記の熱電変換材料。相対密度が８０％以上である前記の熱電変換材料。表面の少なくとも一部が、皮膜でコーティングされている前記熱電変換材料。複数のｎ型熱電変換材料および複数のｐ型熱電変換材料と、前記複数のｐ型熱電変換材料及び複数のｎ型熱電変換材料をｐ型ｎ型交互に電気的に直列に接続させる複数の電極とを備える熱電変換モジュールであって、前記ｎ型熱電変換材料が、前記熱電変換材料であることを特徴とする熱電変換モジュール。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ現象などが発生せず、放電を安定させることができ、しかも機械的強度が高く、自動搬送時などに破損しにくい酸化亜鉛系焼結体タブレットを提供する。
【解決手段】常圧焼結体タブレットを、圧力１×１０^-3Ｐａ以下の真空中にて、９００℃〜１３００℃の温度で還元処理することにより、その相対密度が５０〜７０％でありながら、圧縮強さが１５０ＭＰａ以上であり、かつ、表面と内部における比抵抗がそれぞれ１×１０²Ω・ｃｍ以下、特にガリウムを含む酸化亜鉛系焼結体タブレットにおいては１×１０^-2Ω・ｃｍ以下であって、表面と内部の酸化亜鉛濃度差が０．５質量％以下である構造を実現する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下であり、成膜により比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下、可視光領域における光の屈折率が２．０以上、透過率が９６％以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】大規模なターゲットを製造するため、相対密度が大きい圧粉体を生じるスリップキャスト成形のための型を提供する。
【解決手段】スリップキャスト成形のための型は、底面板１０、不透水性の側壁２０、および、成型スペース３０を有する。底面板１０は、水を吸収する多孔性材料でできている。不透水性の側壁２０は、底面板１０に取り付けられる。成型スペースは、底面板１０および不透水性の側壁２０によって定められる。型は、底面板１０によって水を吸収するのみである。すべてのスラリーは、乾燥の間型に連続的に注入されるよりはむしろ型に注入される大きさである。したがって、型において形成される圧粉体は均一であり、高い相対密度を有する。圧粉体は、亀裂または変形を引き起こさずに焼結されることができるので、大きいサイズのスパッタリングターゲットの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】割れや反りを発生させることなく、高密度かつ低抵抗の大型の酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１．５μｍ以下である酸化亜鉛粉末と、Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１μｍ〜１０μｍである酸化ガリウム粉末とを、質量比で（９０〜９９.９）：（０．１〜１０）の割合で混合し、冷間成形し、得られた成形体を、焼結炉内容積１ｍ³当たり１０〜２００Ｌ／分の割合で空気または酸素を導入しながら８００℃まで加熱し、８００℃から焼結温度まで０．３〜３℃／分で昇温し、１２００〜１４００℃の焼結温度に１０〜２０時間保持して焼結させ、主平面の面積が４５０００ｍｍ²以上である場合に、該主平面を面積７５００ｍｍ²ごとに分割したときの焼結体密度のばらつきが±０．０４ｇ／ｃｍ³の範囲内となる高密度かつ低抵抗の焼結体。 （もっと読む）

【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径１μｍ以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Ｇａとを含む成形体に関する。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物形燃料電池用電極において、その界面抵抗を低くした電極を提供する。
【解決手段】電子伝導性金属酸化物２及び酸化物イオン伝導性金属酸化物３が凝集した複合粒子１粉末を、成形及び焼成して得られる固体酸化物形燃料電池用電極であり、該複合粒子１粉末の粒度分布測定における体積基準の５０％粒径（Ｄ５０）が０．０１〜１．３μｍであり、該複合粒子粉末の粒度分布測定における体積基準の２５％粒径（Ｄ２５）に対する７５％粒径（Ｄ７５）の比（Ｄ７５／Ｄ２５）が１．１〜２．２である、固体酸化物形燃料電池用電極。 （もっと読む）

【課題】目標とする組成が精度良く得られるホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、ホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法において、ホウ素源としてＢ_２Ｏ_３に換えてＨ_３ＢＯ_３を用いる。特にＺｎＯ粉末とＨ_３ＢＯ_３粉末を混合し、仮焼きして得た仮焼き粉末を焼結原料として用いることが好ましい。また、仮焼き粉末の組成は、Ｂ_２Ｏ_３／（ＺｎＯ＋Ｂ_２Ｏ_３）×１００として、０．８〜４５ｍａｓｓ％が好ましく、仮焼き温度は、１００℃以上、５００℃以下とすることが好ましい。また、焼結温度は、９００℃以上、１１５０℃以下とすることが好ましく、焼結雰囲気は、酸素濃度２１ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化アルミニウムとからなる混合粉体を、１４００℃以上で、酸素濃度２０％以上の雰囲気下に、１０時間以上保持して焼結せしめる。得られた複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。この焼結体では、酸化アルミニウムの量が酸化亜鉛に対してアルミニウム換算で２〜７重量％であり、抵抗率３ｍΩ・ｃｍ以下、密度５．４〜５．６ｇ／ｃｍ^３である。 （もっと読む）

【課題】
導電性付与剤を構成する導電性化合物粒子が焼結体中に均一に分散しておらず、磁気ヘッド用基板として放熱性が低く、磁気ヘッドに形成されたコイルから発熱した熱により磁気ディスクに保存された記録を破壊しやすい。
【解決手段】
主成分であるアルミナと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの群から選ばれる少なくとも１種以上の炭化物、窒化物または炭窒化物からなる導電性化合物粒子からなる導電性付与剤とを含む焼結体からなり、磁気ヘッド用素子を形成するための主面を有する磁気ヘッド用基板であって、上記導電性化合物粒子が上記主面から深さ１ｍｍまでの領域の主面に平行な面において分布密度５×１０^５個／ｍｍ^２以上に分散していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】ジルコニア焼結体表面に高硬度で導電性を有するＺｒＣに酸素が固溶した膜を形成することによって、優れた耐熱性と耐摩耗性を有し、静電気除去並びに帯電防止可能な導電性ジルコニア焼結体の提供。
【解決手段】（ａ）ジルコニアの結晶相が主として正方晶からなり、（ｂ）Ｙ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２モル比が２／９８〜５／９５の範囲にあり、（ｃ）焼結体の表面に厚みが０．０５〜１０μｍの「ＺｒＣに酸素が固溶した膜」を有し、（ｄ）室温における焼結体の表面抵抗が、１０^１〜１０^１０Ω・ｃｍであり、（ｅ）焼結体の平均結晶粒径が２μｍ以下、（ｆ）焼結体中の気孔率が２％以下、（ｇ）Ａｌ_２Ｏ_３を２０〜７５体積％含有することを特徴とする導電性ジルコニア焼結体。 （もっと読む）

工業炉に用いるための発熱体であって、その発熱体に対してより高い電圧の使用を可能とする発熱体を開示する。この発熱体は、４８〜７５体積％の酸化物相を含む二珪化モリブデン系材料から成る発熱ゾーン、および最大２５体積％までの酸化物相を含む二珪化モリブデン系材料から成る２つの端子部を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化錫の含有量が３．５質量％以下と低濃度であるにも拘わらず割れによる収率の低下が起こり難いＩＴＯスパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＩＴＯスパッタリングターゲット（焼結体）は、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で０％以上１％以下である第一造粒粉と、酸化錫の含有量が質量比で３％以上６％以下である第二造粒粉を用いて製造され、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、焼結体の相対密度が９８％以上、焼結体の結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、焼結体の表面部における最大結晶粒径に対する焼結体の厚み方向における中心部の最大結晶粒径の比が０．５〜１かつ焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水分または有機成分を含有した大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ^３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度によりマイクロ波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することで、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。 （もっと読む）