【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料とし、該膜形成材料中に含まれるチタンと亜鉛との原子数比がＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比を０．７５〜０．９７の範囲内の値とするとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とし、酸化インジウムを６７〜９３重量％の範囲、酸化錫を５〜２５重量％の範囲、および酸化亜鉛を２〜８重量％の範囲で含むとともに、錫／亜鉛の原子比を１以上の値とすることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
（a）Ｃｕ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（b）Ｍ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（c）（Ｃｕ＋Ｍ）／（Ｚｎ＋Ｃｕ+Ｍ）＝０．０２〜０．１０
（但し、ＭはＡｌまたはＧａを表わす。） （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングが生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリング雰囲気にさらされる主面１１ａのＸ線回折測定のピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_００２／（Ｉ_００２+Ｉ_１１０）が０．２以上、０．５８未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記酸化亜鉛焼結体は、鋳込み成形体を焼成してなり、前記鋳込み成形体は、吸水性材料の底部と非吸水性材料の側壁部とを備える成形型に原料粉末を分散させたスラリーを注型し、前記吸水性材料の吸水とともに原料粉末を着肉させてなる。 （もっと読む）

【課題】安定して成膜でき、割れやアーキングが生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】相対密度９９％以下の酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリングの雰囲気に曝される主面１１ａにおいて、面内の明度差ΔＬ＊が５以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット１１。平均粒径が１５μｍ以下であり、前記主面１１ａの最大高さＲｚが平均粒径の１／２以下である。また、成形時の外形から少なくとも１０ｍｍを生加工代として加工除去してなるＣＩＰ成形体を焼結してなる酸化亜鉛焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜は、ニオブ（Ｎｂ）、及びタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素と、銅（Ｃｕ）とを含む酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）である。また、この酸化物膜は、図５の第１酸化物膜及び第２酸化物膜のＸＲＤ（Ｘ線回折）分析結果を示すチャートに示すように、ＸＲＤ分析では明確な回折ピークを示さない微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、ｐ型の導電性を有している。この酸化物膜によれば、従来と比してｐ型の高い導電性が得られる。また、この酸化物膜は、上述のとおり微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるため、大型基板上への膜の形成が容易になることから、工業生産にも適している。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が高い、金属層付きセラミックス部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌおよびＯを含むとともに、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含むセラミックス体と、前記セラミックス体の表面に設けられた金属層と、を備える金属層付きセラミックス部材であって、前記金属層が、前記セラミックス体表面に接合した、前記特定遷移元素を主成分として含む第１の層と、前記第１の層と接合した、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｈｆ、Ｖのうち少なくとも１種と前記特定遷移元素とを含む第２の層と、を有し、前記第１の層における前記特定遷移元素の含有割合（質量％）は、前記第２の層における前記特定元素の含有割合（質量％）に比べて高いことを特徴とする金属層付きセラミックス部材を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを主成分としセリウムを含むと共に表面から内部まで同一の組成を有する蒸着用酸化物タブレット（酸化物蒸着材）を提供し、かつこの酸化物蒸着材を用いて製造される蒸着薄膜とこの薄膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この蒸着用酸化物タブレットは、酸化インジウムを主成分としセリウムを含み焼結後の表面研削加工がされていない焼結体により構成されており、焼結体表面から５μｍの深さまでの表面層におけるセリウム含有量をＣｅ／Ｉｎ原子数比（Ｃｏｍｐ^Ｓ）とし、焼結体全体におけるセリウム含有量の平均値をＣｅ／Ｉｎ原子数比（Ｃｏｍｐ^Ａ）とした場合、Ｃｏｍｐ^Ｓ／Ｃｏｍｐ^Ａ＝０．９〜１．１であることを特徴とする。また、蒸着薄膜は本発明の蒸着用酸化物タブレットを用いて成膜されていることを特徴とし、太陽電池は上記蒸着薄膜を電極に用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ce/In原子数比で0.001〜0.110のセリウムを含む焼結体により構成され、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が62〜95であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が62〜95である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な電磁波加熱用の原料粉末を提供する。
【解決手段】電磁波加熱によって焼結する透明導電膜用焼結体の製造において、比表面積が５ｍ^２／ｇ以上、１５ｍ^２／ｇ未満であり、かつ、周波数２．４５ＧＨｚでの誘電損率が０．５以上である原料粉末を使用することにより、焼成割れが低減され、歩留まり良く高密度な透明導電膜用焼結体を製造することができる。この透明導電膜用焼結体の原料粉末を用いることで、焼成割れの発生を抑制し、歩留り良く、透明導電膜用焼結体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の高屈折率透明膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される高屈折率透明膜を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ce/In原子数比で0.110を超え0.538以下のセリウムを含む焼結体により構成され、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が62〜95であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が62〜95である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても波長550nmにおける屈折率が2.15〜2.51の低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の高屈折率透明膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、負の熱膨張係数を有することを特徴とするセラミック成分と、カーボンナノフィラメントとを含む複合材料、複合材料の生成工程、および複合材料の、マイクロエレクトロニクス、精密工学部品、航空学、および航空宇宙産業における導電体としての利用に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。
【解決手段】蒸着材１０の表面に突起１１を１又は２以上形成する第５工程を含み、突起１１の蒸着材１０表面から最大高さが１〜５ｍｍであって、突起１１の蒸着材１０表面から突出する部分の最大幅が１〜５ｍｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＣスパッタリングでも高抵抗なＺｎＯ膜を作製可能なＺｎＯターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＺｎＯターゲットが、ＺｎＯを主成分とし、不可避不純物が０．１質量％以下であり、ＺｎＯ粒子の平均粒径が、１５μｍから１００μｍである。このＺｎＯターゲットの作製方法は、ＺｎＯ粉末を、３．０ｇ／ｃｍ^３以上の密度に成形して成形体とする工程と、成形体を、１２００℃から１５００℃の焼結温度で焼成して焼結体とする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制することができるＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ焼結体の製造方法は、第１の比表面積を有する第１の酸化インジウム粉末に、第１の酸化スズ粉末を混合することで得られる第１の混合粉末を焼結する工程と、上記第１の混合粉末の焼結体を破砕することで、上記第１の比表面積と同等以上の第２の比表面積を有する破砕粉を作製する工程と、上記破砕粉に、上記第１の比表面積と同等以上の第３の比表面積を有する第２の酸化インジウム粉末と、第２の酸化スズ粉末とを混合することで得られる第２の混合粉末を焼結する工程とを有する。これにより、酸化スズを微細かつ均一に分散させたＩＴＯ焼結体を得ることができ、当該ＩＴＯ焼結体をスパッタリングターゲットに用いた場合に、従来よりもノジュールの発生を大幅に抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）