【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電の発生を抑制し、生産効率の優れた比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、相対密度が９５％以上で、かつ結晶相が酸化亜鉛相、導電性複合酸化物相および低原子価化チタン相からなる酸化亜鉛系焼結体であり、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉、および／またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形し、次いで還元雰囲気または不活性雰囲気中６００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】ガラス溶融のための改善された電気特性を有する電極を提供すること。
【解決手段】主成分ＳｎＯ_２を含む組成物から形成された酸化錫系電極が開示される。本組成物は、ＣｕＯ、ｂＺｎＯ、およびｃＳｂ_２Ｏ_３を含む添加剤を含み、ここでａ、ｂ、およびｃは、それぞれの成分のｗｔ％を示し、０.２≦(ａ+ｂ)/ｃ<１.０である。 （もっと読む）

【課題】Ａサイトにランタノイド系元素、Ｂサイトにコバルト元素を有するペロブスカイト型酸化物を空気極に用いた場合の反応劣化の問題を解決し、さらに熱膨張係数をある程度低減することで、ＳＯＦＣ用空気極の低温特性を向上させる。
【解決手段】燃料極と、固体電解質と、空気極とがこの順に積層されてなる固体電解質型燃料電池セルにおいて、空気極は、希土類添加セリアとペロブスカイト型酸化物（ＡＢＯ₃）とを１０ｗｔ％：９０ｗｔ％〜６０ｗｔ％：４０ｗｔ％の割合で含有する活性層と、活性層上に形成された集電層とを有する。活性層は、集電層と固体電解質との間に配置され、ペロブスカイト型酸化物は、Ａサイトにランタノイド系元素、Ｂサイトにコバルト元素を有し、さらにＢサイトにのみ２価の金属元素を有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化亜鉛と；Ｓｉ、Ｎｉ、およびＨｆよりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、（１）ＩｎＧａＺｎＯ₄を主相とし、Ｍ金属の少なくとも一部は前記ＩｎＧａＺｎＯ₄に固溶しており、且つ、（２）ＺｎＭ_xＯ_y相およびＭ_xＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ２７によって冷却板２２に固定されるターゲット２５は、金属粉体としてのＺｎの粉体と、Ｚｎの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのＺｎＯの粉体とを含む混合物が、ｔ_０＜Ｔ＜ｔ_１（ただし、上記式中、ｔ_０はＺｎの融点、ｔ_１はＺｎＯの融点または昇華点である）で表される焼結温度Ｔで焼結された亜酸化物の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】安定放電可能な酸化物焼結体ターゲット、および低抵抗かつ可視光域から近赤外域の広範囲で高い透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】亜鉛、元素Ｌ（Ｌはアルミニウムおよび／またはガリウム）、スカンジウム並びに酸素から成る複合酸化物焼結体であって、原子比が、
Ｌ／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００１〜０．１００
スカンジウム／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００１〜０．１００
である酸化物焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜し、原子比が
Ｌ／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００２〜０．１００
スカンジウム／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００２〜０．１００
である透明導電膜を得て、それを受光素子に使用する。 （もっと読む）

【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも１つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも１つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、酸化チタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下であり、かつチタン源として、原子価が４価であるチタン元素を用いて、還元性雰囲気中にて加圧焼結して作製された酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性、耐熱性等の化学的耐久性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成材料は、酸化亜鉛を主成分とし、フッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムのうち少なくとも一方を含み、さらにチタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、全金属原子数に対するチタンの原子数の割合が２％超１０％以下であり、全金属原子数に対するフッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムの一方または両方の金属原子数の割合が０．１％以上５％以下であり、かつチタン源として、一般式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンを用いた酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】耐熱性；耐燃性；酸、アルカリ、有機溶媒等に対する耐薬品性；導電性；軽量性等に優れた化合物やそれを含有する組成物を比較的安価に得ること、化学的に有害な物質や形状的に有害な物質を、安全な操作によって無害な物質へと変換させる資源リサイクルにも貢献する廃棄物処理方法を提供すること。
【解決手段】無機化合物粒子又は無機化合物粒子を含有する複合物に、ポリ塩化アルミニウム及び有機物を含有する水溶液を含浸させ、２６０℃〜２８００℃で焼成してなるものであることを特徴とする炭素アルミニウム複合化合物被覆無機化合物構造体であり、また、針状無機化合物を含有する廃棄物を、ポリ塩化アルミニウム水溶液を吹き付けながら剥離してから水溶性有機物を含有させ、焼成して該炭素アルミニウム複合化合物被覆無機化合物構造体を形成しつつ廃棄物を処理する方法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの製造時およびスパッタリング時に割れを生じることのない高強度な酸化亜鉛焼結体および高抵抗な酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０^５Ω・ｃｍ以下である円筒形状の酸化亜鉛焼結体から成るスパッタリングターゲットを作製する。
またジルコニウムを１０〜２０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であり、膜厚１００ｎｍのとき、波長５００ｎｍの透過率が７５％以上の酸化亜鉛薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】 イオンプレーティング法による、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】高密度でバルク均一性が高く、製造時のみならずスパッタリング時にも、クラック、割れ、変形などが発生しない、円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体を得る。
【解決手段】２枚のメッシュ状の敷板(2)を隙間(9)を介して配置し、その上に、中空部分(8)の下方を隙間(9)が通過するように、成形体(1)を載置し、配管(3-1)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の下部付近となるように、配管(3-3)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の上部付近となるように、配管(3-2)を、敷板(2)の隙間(9)を介して成形体(1)の中空部分(8)に雰囲気ガスが流れるように、それぞれ配管の長さを調整して、雰囲気ガスを炉内に流通させて焼成を行う。得られる酸化物焼結体のバルクの各点での、密度の相対標準偏差は１％以下、比抵抗値の相対標準偏差は10％以下、平均結晶粒径の相対標準偏差は５％以下、密度は理論密度の90％以上である。 （もっと読む）

【課題】高結晶性のＩＴＯ薄膜を成膜できる、低い酸化スズ含有量のＩＴＯ焼結体からなり、かつ、長時間にわたり安定した成膜を可能とする、高密度のＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】原料粉末として、比表面積値が３〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜０．５μｍである酸化インジウム粉末と、比表面積値が１０〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜１．５μｍである酸化スズ粉末とを用い、酸化スズの含有量を２．５〜５．２質量％に調整し、混合および粉砕し、１９６ＭＰａ以上の圧力で加圧成形し、常圧の酸素雰囲気中で、１０００℃以上の領域における昇温速度を１．０℃／分以上５．０℃／分以下、保持温度を１５００℃以上１６００℃以下、保持時間を２０時間以上３０時間以下として焼成して、得られるＩＴＯスパッタリングターゲットの平均密度を７．１ｇ／ｃｍ³以上、平均結晶粒径を３μｍ以上１０μｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、比較的大きな部材にも適用することが可能な、導電性マイエナイト化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、（１）カルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の割合が、ＣａＯ：Ａｌ_２Ｏ_３に換算したモル比で、１２．６：６．４〜１１．７：７．３となるように調合した原料粉末を用いて、マイエナイト化合物粉末を調製する工程と、（２）前記マイエナイト化合物粉末を、３００℃以上１２００℃未満の温度に保持し、焼結体を得る工程と、（３）前記焼結体を、還元性雰囲気下で１２００℃〜１４１５℃の範囲の温度に保持する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。
【解決手段】低原子価チタンを２モル％超、１０モル％以下含有する酸化亜鉛焼結体であって、相対密度９５％以上で、かつ複合酸化物の含有割合が１０％以下である。この酸化亜鉛焼結体は、酸化亜鉛粉末と、亜鉛と低原子価チタンの複合酸化物粉末とを、低原子価チタンが２モル％超、１０モル％以下含有するように混合した後、成形し、次いで８００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）