【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムを０〜０．１モル、マグネシウムを０．５〜１．２モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を０．５〜１．０モルおよびマンガンを０〜０．２モル含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記バナジウム、前記マグネシウム、前記希土類元素および前記マンガンのうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムと二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】合金元素として多量のマンガン（Ｍｎ）を含有する高張力鋼板を搬送する場合であっても、ハースロールのロール周面に形成された部分安定化ジルコニア溶射皮膜が剥離破壊され難くする。
【解決手段】主成分である安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアからなるジルコニア（ＺｒＯ₂）粉末に対し、添加剤である酸化マンガンを二酸化マンガンＭｎＯ₂換算で１０．１質量％〜２５質量％含有する混合／複合材を溶射することにより、ロール周面にジルコニア系セラミックス皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は一般式P_1-c-dD_cZ_d（PbO）_wの圧電セラミック材料に関する。ただし0＜ｃ≦0.025、0≦d≦0.05、0≦w≦0.05であり、Pは式[Pb_1-vAg^I_v][(Zr_1-yTi_y)_1-uCu^II_u]O₃を有する化合物を表し、0.50≦1-y≦0.60、0＜u≦0.0495、0≦v≦0.02であり、Dは一般式[(M¹O)_1-p(M²O)_p]_a[Nb₂O₅]_1-aを有する成分を表し、ここでM¹はBa_1-tSr_tを表し、0≦t≦1であり、M²はSr及び／またはCaを表し、0＜p＜1かつ2/3＜a＜1であり、Zは一般式Pb(L_lR_r)O₃を有する化合物を表し、ここでLは酸化状態IIまたはIIIで存在し、Rは酸化状態VIまたはVで存在し、L^IIならば、R^VI=Wと組み合わせてFe,Mg,Co,NiまたはCuから選択され、l=1/2かつr=1/2であり、L^IIIならば、R^V=Nb,TaまたはSbと組み合わせてFe,CrまたGaから選択され、l=1/2かつr=1/2であるか、またはR^IV=Wと組み合わせてFe,CrまたGaから選択され、l=2/3かつr=1/3である。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を示し、絶縁抵抗に優れ、十分な信頼性が確保されたコンデンサ等の電子部品を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、０．９００≦（Ａ／Ｂ）≦１．０４０、０．００３≦α≦０．０５、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分としてＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物と、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】サイズ効果によっても誘電率が低下しにくく、しかも絶縁抵抗と高い誘電率とを両立させることが容易であり、比誘電率の温度変化が少ない新規な誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体粒子２ａが形成された誘電体磁器組成物である。誘電体粒子２ａが、六方晶のチタン酸バリウムで構成されるコア２２ａと、コア２２ａの外周に形成される立方晶または正方晶のチタン酸バリウムで構成されるシェル２４ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに比誘電率のばらつきが小さく、かつ低い分極電荷を示すとともに分極電荷のばらつきの小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし立方晶系の結晶粒子を有し、前記結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであるとともにＹｂ_２ＴｉＯ_５相を有する誘電体磁器からなり、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させて求められる元素の含有量が、バリウム１モルに対して、イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００５〜０．０３モル、マンガンがＭｎＯ換算で０．０２〜０．０４モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムがＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１２モルであり、かつ前記誘電体層のＸ線回折分析のリートベルト法解析において、バリウム１モルに対する前記Ｙｂ_２ＴｉＯ_５の含有量が０．００２５〜０．００８０モルである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ₃、０.０１〜１０.００モル％のＹ₂Ｏ₃、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ₂Ｏ₅からなる誘電体主成分と、ＭｎＯ，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｏ₂Ｏ₃からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ₃（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、ＢａＴｉＯ₃１００重量部に対し、Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、誘電体セラミックの比誘電率が高く、温度変化や機械的衝撃に対する信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（ただし、０．０４５≦ｘ≦０．１５）を主成分とし、かつＲｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５およびＳｉＯ_２を副成分とし、一般式：１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３＋ａＲｅ_２Ｏ_３＋ｂＭｇＯ＋ｃＭｎＯ＋ｄＶ_２Ｏ_５＋ｅＳｉＯ_２で表わされ、０．６５≦ａ≦１．５、０．１５≦ｂ≦２．０、０．４≦ｃ≦１．５、０．０２≦ｄ≦０．２５、および０．２≦ｅ≦３．０の各条件を満足する、誘電体セラミックを用いる。 （もっと読む）

【課題】エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なジルコニア膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】エアロゾル化ガスデポジション法によって、イットリアを含む安定化ジルコニア膜を成膜する成膜方法であって、平均粒子径が１μｍ以上５μｍ以下であり、かつ比表面積が１ｍ^２／ｇ以上４ｍ^２／ｇ以下であるジルコニア微粒子Ｐを密閉容器２に収容し、密閉容器２にガスを導入することによって、ジルコニア微粒子ＰのエアロゾルＡを生成させ、密閉容器２に接続された搬送管６を介して、密閉容器２よりも低圧に維持された成膜室３にエアロゾルＡを搬送し、成膜室３に収容された基材Ｓ上にジルコニア微粒子Ｐを堆積させる。上記条件を満たすジルコニア微粒子を用いることで、緻密かつ、基材への密着力が高いジルコニア薄膜を成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細で、かつ、結晶性が高く、しかも、焼成工程における粒成長を抑制することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末を作製する主成分粉末作製工程を備えた誘電体磁器組成物の製造方法において、主成分粉末作製工程が、バリウム化合物とチタン化合物とを含む混合物を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼物を酸溶液により洗浄する酸洗浄工程とを備えた工程であり、酸洗浄後に得られる主成分粉末が、一般式ＡＢＯ₃で表され、Ａサイト元素とＢサイト元素のモル比であるＡ／Ｂ比が１．０未満、０．９以上であるペロブスカイト型複合酸化物であるという要件を満たすようにする。
酸洗浄工程後に得られる主成分粉末が、結晶軸のａ軸に対するｃ軸の比であるｃ／ａ軸比が１．０１０以上、比表面積が７ｍ²／ｇ以上という要件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品において、内部電極の厚みが薄くされても、構造欠陥を生じにくくする。
【解決手段】たとえば積層セラミックコンデンサ１において、内部電極４，５は卑金属を導電成分として含み、誘電体セラミック層３は、ＡＢＯ₃（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｌｉ、ＫおよびＮａから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素を含有する、誘電体セラミックから構成される。各内部電極４，５の厚みは０．５μｍ以下であり、上記誘電体セラミックにおいて、アルカリ金属元素の含有量は主成分１００モル部に対して０．２モル部以上とされる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに、比誘電率のばらつきが小さく、かつ分極電荷の小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主結晶相とし、前記結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有するとともに、前記結晶相を構成する結晶粒子の平均粒径が０．０６〜０．２０μｍであり、イットリウム、マンガン、マグネシウムおよびイッテルビウムを含有する誘電体磁器からなり、前記積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層５のＸ線回折分析のリートベルト法解析におけるバリウム１モルに対してＹｂ_２Ｏ_３の含有量が０．００７５〜０．０２３モルである。 （もっと読む）

【課題】セラミックスの結晶性を向上させることができるセラミックスの原料液とセラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックスの製造方法は、化学組成がｘ［ＢｉＦｅＯ₃］−（１−ｘ）［（Ｂｉ_aＫ_1-a）ＴｉＯ₃］（但し、０＜ｘ＜１、０．４＜ａ＜０．６）で表されるセラミックスの製造方法であって、原料液を準備する工程と、前記原料液を用いて、第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜を熱処理し第２の膜を形成する工程と、複数の前記第２の膜が積層された積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含み、前記原料液に含まれる金属元素のモル比は、［Ｂｉ：Ｆｅ：Ｋ：Ｔｉ＝０．５（１＋ｘ）：ｘ：０．５（１−ｘ）×α：（１−ｘ）］（但し、０＜ｘ＜１、１＜α＜１．５）である。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、誘電体層２が、ＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つ、ＢはＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１つである）で表される化合物と、希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物から構成されており、誘電体層２には、希土類元素の酸化物のみが偏析している偏析領域２０が存在しており、誘電体層２の断面において、１．０×１．０μｍの視野面積に対し、偏析領域２０が占める面積の割合が０．４５〜０．９０％である。希土類元素の酸化物の含有量は１．０〜２．０モル％が好ましい。偏析領域の面積割合はたとえば焼成時の昇温速度を７００〜２０００℃／時間とすることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】組成を変性することにより種々の使用に適合できる、きわめて良好な誘電特性および電気機械的特性を有するＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３系、すなわちジルコン酸鉛ＰｂＴｉＯ_３を基礎とする圧電セラミック材料。
【解決手段】高いレベルの圧電活性を得るためにＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３を基礎とする圧電セラミック材料を変性し、式Ａ^２＋Ｂ^４＋Ｏ_３^２−のペロフスカイトの結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛（ＰＺＴ）を基礎とし、Ｚｒ／Ｔｉ位置での異なる原子価のアクセプターイオンおよびドナーイオンの置換基を有する。 （もっと読む）

【課題】製造中に膜内にクラックの発生がなく、高い圧電ひずみ定数を有するとともに、下電極との密着性が良好である圧電体薄膜素子を提供する。さらに、このような圧電体薄膜素子を用いた高精細な印字が可能となるインクジェット記録ヘッドを提供することにある。
【解決手段】多結晶体からなる圧電体膜と、この圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた圧電体薄膜素子であって、前記圧電体膜の結晶体が、前記電極面に対して略垂直方向に形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の温度特性を示すＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規格）をいずれも満足することができ、且つ、静電容量および絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、絶縁破壊耐力に優れ、内部電極層としてＮｉまたはＮｉ合金が使用可能な積層コンデンサなどの電子部品と、その電子部品の誘電体層として用いて好適な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。 （もっと読む）

【課題】ＢＦ−ＢＫＴ系セラミックスよりもリーク電流が低減されたセラミックス、及びその原料液、並びにそのセラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックスは、ビスマス及び鉄を含み、酸化物である第１の材料と、ビスマス、カリウム、及びチタンを含み、酸化物である第２の材料と、ビスマス及びマンガンを含み、酸化物である第３の材料と、を含み、前記第１の材料、前記第２の材料、及び前記第３の材料は固容している。 （もっと読む）