【課題】
本発明は、実用的な超電導線材とするために必要な、長尺線材化，高Ｊｃ化を、同時に達成することのできるＭｇＢ₂超電導線材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明のＭｇＢ₂ 超電導線材の製造方法は、第１のＭｇ一次粒子とＢ一次粒子とを混合し、第１のＭｇ一次粒子の表面に、Ｂ一次粒子を付着・反応させ、第１のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇を生成させ、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子と、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子より粒子径が大きい第２のＭｇ一次粒子とを混合し、第２のＭｇ一次粒子の表面に、表面にＭｇＢ₄ 又は
ＭｇＢ₇ が生成した第１のＭｇ一次粒子を付着・反応させ、第２のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₂ を生成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】６００℃未満の焼成温度での焼成でも、６００℃以上の焼成温度で得られたものと同様かそれ以上の超伝導特性を有する二ホウ化マグネシウム超伝導体の製造方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムに対して０．９〜２５ｍｏｌ％の銀を添加して混合粉末とし、焼成温度を６００℃未満とする二ホウ化マグネシウム超伝導体の製造方法。
【効果】得られた二ホウ化マグネシウム超伝導体は、５５０℃あるいは５００℃での焼成により、臨界温度が３６Ｋ以上、２０Ｋ、低磁場での臨界電流密度が２×１０^５Ａ／ｃｍ^２以上の超伝導特性を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な超伝導性と、取扱性などの良好な機械的特性とを保持する、連続した線の姿の２ホウ化マグネシウム（MgB2)に転換される、超伝導材料に用いるホウ素基材を得 る。
【解決手段】 化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され 、結果として超伝導性になる。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化マグネシウム（＝ＭｇＢ_２）を含有する超伝導素子を提供すること。
【解決手段】この超電導素子は、金属マトリックス（２）に密閉されかつ少なくとも１つの高導電性オーム素子（４）も有する５〜５００ミクロンの大きさの少なくとも１つの超伝導フィラメント（１）を備え、超伝導フィラメントは、マトリックス（２）及び導電性オーム素子（４）から保護金属層（３）によって分離され、超伝導フィラメントは、ホウ素（Ｂ）粉末及びマグネシウム（Ｍｇ）粉末と第１の添加剤としての炭化ホウ素（＝Ｂ_４Ｃ）粉末との間の反応によって形成され、１つ又は複数の追加の炭素含有粉末添加剤が、Ｍｇ、Ｂ及びＢ_４Ｃを含む粉末混合物の反応で存在することを特徴とする。ＭｇＢ_２に対する粉末混合物の反応は、５００〜７６０℃の温度で行われ、７６０℃以下の温度で臨界電流密度Ｊ_ｃが最大になる。 （もっと読む）

【課題】良好な超伝導臨界電流を有しながら加工性をも向上したＭｇＢ_２超伝導線材とその製造法を提供する。
【解決手段】マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）―ボロン（Ｂ）合金層と二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超伝導層とが積層されてなることを特徴とする構成とする。製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末及びその製作方法を提供する。
【解決手段】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末（９８）を製作する方法を提供する。本方法は、２ホウ化マグネシウム粉末を含む第１相の複数の粒子のうちの少なくとも１つの上に高分子前駆体をコートする工程を含み、該高分子前駆体は第２相を産生させる化学元素を含む。この第２相は、ホウ化物、窒化物、炭化物、酸化物、オキシホウ化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせのうちの１つまたは幾つかを含む。本方法はさらに、該２ホウ化マグネシウム粉末の複数の粒子の少なくとも１つの上に第２相コーティングを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末からなるワイヤを提供する。
【解決手段】金属マトリックス（１０２）を有するワイヤ（９８）を提供する。ワイヤ（９８）はさらに、該金属マトリックス（１０２）内に配置された複数のフィラメント（１００）であって、そのうちの少なくとも１つがドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を含む複数のフィラメント（１００）を含む。このドープされた２ホウ化マグネシウム粉末は、化学式ＭｇＢ_２−ｘＳ_ｘ（ここで、ｘは原子百分率を表し、またＳは炭素、ホウ素、窒素、酸素、あるいはこれらの組み合わせを表す）を有する複数の２ホウ化マグネシウム粒子を有する第１相を含む。この粉末はさらに、複数の２ホウ化マグネシウム粒子のそれぞれを囲繞する第２相であって、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、オキシ窒化物、オキシホウ化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせを含む第２相を含む。 （もっと読む）

高温超電導材料を含有する高通電の可撓性導体を提供する。高温超電導（ＨＴＳ）テープを含有する高電流の小型の可撓性導体及びそれを製造する方法を説明する。ＨＴＳテープは、スタック内に配列され、複数のスタックは、上部構造を形成するために配列され、かつ上部構造は、ＨＴＳケーブルを得るようにケーブル軸の周りで捻られる。本発明のＨＴＳケーブルは、消磁するために磁場を発生するのに使用するケーブル、及び高電流送電又は分配用途のような多数の用途で利用することができる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い超電導性能を有し、長尺化が可能なＭｇＢ_２超電導線材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明はいわゆるパウダーインチューブ法によるＭｇＢ_２超電導線材の製造方法において、粉体内に金属芯を配置して減面加工すること、並びに、加工前の金属芯又は金属管に、超電導体内に導入させるべき成分の薄膜層を予め設けておき、減面加工の工程における強力な力を利用して当該成分を超電導体内に分散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導ＭｇＢ_２膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ（マグネシウム）とＢ（ホウ素）を含む加熱溶融したメッキ浴に、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）が、メッキ浴に含まれるＭｇのモル比を１とした時、０．０１５〜０．０２０のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にＭｇＢ_２（二ホウ化マグネシウム）膜を形成させる。 （もっと読む）

本発明は、良好な相純度、微細構造および超伝導性質有する高品質のＭｇＢ₂ベースの超伝導体ワイヤ、テープ、バルク体およびパウダーの連続的な製造のための単純で、エネルギー効率が良く、費用効率が高い方法であって、革新的な工程、すなわち、排気し封止した金属チューブ中の反応物質を電気的な自己発熱下で、自己発熱兼熱間転造、続いて電気的な自己発熱によりアニーリングすることにより、従来技術に関する種々の欠点および短所を克服する方法を提供することである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全く新しい原理に基づく高密度設計を可能とするＭｇＢ₂超伝導体
線材の作製方法を提供しようというものである。
【解決手段】 マグネシウム５−５０原子％、残部鉄からなる鉄―マグネシウム（Ｆｅ−Ｍｇ）合金層とボロン層とからなる層状複合体を作製し、この層状複合体を６００−８００℃の温度で熱処理し、合金層中のＭｇをボロン層に拡散させて、前記ボロン層とマグネシウムとを反応させて二硼化マグネシウムを生成し、ボロン層を二硼化マグネシウム（ＭｇＢ₂）超伝導層へと転換することによって上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】 実用化に向け、十分大きな超電導電流を流せる、ＭｇＢ_２超電導体とその線材を提供する。
【解決手段】
超電導体ＭｇＢ_２の原料となるマグネシウム（Ｍｇ）あるいは水素化マグネシウム（ＭｇＨ_２）とホウ素（Ｂ）との混合体粉末にベンゼンなどの芳香族炭化水素を添加することにより、高い超電導臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温で二ホウ化マグネシウムを形成することにより、微細加工を安定して行うことを可能にする二ホウ化マグネシウムの製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。そして、この二ホウ化マグネシウムを形成する際の基板温度を１００℃以下とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、１．０〜９．０の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

【課題】 臨界電流密度を向上することのできる焼結体、焼結体の製造方法、超電導線材、超電導機器、および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の焼結体の製造方法は、ＭｇとＢとを含む焼結体の製造方法であって、Ｍｇ粉末３ａ，３ｂとＢ粉末２とを互いに混合せずに配置する配置工程と、配置工程の後、Ｍｇ粉末３ａ，３ｂおよびＢ粉末２を熱処理する熱処理工程とを備えている。また、熱処理工程の温度は６５１℃以上１１０７℃以下である。 （もっと読む）

本発明の超伝導ワイアは、基板と自動的に配列する超伝導材料の連続層とを含む。本発明のワイアの長さは１０メートルを超える。
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【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され、結果として 超伝導性になる。 （もっと読む）